CM3107
2安培源出/吸入总线终端稳压器
对于DDR内存和前端总线的应用
特点
理想的英特尔865前端总线V
TT
和DDR
V
TT
应用
汇和源2安培
过电流保护
过温保护
集成的功率MOSFET
出色的精度（ 0.5 ％负载调整率）
可选输出（ 1.225V / 1.45V或V
DDQ
/2)
8引脚SOIC和PSOP封装
提供无铅版本
产品说明
该CM3107是一个下沉和采购监管specif-
ically专为串并联总线端接
高速芯片组总线和DDR内存
系统。它可以提供和吸收电流高达2.0A与
0.5％的负载调节。在V
TT
输出电压是
用V可选
DDQ
SEL和FSBSEL引脚。该
V
DDQ
SEL引脚控制CM3107无论是在DDR
与V内存模式
TT
=V
DDQ
/ 2，或者在前端总线模式。在
FSB模式， FSBSEL控制是否V
TT
为1.225V或
1.45V 。这允许在两个不同所使用的相同的芯片
英特尔865的主板上同的电路。
该CM3107提供过流和过温
温保护，可保护芯片免受过大
加热，由于高电流和高的温度下进行。一
使用外部晶体管关断能力
降低功耗，提供了一种高
阻抗输出。
该CM3107封装在8引脚SOIC和PSOP
包，并提供可选无铅整饰
ING 。
应用
英特尔845分之865前端总线端接
单，双DDR存储器终端
主动终止巴士
显卡DDR存储器终端
简化的电气原理图
V
CC
V
DDQ
SEL FSBSEL
V
DDQ
50K
温度过高
过电流
参考
产量
SELECT
司机
V
REF
OUT
IN
V
TT
50K
卜FF器
V
SENSE
GND
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
1
CM3107
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
V
DDQ
V
TT
GND
V
SENSE
1
2
3
4
8
7
6
5
顶视图
V
CC
V
DDQ
SEL
V
REF
FSBSEL
V
DDQ
V
TT
GND
V
SENSE
1
2
3
4
8
7
GND
6
5
V
CC
V
DDQ
SEL
V
REF
FSBSEL
8引脚SOIC
注意：该附图是不按比例。
8引脚PSOP
引脚说明
SOIC-8
铅（ S）
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DDQ
V
TT
GND
V
SENSE
FSBSEL
V
REF
V
DDQ
SEL
V
CC
描述
V
DDQ
输出或者1.225V / 1.45V FSB或V
DDQ
/ 2 DDR （见注1 ）
地
反馈电压输入
选择前端总线输出，无论是V
TT
= 1.225V， 1.45V或
1.25V的参考电压输入DDR总线
选择输出，支持FSB和DDR应用
电源内部的控制电路
注1 ：假设V
DDQ
和V
DDQ
SEL是绑在一起的DDR应用。
订购信息
品名信息
标准完成
订购零件
引脚
8
8
包
PSOP-8
SOIC-8
数
1
CM3107-00SB
CM3107-00SN
最热
CM3107-00SB
CM310701S
无铅完成
订购零件
数
1
CM3107-12SH
CM3107-00SM
最热
CM3107-00SH
CM3107-00SM
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
02/02/04
CM3107
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
V
CC
工作电源电压
V
DDQ
输入电压
引脚电压
V
TT
产量
所有其他引脚
静电放电（ HBM）的
存储温度范围
工作温度范围
环境
连接点
功率耗散（见注1 ）
等级
7
7
7
7
±2000
-40到+150
-40至+85
-40到+150
内部限制
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
注1 ：这些设备必须基于在高温下的热电阻降额。封装在一个8引脚设备
SOIC封装引线框架必须被降级
θ
JA
= 151
° C / W
.
