CM400DU-24NFJ
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
双IGBTMOD
NFJ系列模块
400安培/ 1200伏
A
M
L
D
M
V
E2 G2
H
J
B
H
N
X
V
E
G1 E1
C2E1
E2
C1
U
W
L
Q
的S - 螺母（ 3 TYP ）
牛逼 - （ 4 TYP ）
AA
Z
K
AA
Z
K
Q
P
Y
V
AE V
AF
R
G
Z
K
AC
AB
AD M
C
LABEL
F
G2
E2
C2E1
E2
C1
E1
G1
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块是
设计用于在高的使用
高频应用; 30千赫
硬开关应用
和60至70千赫兹为软开关
应用程序。每个模块
由两个IGBT晶体管
在同一个半桥式配置
具有反接每个晶体管
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连从隔离
该散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
低ESW （OFF ）
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
电源
感应加热
焊工
订货信息：
例如：选择完整
你想要的部分模块编号
从下面-i.e.表
CM400DU - 24NFJ是1200V
（ VCES ） ， 400安培双
IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
400
VCES
伏（ ×50 ）
24
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
英寸
4.33
3.15
MILLIMETERS
110.0
80.0
尺寸
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
AC
AD
AE
AF
英寸
0.47
M6公制
0.26直径。
0.4
0.02
0.87
0.72
0.36
0.71
0.28
0.16
0.11
0.3
1.23
0.21
MILLIMETERS
12.0
M6
6.5直径。
10.0
0.5
22.2
18.25
9.25
18.0
7.0
4.0
2.8
7.5
31.4
5.3
1.14+0.04/-0.01 29.0+1.0/-0.5
3.66±0.01
93.0±0.25
2.44±0.01
62.0±0.25
0.83
0.16
0.24
0.59
0.55
0.35
0.33
0.69
0.85
0.98
21.2
4.0
6.0
15.0
14.0
9.0
8.5
17.5
21.5
25.0
12月11日第1版
1
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
CM400DU-24NFJ
双IGBTMOD NFJ系列模块
400安培/ 1200伏
最大额定值，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（操作）
*2
集电极电流（脉冲）
*2
最大功率耗散（ TC = 25 ° C）
*2,*4
发射极电流（操作）
*2
发射极电流（脉冲）
*2
隔离电压（带电部分至底座， F = 60Hz时， AC 1分钟）
结温
储存温度
符号
VCES
VGES
IC
ICM
PC
IE
*1
IEM
*1
VISO
Tj
TSTG
等级
1200
±20
400
800
2450
400
800
2500
-40 ~ +150
-40 ~ +125
单位
伏
伏
安培
安培
瓦
安培
安培
VRMS
°C
°C
机械特性
特征
抗扭强度
重量
* 1代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ） 。
* 2的脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温（Tj ）不超过Tj max的评级。
* 4外壳温度（TC）的测量点仅仅是芯片之下。
0
0
符号
M
M
测试条件
主端子，螺钉M6
安装， M6螺丝
分钟。
31
31
—
典型值。
35
35
580
马克斯。
40
40
—
单位
在磅
在磅
克
31.4
44.7
Tr2
Tr2
Di1
Tr1
35.0
Di2
Di2
Di1
Tr1
48.2
标签的一面
0
33.6
46.6
65.8
78.8
每个标记点到每个芯片的中心位置。
TR1 / Tr2的： IGBT
DI1 / DI2： FWDI公差± 1毫米
2
12月11日第1版
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CM400DU-24NFJ
双IGBTMOD NFJ系列模块
400安培/ 1200伏
电气特性，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
内部栅极电阻
外部栅极电阻
符号
冰
IGES
VGE （ TH）
VCE （ SAT ）
|
γ
FS |
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
QG
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
TRR
*1
QRR
*1
VEC
*1
RGint
RG
IE = 400A ， VGE = 0V
*3
TC = 25 ° C，每开关
VCC = 600V ， IC = 400A ，
VGE = ± 15V ， RG = 0.78Ω ，
感性负载，
IE = 400A
VCC = 600V ， IC = 400A ， VGE = 15V
VCE = 10V ， VGE = 0V
测试条件
VCE = VCES ， VGE = 0V
± VGE = VGES ， VCE = 0V
IC = 40毫安， VCE = 10V
IC = 400A ， VGE = 15V ， TJ = 25°C
*3
IC = 400A ， VGE = 15V ， TJ = 125°C
*3
IC = 400A ， VCE = 10V
*3
分钟。
—
—
4.5
—
—
120
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.78
典型值。
—
—
6.0
5.0
5.0
—
—
—
—
1800
—
—
—
—
—
7.0
5.5
3.0
—
马克斯。
1.0
1.4
7.5
6.5
