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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第680页 > CM2835GKIM89
CM2835
300毫安CMOS LDO
概述
该CM2835系列是一个正电压线性稳压器
开发利用CMOS技术为特色的低静态
电流（ 30μA典型值） ，低压差，高输出
电压准确度，使它们非常适合电池供电的应用。
EN输入相连的CMOS具有低偏置电流。该
节省空间的SOT -23和SOT- 89封装是有吸引力
“口袋”和“手持式”的应用程序。
这些坚固的设备有两个热关断，并
电流限制，以防止下的“最差”的设备故障
操作条件。
该CM2835是稳定的低ESR输出电容
1.0μF或更大。
特点
非常低的压差电压
低电流消耗：典型值。 30μA ，最大。 35μA
输出电压： 1.8V ， 2.5V ，3.0V和3.3V
高精度输出电压： ±1.5 ％
保证300毫安输出
输入范围可达7.0V
热关断
限流
低ESR电容的稳定性
紧凑的封装形式： SOT -23 ， SOT- 89
出厂预设输出电压
低温COEF网络cient
应用
电池供电设备
个人通信设备
家用电气/电子设备
PC外设
典型应用
CM2835
IN
IN
GND
OUT
OUT
5V
C1
1uF
C2
1.0uF
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
第1页
CM2835
300毫安CMOS LDO
引脚配置
SOT-23
顶视图
SOT-89
顶视图
3
VIN
VOUT
1
2
2
OUT
GND
框图
IN
过电流
关闭
热
关闭
-
+
VREF = 1.176V
AMP
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
1
R1
R2
3
VOUT
GND
GND
VIN
第2页
CM2835
300毫安CMOS LDO
订购信息
产品型号
CM2835DIM23
CM2835DIM89
CM2835KIM23
CM2835KIM89
CM2835PIM23
CM2835PIM89
CM2835SIM23
CM2835SIM89
CM2835GDIM23
CM2835GDIM89
CM2835GKIM23
CM2835GKIM89
CM2835GNIM23
CM2835GNIM89
CM2835GPIM23
CM2835GPIM89
CM2835GSIM23
CM2835GSIM89
输出电压
1.8V
1.8V
2.5V
2.5V
3.0V
3.0V
3.3V
3.3V
1.8V
1.8V
2.5V
2.5V
2.8V
2.8V
3.0V
3.0V
3.3V
3.3V
温度范围
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
包
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
注：对于其他预先设定的输出电压要求，请联系销售冠军的办公室。
绝对最大额定值
输入电压
输出电流
输出电压
…………….……………………………. +7V
…………………….……
P
D
/ (V
IN
- VO）毫安
........................ GND - 0.3V到V
IN
+0.3V
工作额定值
环境温度范围（T
A
） ...... ......在-40℃至+ 85 ℃
结温范围
... .. ... ..... -40 ℃至+ 150 ℃
ESD分类................................................ B
热信息
参数
热阻（ θ
jc
)
热阻（ θ
ja
)
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
最大
170
100
330
300
225
400
150
300
单位
℃/W
℃/W
mW
℃
℃
内部功耗（P
D
)
(ΔT = 100℃)
最高结温
最大焊接温度（10秒）
*带交汇点能够两倍ofΘ
jc
注意：上面压力的上市绝对额定值可能会导致器件的永久性损坏。
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
第3页
CM2835
300毫安CMOS LDO
电气特性
T
A
= + 25 ℃ ;除非另有说明
