CM3131
三路线性稳压器为DDR -I / -II内存
特点
为DDR -I和DDR- II集成的电源解决方案
用少量的外部元件存储系统
三全线性稳压器为V
DDQ
, V
TT
和
V
STBY
电源的应用
最低的系统成本和最小的足迹
DDR电源解决方案
V
DDQ
稳压器/驱动器利用外部N -FET来
提供高达15A的电流， 2.5V / 1.8V
V
TT
源出/吸入电流稳压器可提供高达2A的
1.25V的DDR -I系统或0.65A时为0.9V
在DDR- II内存控制器（未DDR- II
内存）
LDO待机稳压器提供高达500mA的
2.5V的DDR -I和1.8V的DDR- II系统
可以伙同更高电流的应用
随着温度和反向电流保护
过了V电流保护
STBY
和V
TT
调节器
提供8引线和14引线PSOP封装
提供无铅版本
产品说明
该CM3131系列中的所有线性稳压器提供
对于DDR -I / -II内存的集成电源解决方案
在两种运行时系统和待机模式
操作。该CM3131是理想的设计
结合了主3.3V和待机（ 3.3V
或5V ）供电。该CM3131具有三个
独立线性稳压器为V
DDQ
, V
TT
和V
STBY
供应调控，并继续的精度
± 1％，在整个工作温度范围内。
该CM3131是两种配置提供。该
CM3131-01 / 11驱动一个外部N沟道场效应管上
单V
DDQ
轨。该CM3131-02驱动两个外部
在两个V无与伦比的N-场效应管
DDQ
轨。每个V
DDQ
轨
集成了一个调节销（SENSE ），以使
设置V
DDQ
在2.2V至2.8V的范围内，支持
的DIMM具有不同电源要求或DDR- II
类型的设备。
该CM3131-01 / 11是8引脚PSOP提供
包和CM3131-02可在14引脚
PSOP封装。
该器件CM3131还提供可选
无铅精加工。
应用
台式电脑，笔记本电脑和工作站
机顶盒，数字电视，打印机
嵌入式系统
电气原理图
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
联系电话： 408.263.3214
传真： 408.263.7846
www.calmicro.com
1
CM3131
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
顶视图
NC
V
DDQ
DRIVE
V
TT
V
DDQ1
V
DDQ2
CM3131-02
SENSE2
DRIVE2
DRIVE1
V
STBY
GND
SEL
V
TT
CM3131-01/11
GND
V
STBY
NC
SENSE1
V
CC
EN
V
CC
SENSE
SEL / EN
PSOP-8
注意：这些图不是按比例的。
PSOP-14
引脚说明
产品型号
-01
-11
-02
1
1
13
2
3
4
4
5
6
7
8
5
6
7
8
2
3
14
1
2
3
4
7
5
6
8
9
10
11
12
名字
V
DDQ
/ V
DDQ1
V
TT
NC
GND
SEL
NC
EN
SENSE / SENSE1
V
CC
V
STBY
驱动器/ DRIVE1
DRIVE2
SENSE2
V
DDQ 2
描述
V
DDQ
输入V
REF
和V
DDQ
输出待机
V
TT
输出端接电阻
无连接
地
选择输入，低电平有效
无连接
使能输入，高电平有效
检测输入，调整V
DDQ
轨
3.3V主输入电源
3.3V或5V待机输入电源
驱动器输出的V
DDQ
外部N -FET
驱动器输出的V
DDQ
外部N -FET
检测输入，调整V
DDQ
轨
V
DDQ
输入V
REF
和V
DDQ
输出待机
订购信息
品名信息
标准完成
引脚
8
8
14
包
PSOP-8
PSOP-8
PSOP-14
订购零件
数
1
CM3131-01SB
CM3131-11SB
CM3131-02SB
部分
市场营销
CM3131-01SB
CM3131-11SB
CM3131-02SB
无铅完成
订购
产品型号
1
CM3131-01SH
CM3131-11SH
CM3131-02SH
部分
记号
CM3131-01SH
CM3131-11SH
CM3131-02SH
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
联系电话： 408.263.3214
传真： 408.263.7846
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2
CM3131
功能说明
该CM3131-01 / -11和CM3131-02提供
功率从三个DDR -I / DDR- II内存
片上带有一个或两个电压调节器
外置对应的n沟道FET 。有一个过
温度过热关机（如果有）的
监管部门过热。每个稳压器具有反
电流保护在任何被关闭的事件
下来。
线性调节器驱动器/ s的外部N -FET / s的
可以提供高达15A时2.5V / 1.8V的V
DDQ
of
DDR -I / -II内存，从输入电源电压
2.8V - 3.6V 。外部反馈电阻分压器，
连接到SENSE1销，使得能够选择的
V
DDQ
输出电压范围为2.2V至2.8V与使用
需要大于2.5V为V以外的DDR -I内存
DDQ
.