—
—
63
5.3
1.2
—
300
100
500
150
100
—
7.0
—
7.8
单位
mA
A
伏
伏
伏
S
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
伏
热阻特性，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
接触热阻
符号
RTH （J -C ） Q
RTH （J -C ）D
RTH （ C-F ）
测试条件
每部分的IGBT
*4
每FWDI部分
*4
案件散热器，
导热硅脂应用
*4*5
* 1代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ） 。
* 3脉冲宽度和重复速率应能引起可忽略的温度上升。
* 4外壳温度（ TC）和散热器温度（Tf ）测量点就是芯片下。
如果使用该值，散热器的热阻的Rth （发） ，应该只是芯片进行测定。
0
0
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
0.02
马克斯。
0.051
0.093
—
单位
K / W
K / W
K / W
31.4
44.7
Tr2
Tr2
Di1
Tr1
35.0
Di2
Di2
Di1
Tr1
48.2
标签的一面
0
33.6
46.6
65.8
78.8
每个标记点到每个芯片的中心位置。
TR1 / Tr2的： IGBT
DI1 / DI2： FWDI公差± 1毫米
* 5典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
12月11日第1版
3
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CM400DU-24NFJ
双IGBTMOD NFJ系列模块
400安培/ 1200伏
输出特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
800
集电极电流，I
C
（安培）
12
11
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
T
j
= 25°C
集电极电流，I
C
（安培）
V
GE
= 20V
15
13
800
600
600
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
400
10
400
9
200
8
7
200
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
200
400
600
600
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与VCE
（典型值）
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
10
3
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
8
6
4
2
0
T
j
= 25°C
I
C
= 800A
I
C
= 400A
10
2
C
IES
10
2
10
1
C
OES
I
C
= 160A
10
0
V
GE
= 0V
C
水库
6
8
10
12
14
16
18
20
10
1
0
1
2
3
4
5
6
7
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
半桥
开关特性
（典型值）
反向恢复特性
（典型值）
栅电荷VS. VGE
（典型值）
10
3
t
f
t
D（关闭）
切换时间（纳秒）
反向恢复我
rr
（A ） ，T
rr
（纳秒）
10
3
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
I
rr
t
rr
20
I
C
= 400A
10
2
t
D（上）
15
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
10
2
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 0.78
T
j
= 125°C
感性负载
10
t
r
10
1
10
0
10
1
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 0.78
T
j
= 125°C
感性负载
5
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
10
1
10
1
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
0
0
500
1000
1500
2000
2500
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
4
12月11日第1版
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
CM400DU-24NFJ
双IGBTMOD NFJ系列模块
400安培/ 1200伏
归一化瞬态热阻抗，Z
日（ J- C' ）
Z
th
= R
th
（标准值）
瞬态热
阻抗特性
（典型值）
半桥开关
特征
（典型值）
半桥开关
特征
（典型值）
10
0
开关能量（兆焦耳/脉冲）
10
2
10
-1
10
-2
单脉冲
T
C
= 25°C
每单位基础=
R
日（J -C ）
=
0.051°K/W
（IGBT）
R
日（J -C ）
=
0.093°K/W
（ FWDI ）
开关能量（兆焦耳/脉冲）
10
1
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 0.78
T
j
= 125°C
感性负载
E
on
E
关闭
E
rr
10
2
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 400A
T
j
= 125°C
感性负载
10
1
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
TIME ， （S ）
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
10
0
10
-1
E
on
E
关闭
E
rr
10
0
栅极电阻，R
G
, ()
10
1
12月11日第1版
5
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