CM2835
分钟。
注1
I
O
= 1mA至300毫安
I
O
= 300毫安，
V
OUT
=V
O（ NOM ）
-1.5%,
1.2V<V
O（ NOM ）
≤
2.0V
2.0V<V
O（ NOM ）
≤
2.5V
2.5V<V
O（ NOM ）
300
300
450
30
30
-0.1
0.02
0.2
150
30
40
I
O
= 100毫安
C
O
= 2.2μF陶瓷
I
O
= 100毫安
电源抑制
PSRR
C
O
= 2.2μF陶瓷
C
BYP
=0.01μF
输出电压噪声
输出电压噪声
注： 1 。
V
IN（分钟）
= V
OUT
+ V
降
参数
输入电压
输出电压精度
输入输出电压差
输出电流
电流限制
静态电流
接地引脚电流
线路调整
负载调整率
过温关闭
在温度迟滞
V
OUT
温度COEF网络cient
电源抑制
符号
V
IN
V
OUT
V
降
I
O
I
LIM
I
Q
I
GND
REG
LINE
REG
负载
OTS
OTH
TC
测试条件
典型值。
马克斯。
7
1.5
1300
800
300
单位
V
%
mV
mA
mA
-1.5
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
O
= 0毫安
I
O
= 1mA至300毫安
I
OUT
= 5毫安，V
IN
=V
OUT
1到V
OUT
+2
I
O
= 1mA至300毫安
35
50
0.1
1
μA
μA
%
%
℃
℃
PPM / °
dB
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
C
O
=2.2μF
C
O
=100μF
C
O
=2.2μF
C
O
=100μF
60
50
40
75
55
30
30
20
30
20
μVRMS
μVRMS
dB
PSRR
eN
eN
F = 10Hz至100kHz
I
O
= 10毫安，C
BYP
=0μF
F = 10Hz至100kHz
I
O
= 10毫安，C
BYP
=0.01μF
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
第4页
CM2835
300毫安CMOS LDO
详细说明
的CM2835家族的CMOS稳压器包含一个PMOS传输晶体管，基准电压，误差放大器，过电流
保护，热关机。
P沟道传输晶体管接收来自误差放大器，过电流保护和热保护电路。
在正常操作期间，误差放大器比较而输出电压到一个精确的参考。过流和热
关断电路被激活，当结温超过150 ℃ ，或电流超过300毫安。在热
关断时，输出电压保持为低。当结点温度低于120 ℃恢复正常工作。
从电压模式的CM2835切换到当前模式下，当负载超过额定输出电流。这可以防止
过度的应力。
外部电容
该CM2835是稳定的，低ESR输出电容1.0μF或更大的地面。它可以保持稳定甚至更高的ESR
电容器。第二电容建议的输入端和地，以稳定的VIN之间。输入电容应该是
大于0.1μF更大以具有有益效果。所有的电容应放置在靠近管脚。 “安静”地
终止是可取的。
典型特征
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
第5页
CM2835
300毫安CMOS LDO
概述
该CM2835系列是一个正电压线性稳压器
开发利用CMOS技术为特色的低静态
电流（ 30μA典型值） ，低压差，高输出
电压准确度，使它们非常适合电池供电的应用。
EN输入相连的CMOS具有低偏置电流。该
节省空间的SOT -23和SOT- 89封装是有吸引力
“口袋”和“手持式”的应用程序。
这些坚固的设备有两个热关断，并
电流限制，以防止下的“最差”的设备故障
操作条件。
该CM2835是稳定的低ESR输出电容
1.0μF或更大。
特点
非常低的压差电压
低电流消耗：典型值。 30μA ，最大。 35μA
输出电压： 1.8V ， 2.5V ，3.0V和3.3V
高精度输出电压： ±1.5 ％
保证300毫安输出
输入范围可达7.0V
热关断
限流
低ESR电容的稳定性
紧凑的封装形式： SOT -23 ， SOT- 89
出厂预设输出电压
低温COEF网络cient
应用
电池供电设备
个人通信设备
家用电气/电子设备
PC外设
典型应用
CM2835
IN
IN
GND
OUT
OUT
5V
C1
1uF
C2
1.0uF
2006/10/11 Rev1.4
冠军微电子公司
第1页
CM2835
300毫安CMOS LDO
