三菱IGBT模块
CM300DX-12A
高功率开关使用
CM300DX-12A
I
C ...................................................................
300A
V
CES ................................................. ...........
600V
± DUAL
Flatbase
类型/绝缘封装/
铜（非电镀）底板
· RoHS指令
指令兼容
应用
通用变频器，伺服驱动器，电源等
外形绘图&电路图
152
137
121.7
110
±0.5
99
94.5
尺寸（mm）
(7.4)
1.2
(13.5)
(4.2)
(13.5)
4 -M6螺母
17
0.8
7
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
＊58.4
(14)
(14)
22
17
17
12
12
6
6
(3.81)
(20.5)
TERMINAL吨= 0.8
47
24
1.15
0.65
φ4.3
39
50
±0.5
57.5
62
1.5
φ2.5
φ2.1
48
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
6.5
(21.14)
0
(7.75)
A
＊95
(102.25)
＊41.66
＊45.48
＊68.34
＊72.14
＊15
＊18.8
4 - φ5.5安装孔
(3)
13
A节
(5.4)
12.5
（旋盖深度）
17
+1
-0.5
*引脚
职位
与宽容
3.5
12.5
E 2 （39） G 2 （38）
Tr2
E2(47)
Di2
E1C2
(24)
0
φ0.5
LABEL
宽容另有规定
维司
0.5
to
to
to
to
to
3
6
30
120
400
公差
±0.2
±0.3
±0.5
±0.8
±1.2
C1(48)
Di1
Tr1
Th
NTC
E1C2
(23)
过度
过度
过度
3
6
30
G1(15)
TH1(1)
TH2(2)
E1(16)
C1(22)
超过120个
电路图
2009年1月
三菱IGBT模块
CM300DX-12A
高功率开关使用
电气特性
逆变部分
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注3 ）
Q
RR （注3 ）
参数
（ TJ = 25
°
C，除非另有规定）
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压余
C
= 30mA时V
CE
= 10V
栅极漏电流
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
C
= 300A ，V
GE
= 15V
I
C
= 300A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 300A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 300A
V
GE
=
±15V,
R
G
= 5.1Ω
感性负载
（注6 ）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
芯片
（注6 ）
(I
E
= 300A)
I
E
= 300A ，V
GE
= 0V
（注6 ）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
芯片
V
EC(Note.3)
发射极 - 集电极电压
R
领导
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
R
GINT
R
G
I
E
= 300A ，V
GE
= 0V
模块引线电阻
主要终端芯片，每个交换机
热阻
每个IGBT
每续流二极管（注1 ）
（结点到外壳）
接触热阻
导热硅脂应用
（案件散热片） （注1 ），每1个模块
内部栅极电阻
T
C
= 25°C
外部栅极电阻
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
—
6
—
1.7
1.9
1.6
—
—
—
800
—
—
—
—
—
9
2.0
1.95
1.9
1.1
—
0.015
0
—
马克斯。
1
7
0.5
2.1
—
—
34
4
1.2
—
200
150
350
600
200
—
2.8
—
—
—
0.13
0.22
—
—
21
单位
mA
V
μA
V
nF
nC
ns
μC
V
mΩ
K / W
（注2 ）
—
—
2.0
Ω
NTC热敏电阻的一部分
符号
R
ΔR/R
B
(25/50)
P
25
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
参数
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100℃ ，R
100
= 493Ω
通过近似公式
T
C
= 25°C
（注7）
分钟。
4.85
–7.3
—
—
范围
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
kΩ
%
K
mW
外壳温度（T
C
） ，散热片温度（T
f
）测量点就是芯片下。 （参考芯片位置的图。）
典型的值是通过使用导热润滑脂测
λ
= 0.9W / （M ·K ） 。
I
E
, I
企业风险管理
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ） 。
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）剂量不得超过TJMAX评级。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
（参考测试电路为Ⅴ的数字
CE （ SAT ）
和V
EC
)
1
7:
B
(25/50)
=在（R
25
)/( 1
)
T
50
R
50
T
25
R
25
：在绝对温度T阻力
25
[K] ;牛逼
25
= 25 ° C] 273.15 = 298.15 [ K]
R
50
：在绝对温度T阻力
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] 273.15 = 323.15 [K]的
2009年1月
3
三菱IGBT模块
CM300DX-12A
高功率开关使用
芯片位置（顶视图）
尺寸（mm） （公差：
±1mm)
(152)
(121.7)
(110)
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
0
18.6
47
迪2 Tr2的
Th
迪1
Tr1
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
24
(62)
(50)
28.2
29.8
23
48
40.9
31.2
39.8
42.3
76.9
0
标签的一面
每个标记点的每个芯片的中心位置。 TR *： IGBT ，迪* ： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
2009年1月
4
QQ：2880707522 复制
