三菱IGBT模块
CM200RL-24NF
高功率开关使用
CM200RL-24NF
I
C ...................................................................
200A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
7-elements
一包
应用
交流传动变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
135
(6.05)
17.5
10.5
26
10.5
110
±0.5
26
10.5
(6.05)
11.7
(13)
18
18.7
B
1
8
10.5
A
N
20
48.75
10.5
1
1
1
P
13.75
4-φ5.5
安装孔
30.5
46.3
25
25
(13)
11
6 - M5螺母
(6.05)
WP
VP
UP
16.5
20
B
10.5
CN
78
±0.5
110
A和B的房屋类型
（ J.S.T.Mfg.Co.Ltd ）
A = B8P - VH -FB -B ， B = B2P - VH -FB -B
（旋盖深度）
LABEL
4
24.1
–0.5
26.5
13
+1
(6.05)
U
V
W
P
UP-1
UP-2
B
CN-7
CN-8
N
CN-5
CN-6
U
CN-3
CN-4
VP-1
VP-2
V
WP-1
WP-2
W
CN-1
CN-2
电路图
二月
2009
1
三菱IGBT模块
CM200RL-24NF
高功率开关使用
电气特性
（ TJ = 25
°
C，除非另有规定）
逆变部分
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
接触热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 200A
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6Ω ，感性负载
I
E
= 200A
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（ 1/6模块）
*1
FWDI部分（ 1/6模块）
*1
案件散热片，热复合应用（ 1/6模块）
*2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.6
范围
典型值。
—
7
—
2.1
2.4
—
—
—
1000
—
—
—
—
—
9
—
—
—
0.051
—
马克斯。
1
8
0.5
3.1
—
35
3
0.68
—
130
70
400
350
150
—
3.8
0.11
0.17
—
21
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
K / W
K / W
K / W
制动部件
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
V
FM
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
正向电压降
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
I
F
= 100A
IGBT的一部分
*1
钳位二极管的部分
*1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.1
范围
典型值。
—
7
—
2.1
2.4
—
—
—
500
—
—
—
—
马克斯。
1
8
0.5
3.0
—
17.5
1.5
0.34
—
3.8
0.20
0.28
31
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
V
K / W
K / W
*
1：外壳温度（ Tc）的测量点仅仅是芯片之下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
*
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
二月
2009
3
三菱IGBT模块
CM200RL-24NF
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
（典型值）
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
400
350
300
250
200
V
GE
=
20V
4
15
13
T
j
= 25°C
12
V
GE
= 15V
3
2
11
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
9
10
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
续流二极管
正向特性
（典型值）
10
3
发射极电流I
E
(A)
7
5
3
2
10
T
j
= 25°C
8
6
10
2
7
5
3
2
4
I
C
= 400A
I
C
= 200A
I
C
= 80A
0
6
8
10
12
14
16
18
20
2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
1
2
3
4
5
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容-V
CE
特征
（典型值）
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
7
5
3
2
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
C
IES
切换时间（纳秒）
7
5
3
2
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
条件：
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
C
OES
10
0
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
C
水库
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0 1
10
集电极电流I
C
(A)
二月
2009
4
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