引脚配置
SOT-23
顶视图
SOT-89
顶视图
3
VIN
VOUT
1
2
2
OUT
GND
框图
IN
过电流
关闭
热
关闭
-
+
VREF = 1.176V
AMP
2006/10/11 Rev1.4
冠军微电子公司
1
R1
R2
3
VOUT
GND
GND
VIN
第2页
CM2835
300毫安CMOS LDO
订购信息
产品型号
CM2835DIM23
CM2835DIM89
CM2835KIM23
CM2835KIM89
CM2835PIM23
CM2835PIM89
CM2835SIM23
CM2835SIM89
CM2835GDIM23
CM2835GDIM89
CM2835GKIM23
CM2835GKIM89
CM2835GNIM23
CM2835GNIM89
CM2835GPIM23
CM2835GPIM89
CM2835GSIM23
CM2835GSIM89
输出电压
1.8V
1.8V
2.5V
2.5V
3.0V
3.0V
3.3V
3.3V
1.8V
1.8V
2.5V
2.5V
2.8V
2.8V
3.0V
3.0V
3.3V
3.3V
温度范围
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
包
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
注：对于其他预先设定的输出电压要求，请联系销售冠军的办公室。
绝对最大额定值
输入电压
输出电流
输出电压
…………….……………………………. +7V
…………………….……
P
D
/ (V
IN
- VO）毫安
........................ GND - 0.3V到V
IN
+0.3V
工作额定值
环境温度范围（T
A
） ...... ......在-40℃至+ 85 ℃
结温范围
... .. ... ..... -40 ℃至+ 150 ℃
ESD分类................................................ B
热信息
参数
热阻（ θ
jc
)
热阻（ θ
ja
)
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
最大
170
100
330
300
225
400
150
300
单位
℃/W
℃/W
mW
℃
℃
内部功耗（P
D
)
(ΔT = 100℃)
最高结温
最大焊接温度（10秒）
*带交汇点能够两倍ofΘ
jc
注意：上面压力的上市绝对额定值可能会导致器件的永久性损坏。
2006/10/11 Rev1.4
冠军微电子公司
第3页
CM2835
300毫安CMOS LDO
电气特性
T
A
= + 25 ℃ ;除非另有说明
CM2835
分钟。
注1
I
O
= 1mA至300毫安
I
O
= 300毫安，
V
OUT
=V
O（ NOM ）
-1.5%,
1.2V<V
O（ NOM ）
≤
2.0V
2.0V<V
O（ NOM ）
≤
2.5V
2.5V<V
O（ NOM ）
300
300
450
30
30
-0.1
0.02
0.2
150
30
40
I
O
= 100毫安
C
O
= 2.2μF陶瓷
I
O
= 100毫安
电源抑制
PSRR
C
O
= 2.2μF陶瓷
C
BYP
=0.01μF
输出电压噪声
输出电压噪声
注： 1 。
V
IN（分钟）
= V
OUT
+ V
降
参数
输入电压
输出电压精度
输入输出电压差
输出电流
电流限制
静态电流
接地引脚电流
线路调整
负载调整率
过温关闭
在温度迟滞
V
OUT
温度COEF网络cient
电源抑制
符号
V
IN
V
OUT
V
降
I
O
I
LIM
I
Q
I
GND
REG
LINE
REG
负载
OTS
OTH
TC
测试条件
典型值。
马克斯。
7
1.5
1300
400
300
单位
V
%
mV
mA
mA
-1.5
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
O
= 0毫安
I
O
= 1mA至300毫安
I
OUT
= 5毫安，V
IN
=V
OUT
1到V
OUT
+2
I
O
= 1mA至300毫安
35
50
0.1
1
μA
μA
%
%
℃
℃
PPM / °
dB
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
C
O
=2.2μF
C
O
=100μF
C
O
=2.2μF
C
O