V
DDQ
= 1.25V ×（ R1 + R2） / R2。当SENSE1是
连接到GND或悬空，V
DDQ
被固定在
2.50V （和VTT在1.25V ） 。对于DDR- II操作，
V
DDQ
可以设定从1.7V到1.9V 。
在V
TT
稳压器是一个线性源库调节
从V供电
DDQ
输出供给V
TT
提供所需用的DDR -I内存终止
电阻器。该稳压器水槽或来源高达2A的
2.8V / 3.0V / 3.3V的DDR -I ，
2.2V /2.5V / 3.3V的DDR- II
V
CC
PSOP-8
CM3131-01/11
1.25V或从DDR -I总线终端电阻。
对于DDR- II的应用程序，监管机构或汇
来源0.65A ，在0.9V 。在V
TT
输出电压
准确地跟踪V
DDQ
/ 2 1％。当不存在
V
CC
提供V
TT
断电时，其输出是
0V 。该稳压器具有过载电流的限制
2.5A.
待机稳压器是一个LDO稳压器，是
从待机电压，V供电
STBY
， 3.3V或
5V ，并提供了一个稳压输出高达500mA
于V
DDQ
在DDR存储器中，使之能够保持
在待机模式期间它的内容。它提供
2.5V的DDR -I和1.8V的DDR- II 。
该CM3131-01和CM3131-11不同的问候
真值表的选择决定哪些S0-
S5中测序矩阵芯片被设置为。该
CM3131-02有EN和SEL引脚更多
准确地定义每个Sx的阶段没有监测
在V
CC
或V
STBY
电压。
两个CM3131s可以组合在一起，以提供
V
DDQ
功率的DDR内存双通道和
的任何芯片组的内存控制器芯片。
V
DDQ
LDO驱动器
DRIVE
内部V
SBY
电压
倍频确保V
G
> 5.3V
驱动任意n -FET用C
GS
<1200pF
FET
2.8V / 3.0V / 3.3V的DDR -I ，
2.2V /2.5V / 3.3V的DDR- II
V
CC
CM3131-02
DRIVE1
V
DDQ
LDO驱动器
DRIVE2
5V
STBY
/ 3.3V
STBY
V
DDQ1
V
DDQ
LDO的
V
DDQ
/ V
TT
控制
V
DDQ
C
SBY
C
CC
线性
源库
V
TT
REG
GND
V
DDQ2
N-FET1
N-FET2
5V
STBY
/ 3.3V
STBY
V
DDQ
LDO
V
DDQ
/ V
TT
控制
V
DDQ
V
DDQ
R1
V
DDQ
V
DDQ1
V
DDQ2
R1
C
DDQ2
R3
SEL / EN
SEL
SENSE
R2
GND
V
TT
C
TT
C
DDQ
C
SBY
C
CC
线性
源库
V
TT
REG
GND
V
TT
只需要
DDR -I若V
DDQ
is
不是2.5V ，例如2.6V
或2.7V 。
设置为1.7V至
1.9V的DDR- II
SENSE1
SENSE2
R2
EN
R4
GND
C
DDQ1
V
TT
C
TT
V
TT
单和双N -FET驱动器配置的例子
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
联系电话： 408.263.3214
传真： 408.263.7846
www.calmicro.com
3
CM3131
功能说明（续）
V
CC
3V/3.3V
X
＆ LT ; V
CC分钟
X
V
STBY
SEL
5V/3.3V
ON
5V/3.3V
关闭
X
ON
＆ LT ; V
STBY MIN
关闭
V
DDQ 1,2
V
TT
V
DDQ
V
DDQ
/ 2
V
DDQ STBY
0V
0V
0V
0V
0V
事实表CM3131-01
S到
S0
S1
S2
S3
S4
S5
V
CC
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
SEL
ON
ON
ON
关闭
关闭
关闭
V
DDQ OUT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ STBY
0V
0V
V
TT OUT
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
排序矩阵CM3131-01挂起到内存的操作
无S与R
S0
S1
S2
S3
S4
S5
V
CC
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
SEL
ON
ON
ON
ON
ON
ON
V
DDQ OUT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
0V
0V
0V
V
TT OUT