θ
JA
的8引脚PSOP是40
° C / W 。
标准工作条件
参数
V
DDQ
V
CC
工作环境温度
CV
OUT
价值
2.5到3.3
2.5到3.3
0至+70
220
±20%
单位
V
V
°C
F
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
3
CM3107
规格（续）
电气运行特性
（见注1 ）
符号
V
IN
参数
输入电压范围
V
DDQ
V
CC
V
CC
静态电流
输出电压
I
VTT
= 0A
I
VTT
= 0A ，V
DDQ
= 2.5V,
V
DDQ
SEL =逻辑"1" = 2.5V
V
DDQ
SEL =逻辑"0" ， FSBSEL =逻辑"0"
V
DDQ
SEL =逻辑"0" ， FSBSEL =逻辑"1"
I
VTT
= 0A ，V
DDQ
= 3.3V,
V
DDQ
SEL =逻辑"0" ， FSBSEL =逻辑"0"
V
DDQ
SEL =逻辑"0" ， FSBSEL =逻辑"1"
V
RLOAD
V
REF
VOS
VTT
Z
REF
Z
VDDQSEL
CL
VTT
V
FSBSEL
负载调整率
输出参考电压
从V输出偏移
REF
V
REF
输出阻抗
V
VDDQSEL
输入阻抗
V
TT
电流限制
输出选择逻辑
（ FSBSEL ）
逻辑电平"1"
逻辑电平"0"
关断温度
热滞
1.5
0.4
150
50
-5μA <我
VREF
＆ LT ; 5μA
0A <我
VTT
< 2.0A或0A <我
VTT
< -2.0A
V
DDQ
SEL = 2.5V ，我
VREF
=0A
1.225
-20
5
100
2.5
1.225
1.200
1.425
条件
民
2.2
2.2
典型值
2.5
2.5
450
1.250
1.225
1.450
1.275
1.250
1.475
最大
V
CC
5.5
单位
V
V
A
V
V
V
V
I
CC
V
TT
1.200
1.425
1.225
1.450
6.25
1.250
1.250
1.475
V
V
mV
1.275
20
V
mV
k
k
A
V
V
°C
°C
T
关闭
T
HYST
注1 ：经营特点是在标准工作条件，除非另有说明。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
02/02/04
CM3107
演出信息
典型的直流特性（标称条件，除非另有说明）
图1.输出电压与
V
CC
电源（V
DDQ
SEL = 2.5V ）
图3.参考电压与
V
CC
电源（V
DDQ
SEL = 2.5V ）
图2.负载调整率（汇）
图4.负载调整率（资料来源）
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
5
CM3107
2安培源出/吸入总线终端稳压器
对于DDR内存和前端总线的应用
特点
理想的英特尔865前端总线V
TT
和DDR
V
TT
应用
汇和源2安培
过电流保护
过温保护
集成的功率MOSFET
出色的精度（ 0.5 ％负载调整率）
可选输出（ 1.225V / 1.45V或V
DDQ
/2)
8引脚SOIC和PSOP封装
提供无铅版本
产品说明
该CM3107是一个下沉和采购监管specif-
ically专为串并联总线端接
高速芯片组总线和DDR内存
系统。它可以提供和吸收电流高达2.0A与
0.5％的负载调节。在V
TT
输出电压是
用V可选
DDQ
SEL和FSBSEL引脚。该
V
DDQ
SEL引脚控制CM3107无论是在DDR
与V内存模式
TT
=V
DDQ
/ 2，或者在前端总线模式。在
FSB模式， FSBSEL控制是否V
TT
为1.225V或
1.45V 。这允许在两个不同所使用的相同的芯片
英特尔865的主板上同的电路。
该CM3107提供过流和过温
温保护，可保护芯片免受过大
加热，由于高电流和高的温度下进行。一
使用外部晶体管关断能力
降低功耗，提供了一种高
阻抗输出。
该CM3107封装在8引脚SOIC和PSOP
包，并提供可选无铅整饰
ING 。
应用
英特尔845分之865前端总线端接
单，双DDR存储器终端
主动终止巴士
显卡DDR存储器终端
简化的电气原理图
V
CC
V
DDQ
SEL FSBSEL
V
DDQ
50K
温度过高
过电流
参考
产量
SELECT
司机
V
REF
OUT
IN
V
TT
50K
卜FF器
V
SENSE
GND
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
1
CM3107
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
V
DDQ
V
TT
GND
V
SENSE
1
2
3
4
8
7
6
5
顶视图
V
CC
V
DDQ
SEL
V
REF
FSBSEL
V
DDQ
V
TT
GND
V
SENSE
1
2
3
4