=100μF
60
50
40
75
55
30
30
20
30
20
μVRMS
μVRMS
dB
PSRR
eN
eN
F = 10Hz至100kHz
I
O
= 10毫安，C
BYP
=0μF
F = 10Hz至100kHz
I
O
= 10毫安，C
BYP
=0.01μF
2006/10/11 Rev1.4
冠军微电子公司
第4页
CM2835
300毫安CMOS LDO
详细说明
的CM2835家族的CMOS稳压器包含一个PMOS传输晶体管，基准电压，误差放大器，过电流
保护，热关机。
P沟道传输晶体管接收来自误差放大器，过电流保护和热保护电路。
在正常操作期间，误差放大器比较而输出电压到一个精确的参考。过流和热
关断电路被激活，当结温超过150 ℃ ，或电流超过300毫安。在热
关断时，输出电压保持为低。当结点温度低于120 ℃恢复正常工作。
从电压模式的CM2835切换到当前模式下，当负载超过额定输出电流。这可以防止
过度的应力。
外部电容
该CM2835是稳定的，低ESR输出电容1.0μF或更大的地面。它可以保持稳定甚至更高的ESR
电容器。第二电容建议的输入端和地，以稳定的VIN之间。输入电容应该是
大于0.1μF更大以具有有益效果。所有的电容应放置在靠近管脚。 “安静”地
终止是可取的。
典型特征
2006/10/11 Rev1.4
冠军微电子公司
第5页
CM2835
300毫安CMOS LDO
概述
该CM2835系列是一个正电压线性稳压器
开发利用CMOS技术为特色的低静态
电流（ 30μA典型值） ，低压差，高输出
电压准确度，使它们非常适合电池供电的应用。
EN输入相连的CMOS具有低偏置电流。该
节省空间的SOT -23和SOT- 89封装是有吸引力
“口袋”和“手持式”的应用程序。
这些坚固的设备有两个热关断，并
电流限制，以防止下的“最差”的设备故障
操作条件。
该CM2835是稳定的低ESR输出电容
1.0μF或更大。
特点
非常低的压差电压
低电流消耗：典型值。 30μA ，最大。 35μA
输出电压： 1.8V ， 2.5V ，3.0V和3.3V
高精度输出电压： ±1.5 ％
保证300毫安输出
输入范围可达7.0V
热关断
限流
低ESR电容的稳定性
紧凑的封装形式： SOT -23 ， SOT- 89
出厂预设输出电压
低温COEF网络cient
应用
电池供电设备
个人通信设备
家用电气/电子设备
PC外设
典型应用
CM2835
IN
IN
GND
OUT
OUT
5V
C1
1uF
C2
1.0uF
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
第1页
CM2835
300毫安CMOS LDO
引脚配置
SOT-23
顶视图
SOT-89
顶视图
3
VIN
VOUT
1
2
2
OUT
GND
框图
IN
过电流
关闭
热
关闭
-
+
VREF = 1.176V
AMP
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
1
R1
R2
3
VOUT
GND
GND
VIN
第2页
CM2835
300毫安CMOS LDO
订购信息
产品型号
CM2835DIM23
CM2835DIM89
CM2835KIM23
CM2835KIM89
CM2835PIM23
CM2835PIM89
CM2835SIM23
CM2835SIM89
CM2835GDIM23
CM2835GDIM89
CM2835GKIM23
CM2835GKIM89
CM2835GNIM23
CM2835GNIM89
CM2835GPIM23
CM2835GPIM89
CM2835GSIM23
CM2835GSIM89
输出电压
1.8V
1.8V
2.5V
2.5V
3.0V
3.0V
3.3V
3.3V
1.8V
1.8V
2.5V
2.5V
2.8V
2.8V
3.0V
3.0V
3.3V
3.3V
温度范围
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
-40℃ ~ +85℃
包
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
注：对于其他预先设定的输出电压要求，请联系销售冠军的办公室。
绝对最大额定值
输入电压
输出电流
输出电压
…………….……………………………. +7V
…………………….……
P
D
/ (V
IN
- VO）毫安
........................ GND - 0.3V到V