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
排序矩阵CM3131-01挂起到内存不支持
V
CC
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
X
V
STBY
EN
5V/3.3V
ON
5V/3.3V
ON
X
关闭
＆ LT ; V
STBY MIN
关闭
V
DDQ OUT
V
TT OUT
V
DDQ
V
DDQ
/ 2
V
DDQ STBY
0V
0V
0V
0V
0V
事实表CM3131-11
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
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4
CM3131
功能说明（续）
S到
S0
S1
S2
S3
S4
S5
V
CC
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
EN
ON
ON
ON
ON
关闭
关闭
V
DDQ OUT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ STBY
0V
0V
V
TT OUT
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
排序矩阵CM3131-11挂起到内存的操作
V
CC
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
X
0V
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
＆ LT ; V
STBY MIN
X
X
SEL
ON
关闭
关闭
ON
X
EN
ON
ON
ON
ON
关闭
V
DDQ OUT
V
TT OUT
V
DDQ
V
DDQ STBY
0V
0V
0V
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
0V
事实表CM3131-02
表3
S0
S1
S2
S3
S4
S5
V
CC
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
X
X
SEL
ON
ON
ON
关闭
ON
ON
EN
ON
ON
ON
ON
关闭
关闭
V
DDQ OUT
V
TT OUT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ STBY
0V
0V
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
排序矩阵CM3131-02挂起到内存的操作
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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CM3131
三路线性稳压器为DDR -I / -II内存
特点
为DDR -I和DDR- II集成的电源解决方案
用少量的外部元件存储系统
三全线性稳压器为V
DDQ
, V
TT
和
V
STBY
电源的应用
最低的系统成本和最小的足迹
DDR电源解决方案
V
DDQ
稳压器/驱动器利用外部N -FET来
提供高达15A的电流， 2.5V / 1.8V
V
TT
源出/吸入电流稳压器可提供高达2A的
1.25V的DDR -I系统或0.65A时为0.9V
在DDR- II内存控制器（未DDR- II
内存）
LDO待机稳压器提供高达500mA的
2.5V的DDR -I和1.8V的DDR- II系统
可以伙同更高电流的应用
随着温度和反向电流保护
过了V电流保护
STBY
和V
TT
调节器
提供8引线和14引线PSOP封装
提供无铅版本
产品说明
该CM3131系列中的所有线性稳压器提供
对于DDR -I / -II内存的集成电源解决方案
在两种运行时系统和待机模式
操作。该CM3131是理想的设计
结合了主3.3V和待机（ 3.3V
或5V ）供电。该CM3131具有三个
独立线性稳压器为V
DDQ
, V
TT
和V
STBY
供应调控，并继续的精度
± 1％，在整个工作温度范围内。
该CM3131是两种配置提供。该
CM3131-01 / 11驱动一个外部N沟道场效应管上
单V
DDQ
轨。该CM3131-02驱动两个外部
在两个V无与伦比的N-场效应管
DDQ
轨。每个V
DDQ
轨
集成了一个调节销（SENSE ），以使
设置V
DDQ
在2.2V至2.8V的范围内，支持
的DIMM具有不同电源要求或DDR- II