8
7
GND
6
5
V
CC
V
DDQ
SEL
V
REF
FSBSEL
8引脚SOIC
注意：该附图是不按比例。
8引脚PSOP
引脚说明
SOIC-8
铅（ S）
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DDQ
V
TT
GND
V
SENSE
FSBSEL
V
REF
V
DDQ
SEL
V
CC
描述
V
DDQ
输出或者1.225V / 1.45V FSB或V
DDQ
/ 2 DDR （见注1 ）
地
反馈电压输入
选择前端总线输出，无论是V
TT
= 1.225V， 1.45V或
1.25V的参考电压输入DDR总线
选择输出，支持FSB和DDR应用
电源内部的控制电路
注1 ：假设V
DDQ
和V
DDQ
SEL是绑在一起的DDR应用。
订购信息
品名信息
标准完成
订购零件
引脚
8
8
包
PSOP-8
SOIC-8
数
1
CM3107-00SB
CM3107-00SN
最热
CM3107-00SB
CM310701S
无铅完成
订购零件
数
1
CM3107-12SH
CM3107-00SM
最热
CM3107-00SH
CM3107-00SM
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
02/02/04
CM3107
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
V
CC
工作电源电压
V
DDQ
输入电压
引脚电压
V
TT
产量
所有其他引脚
静电放电（ HBM）的
存储温度范围
工作温度范围
环境
连接点
功率耗散（见注1 ）
等级
7
7
7
7
±2000
-40到+150
-40至+85
-40到+150
内部限制
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
注1 ：这些设备必须基于在高温下的热电阻降额。封装在一个8引脚设备
SOIC封装引线框架必须被降级
θ
JA
= 151
° C / W
.
θ
JA
的8引脚PSOP是40
° C / W 。
标准工作条件
参数
V
DDQ
V
CC
工作环境温度
CV
OUT
价值
2.5到3.3
2.5到3.3
0至+70
220
±20%
单位
V
V
°C
F
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
3
CM3107
规格（续）
电气运行特性
（见注1 ）
符号
V
IN
参数
输入电压范围
V
DDQ
V
CC
V
CC
静态电流
输出电压
I
VTT
= 0A
I
VTT
= 0A ，V
DDQ
= 2.5V,
V
DDQ
SEL =逻辑"1" = 2.5V
V
DDQ
SEL =逻辑"0" ， FSBSEL =逻辑"0"
V
DDQ
SEL =逻辑"0" ， FSBSEL =逻辑"1"
I
VTT
= 0A ，V
DDQ
= 3.3V,
V
DDQ
SEL =逻辑"0" ， FSBSEL =逻辑"0"
V
DDQ
SEL =逻辑"0" ， FSBSEL =逻辑"1"
V
RLOAD
V
REF
VOS
VTT
Z
REF
Z
VDDQSEL
CL
VTT
V
FSBSEL
负载调整率
输出参考电压
从V输出偏移
REF
V
REF
输出阻抗
V
VDDQSEL
输入阻抗
V
TT
电流限制
输出选择逻辑
（ FSBSEL ）
逻辑电平"1"
逻辑电平"0"
关断温度
热滞
1.5
0.4
150
50
-5μA <我
VREF
＆ LT ; 5μA
0A <我
VTT
< 2.0A或0A <我
VTT
< -2.0A
V
DDQ
SEL = 2.5V ，我
VREF
=0A
1.225
-20
5
100
2.5
1.225
1.200
1.425
条件
民
2.2
2.2
典型值
2.5
2.5
450
1.250
1.225
1.450
1.275
1.250
1.475
最大
V
CC
5.5
单位
V
V
A
V
V
V
V
I
CC
V
TT
1.200
1.425
1.225
1.450
6.25
1.250
1.250
1.475
V
V
mV
1.275
20
V
mV
k
k
A
V
V
°C
°C
T
关闭
T
HYST
注1 ：经营特点是在标准工作条件，除非另有说明。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
02/02/04
CM3107
演出信息
典型的直流特性（标称条件，除非另有说明）
图1.输出电压与
V
CC
电源（V
DDQ
SEL = 2.5V ）
图3.参考电压与
V
CC
电源（V
DDQ
SEL = 2.5V ）
图2.负载调整率（汇）
图4.负载调整率（资料来源）
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
5
QQ：2880707522 复制