IN
+0.3V
工作额定值
环境温度范围（T
A
） ...... ......在-40℃至+ 85 ℃
结温范围
... .. ... ..... -40 ℃至+ 150 ℃
ESD分类................................................ B
热信息
参数
热阻（ θ
jc
)
热阻（ θ
ja
)
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
SOT-23
SOT-89
最大
170
100
330
300
225
400
150
300
单位
℃/W
℃/W
mW
℃
℃
内部功耗（P
D
)
(ΔT = 100℃)
最高结温
最大焊接温度（10秒）
*带交汇点能够两倍ofΘ
jc
注意：上面压力的上市绝对额定值可能会导致器件的永久性损坏。
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
第3页
CM2835
300毫安CMOS LDO
电气特性
T
A
= + 25 ℃ ;除非另有说明
CM2835
分钟。
注1
I
O
= 1mA至300毫安
I
O
= 300毫安，
V
OUT
=V
O（ NOM ）
-1.5%,
1.2V<V
O（ NOM ）
≤
2.0V
2.0V<V
O（ NOM ）
≤
2.5V
2.5V<V
O（ NOM ）
300
300
450
30
30
-0.1
0.02
0.2
150
30
40
I
O
= 100毫安
C
O
= 2.2μF陶瓷
I
O
= 100毫安
电源抑制
PSRR
C
O
= 2.2μF陶瓷
C
BYP
=0.01μF
输出电压噪声
输出电压噪声
注： 1 。
V
IN（分钟）
= V
OUT
+ V
降
参数
输入电压
输出电压精度
输入输出电压差
输出电流
电流限制
静态电流
接地引脚电流
线路调整
负载调整率
过温关闭
在温度迟滞
V
OUT
温度COEF网络cient
电源抑制
符号
V
IN
V
OUT
V
降
I
O
I
LIM
I
Q
I
GND
REG
LINE
REG
负载
OTS
OTH
TC
测试条件
典型值。
马克斯。
7
1.5
1300
800
300
单位
V
%
mV
mA
mA
-1.5
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
O
= 0毫安
I
O
= 1mA至300毫安
I
OUT
= 5毫安，V
IN
=V
OUT
1到V
OUT
+2
I
O
= 1mA至300毫安
35
50
0.1
1
μA
μA
%
%
℃
℃
PPM / °
dB
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
C
O
=2.2μF
C
O
=100μF
C
O
=2.2μF
C
O
=100μF
60
50
40
75
55
30
30
20
30
20
μVRMS
μVRMS
dB
PSRR
eN
eN
F = 10Hz至100kHz
I
O
= 10毫安，C
BYP
=0μF
F = 10Hz至100kHz
I
O
= 10毫安，C
BYP
=0.01μF
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
第4页
CM2835
300毫安CMOS LDO
详细说明
的CM2835家族的CMOS稳压器包含一个PMOS传输晶体管，基准电压，误差放大器，过电流
保护，热关机。
P沟道传输晶体管接收来自误差放大器，过电流保护和热保护电路。
在正常操作期间，误差放大器比较而输出电压到一个精确的参考。过流和热
关断电路被激活，当结温超过150 ℃ ，或电流超过300毫安。在热
关断时，输出电压保持为低。当结点温度低于120 ℃恢复正常工作。
从电压模式的CM2835切换到当前模式下，当负载超过额定输出电流。这可以防止
过度的应力。
外部电容
该CM2835是稳定的，低ESR输出电容1.0μF或更大的地面。它可以保持稳定甚至更高的ESR
电容器。第二电容建议的输入端和地，以稳定的VIN之间。输入电容应该是
大于0.1μF更大以具有有益效果。所有的电容应放置在靠近管脚。 “安静”地
终止是可取的。
典型特征
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第5页
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