类型的设备。
该CM3131-01 / 11是8引脚PSOP提供
包和CM3131-02可在14引脚
PSOP封装。
该器件CM3131还提供可选
无铅精加工。
应用
台式电脑，笔记本电脑和工作站
机顶盒，数字电视，打印机
嵌入式系统
电气原理图
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
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联系电话： 408.263.3214
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CM3131
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
顶视图
NC
V
DDQ
DRIVE
V
TT
V
DDQ1
V
DDQ2
CM3131-02
SENSE2
DRIVE2
DRIVE1
V
STBY
GND
SEL
V
TT
CM3131-01/11
GND
V
STBY
NC
SENSE1
V
CC
EN
V
CC
SENSE
SEL / EN
PSOP-8
注意：这些图不是按比例的。
PSOP-14
引脚说明
产品型号
-01
-11
-02
1
1
13
2
3
4
4
5
6
7
8
5
6
7
8
2
3
14
1
2
3
4
7
5
6
8
9
10
11
12
名字
V
DDQ
/ V
DDQ1
V
TT
NC
GND
SEL
NC
EN
SENSE / SENSE1
V
CC
V
STBY
驱动器/ DRIVE1
DRIVE2
SENSE2
V
DDQ 2
描述
V
DDQ
输入V
REF
和V
DDQ
输出待机
V
TT
输出端接电阻
无连接
地
选择输入，低电平有效
无连接
使能输入，高电平有效
检测输入，调整V
DDQ
轨
3.3V主输入电源
3.3V或5V待机输入电源
驱动器输出的V
DDQ
外部N -FET
驱动器输出的V
DDQ
外部N -FET
检测输入，调整V
DDQ
轨
V
DDQ
输入V
REF
和V
DDQ
输出待机
订购信息
品名信息
标准完成
引脚
8
8
14
包
PSOP-8
PSOP-8
PSOP-14
订购零件
数
1
CM3131-01SB
CM3131-11SB
CM3131-02SB
部分
市场营销
CM3131-01SB
CM3131-11SB
CM3131-02SB
无铅完成
订购
产品型号
1
CM3131-01SH
CM3131-11SH
CM3131-02SH
部分
记号
CM3131-01SH
CM3131-11SH
CM3131-02SH
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
联系电话： 408.263.3214
传真： 408.263.7846
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2
CM3131
功能说明
该CM3131-01 / -11和CM3131-02提供
功率从三个DDR -I / DDR- II内存
片上带有一个或两个电压调节器
外置对应的n沟道FET 。有一个过
温度过热关机（如果有）的
监管部门过热。每个稳压器具有反
电流保护在任何被关闭的事件
下来。
线性调节器驱动器/ s的外部N -FET / s的
可以提供高达15A时2.5V / 1.8V的V
DDQ
of
DDR -I / -II内存，从输入电源电压
2.8V - 3.6V 。外部反馈电阻分压器，
连接到SENSE1销，使得能够选择的
V
DDQ
输出电压范围为2.2V至2.8V与使用
需要大于2.5V为V以外的DDR -I内存
DDQ
.
V
DDQ
= 1.25V ×（ R1 + R2） / R2。当SENSE1是
连接到GND或悬空，V
DDQ
被固定在
2.50V （和VTT在1.25V ） 。对于DDR- II操作，
V
DDQ
可以设定从1.7V到1.9V 。
在V
TT
稳压器是一个线性源库调节
从V供电
DDQ
输出供给V
TT
提供所需用的DDR -I内存终止
电阻器。该稳压器水槽或来源高达2A的
2.8V / 3.0V / 3.3V的DDR -I ，
2.2V /2.5V / 3.3V的DDR- II
V
CC
PSOP-8
CM3131-01/11
1.25V或从DDR -I总线终端电阻。
对于DDR- II的应用程序，监管机构或汇
来源
0.65A
在0.9V 。在V
TT
输出电压
准确地跟踪V
DDQ
/ 2 1％。当不存在
V
CC
提供V
TT
断电时，其输出是
0V 。该稳压器具有过载电流的限制
2.5A.
待机稳压器是一个LDO稳压器，是
从待机电压，V供电
STBY
， 3.3V或
5V ，并提供了一个稳压输出高达500mA
于V
DDQ
在DDR存储器中，使之能够保持
在待机模式期间它的内容。它提供
2.5V的DDR -I和1.8V的DDR- II 。
该CM3131-01和CM3131-11不同的问候
真值表的选择决定哪些S0-
S5中测序矩阵芯片被设置为。该
CM3131-02有EN和SEL引脚更多
准确地定义每个Sx的阶段没有监测
在V
CC
或V
STBY
电压。
两个CM3131s可以组合在一起，以提供
V
DDQ
功率的DDR内存双通道和
的任何芯片组的内存控制器芯片。
V
DDQ
LDO驱动器
DRIVE
内部V
SBY
电压
倍频确保V
G
> 5.3V
驱动任意n -FET用C
GS
<1200pF
FET
2.8V / 3.0V / 3.3V的DDR -I ，
2.2V /2.5V / 3.3V的DDR- II
V
CC
CM3131-02
DRIVE1
V
DDQ
LDO驱动器
DRIVE2
5V
STBY
/ 3.3V
STBY
V
DDQ1
V
DDQ
LDO的
V
DDQ
/ V
TT
控制
V
DDQ
C
SBY
C
CC
线性
源库
V
TT
REG
GND
V
DDQ2
N-FET1
N-FET2
5V
STBY
/ 3.3V
STBY
V
DDQ
LDO
V
DDQ
/ V
TT
控制
V
DDQ
V
DDQ
R1
V
DDQ
V
DDQ1
V
DDQ2
R1
C
DDQ2
R3
SEL / EN
SEL
SENSE
R2
GND
V
TT
C
TT
C
DDQ
C
SBY
C
CC
线性
源库
V
TT
REG
GND
V
TT
只需要
DDR -I若V
DDQ
is
不是2.5V ，例如2.6V
或2.7V 。
设置为1.7V至
1.9V的DDR- II
SENSE1
SENSE2
R2
EN
R4
GND
C
DDQ1
V
TT
C
TT
V
TT
单和双N -FET驱动器配置的例子
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
联系电话： 408.263.3214
传真： 408.263.7846
www.calmicro.com
3
CM3131
功能说明（续）
V
CC
3V/3.3V
X
＆ LT ; V
CC分钟
X
V
STBY
SEL
5V/3.3V
ON
5V/3.3V
关闭
X
ON
＆ LT ; V
STBY MIN
关闭
V
DDQ 1,2
V
TT
V
DDQ
V
DDQ
/ 2
V
DDQ STBY
0V
0V
0V
0V
0V
事实表CM3131-01
S到
S0
S1
S2
S3
S4
S5
V
CC
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
SEL
ON
ON
ON
关闭
关闭
关闭
V
DDQ OUT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ STBY
0V
0V
V
TT OUT
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
排序矩阵CM3131-01挂起到内存的操作
无S与R
S0
S1
S2
S3
S4
S5
V
CC
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
SEL
ON
ON
ON
ON
ON
ON
V
DDQ OUT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
0V
0V
0V
V
TT OUT
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
排序矩阵CM3131-01挂起到内存不支持
V
CC
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
X
V
STBY
EN
5V/3.3V
ON
5V/3.3V
ON
X
关闭
＆ LT ; V
STBY MIN
关闭
V
DDQ OUT
V
TT OUT
V
DDQ
V
DDQ
/ 2
V
DDQ STBY
0V
0V
0V
0V
0V
事实表CM3131-11
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
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传真： 408.263.7846
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4
CM3131
功能说明（续）
S到
S0
S1
S2
S3
S4
S5
V
CC
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
EN
ON
ON
ON
ON
关闭
关闭
V
DDQ OUT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ STBY
0V
0V
V
TT OUT
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
排序矩阵CM3131-11挂起到内存的操作
V
CC
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
X
0V
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
＆ LT ; V
STBY MIN
X
X
SEL
ON
关闭
关闭
ON
X
EN
ON
ON
ON
ON
关闭
V
DDQ OUT
V
TT OUT
V
DDQ
V
DDQ STBY
0V
0V
0V
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
0V
事实表CM3131-02
表3
S0
S1
S2
S3
S4
S5
V
CC
3V/3.3V
3V/3.3V
3V/3.3V
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
＆ LT ; V
CC分钟
V
STBY
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
X
X
SEL
ON
ON
ON
关闭
ON
ON
EN
ON
ON
ON
ON
关闭
关闭
V
DDQ OUT
V
TT OUT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ STBY
0V
0V
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
/ 2
0V
0V
0V
排序矩阵CM3131-02挂起到内存的操作
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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