CM200EXS-34SA
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
IGBT斩波
NX系列模块
200安培/ 1700伏
A
D
E
K
F
G
6
J
5
H
4
J
3
S
T
U
M
7
2
L
N
8
AL （4处）
AK （4处）
1
P B
Q
R
详细信息"A"
详细信息"B"
Y
V W X
C
宽容另有说明（毫米）
尺寸公差科
0.5-3
±0.2
过度
3至6
±0.3
过度
630个
±0.5
在30至120
±0.8
在120 400
±1.2
尺寸之间的公差
终端被假设为± 0.4
AC
AD
TH1
(6)
Th
N
T
C
TH2
(5)
居（4） G（ 3）
Tr
C(2)
A(1)
Di
AB
AA
AE
AG
AF
E(7)
K(8)
Z
AH AJ
描述：
POWEREX IGBT模块是
在开关设计用于
应用程序。每个模块
由一个IGBT的晶体管
和一个超快速恢复二极管。
所有组件和互连
从散热隔离
底板，提供简化的
系统组装和热
管理。
产品特点：
低驱动电源
低V
CE （ SAT ）
离散超快速
恢复钳位二极管
符合RoHS
孤立的铜基板
为了便于散热
应用范围：
DC / DC转换器
直流电机控制
制动电路
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
下面-i.e.表
CM200EXS - 34SA是1700V
(V
CES
） ， 200安培斩波
IGBT功率模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
200
V
CES
伏（ ×50 ）
34
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
英寸
4.09
2.44
0.47
3.5
2.44
0.53
0.69
0.75
0.14
0.16
1.97
0.55
0.87
2.26
1.83
2.9
0.8
0.67
MILLIMETERS
104.0
62.0
11.9
89.0
62.0
13.5
17.66
19.05
3.8
4.2
50.0
14.0
22.0
57.5
46.5
73.71
20.5
17.0
尺寸
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
AC
AD
AE
AF
AG
AH
AJ
AK
AL
英寸
0.27
0.67
0.64
0.51
0.17
0.49
0.12
0.17直径。
0.102直径。
0.088直径。
0.15
0.045
0.025
0.05
0.29
0.21直径。
M5
MILLIMETERS
7.0
17.0
16.4
13.1
4.4
12.5
3.0
4.3直径。
2.6直径。
2.25直径。
3.81
1.15
0.65
1.2
7.4
5.5直径。
M5
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1
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IGBT斩波NX系列模块
200安培/ 1700伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0V)
栅极 - 发射极电压（V
CE
= 0V)
集电极电流（ DC ，T
C
= 125°C)
*2
集电极电流（脉冲，重复）
*3
总功率耗散（T
C
= 25°C)
*2,*4
重复峰值反向电压（钳位二极管部分，V
GE
= 0V)
正向电流（钳位二极管部分，T
C
= 25°C)
*2,*4
正向电流（钳位二极管部分，脉冲，重复）
*3
最高结温
工作结温
储存温度
外壳温度
隔离电压（码头至底座中，f = 60Hz的， AC 1分钟）
* 1代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极的钳位二极管。
* 2外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
* 3脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度（T
j
)
不超过
J（下最大）
投资评级。
* 4结温（T
j
）不应该增加超过最大结
温度（T
J（下最大）
）的评级。
51.4
42.3
29.8
16.6
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CRM
P
合计
V
RRM
I
F
*1
I
FRM
*1
T
J（下最大）
T
J（下操作）
T
英镑
T
C
V
ISO
等级
1700
±20
200
400
2000
1700
200
400
+175
-40到+150
-40到+125
-40到+125
4000
单位
伏
伏
安培
安培
瓦
伏
安培
安培
°C
°C
°C
°C
伏
0
Th
Tr
Tr
狄笛
0
标签的一面
每个标记点到每个芯片的中心位置。
TR ： IGBT
迪：钳位二极管
日： NTC热敏电阻
2
36.0 35.9
39.9
30.1
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IGBT斩波NX系列模块
200安培/ 1700伏
电气特性，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
（片）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
反向重复峰值电流
正向电压降
钳迪部分
正向电压降
钳迪部分
反向恢复时间
反向恢复电荷
开启每个脉冲的能量转换
关断每个脉冲的能量转换
每个脉冲反向恢复能量
内部引线电阻
内部栅极电阻
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
RRM
V
F
*1
（终奌站）
V
F
*1
（片）
t
rr
*1
Q
rr
*1
E
on
E
关闭
E
rr
*1
R
CC' + EE '
r
g
V
CC
= 1000V ，我
C
= 200A,
V
GE
=
±15V,
R
G
= 1.3,
感性负载
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
*6
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
*6
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 150°C
*6
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
*6
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
*6
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 150°C
*6
V
CC
= 1000V ，我
F
= 200A ，V
GE
=
±15V
R
G
= 1.3Ω ，感性负载，钳迪部分
V
CC
= 1000V ，我
C
= I
F
= 200A,
V
GE
=
±15V,
R
G
= 1.3, T
j
= 150°C,
感性负载，钳迪部分
主要终端芯片，
每个开关，T
C
= 25°C
*2
每个交换机
36.0 35.9
39.9
30.1
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*6
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*6
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
*6
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*6
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*6
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
*6
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
V
CC
= 1000V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
分钟。
—
—
5.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
6
2.20
2.40
2.45
2.10
2.30
2.35
—
—
—
1100
—
—
—
—
—
4.10
2.70
2.60
4.0
2.60
2.50
—
21.3
46.0
52.0
42.0
—
2.5
马克斯。
1
0.5
6.6
2.7
—
—
2.6
—
—
35
1.5
0.35
—
400
100
700
600
1
5.3
—
—
5.2
—
—
300
—
—
—
—
2.0
—
单位
mA
A
伏
伏
伏
伏
伏
伏
伏
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
mA
伏
伏
伏
伏
伏
伏
ns
C
mJ
mJ
mJ
m
* 1代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极的钳位二极管。
* 2外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
* 5脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
51.4
42.3
29.8
16.6
0
Th
Tr
Tr
狄笛
0
标签的一面
每个标记点到每个芯片的中心位置。
TR ： IGBT
迪：钳位二极管
日： NTC热敏电阻
07/12第0版
3
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IGBT斩波NX系列模块
200安培/ 1700伏
电气特性，
T
j
= 25°C除非另有说明（续）
NTC热敏电阻的一部分
特征
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
符号
R
25
R/R
B
(25/50)
P
25
测试条件
T
C
= 25°C
*2
T
C
= 100℃ ，R
100
= 493
通过近似公式
*8
T
C
= 25°C
*2
分钟。
4.85
-7.3
—
—
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
k
%
K
mW
热阻特性
热阻，结到外壳
*2
热阻，结到外壳
*2
接触热阻，
案件散热器
*2
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
TH（ C-F ）
每个IGBT
每钳位二极管
导热硅脂应用
（每1模块）
*7
—
—
—
—
—
25
0.075
0.12
—
K / W
K / W
K /千瓦
机械特性
安装力矩
爬电距离
净空
重量
底板的平整度
M
t
M
s
d
s
d
a
m
e
c
在中线X，Y
*5
主端子， M5螺丝
安装到散热器， M5螺丝
终端到终端
终端底座
终端到终端
终端底座
22
22
20
17
12
10
—
-100
27
27
—
—
—
—
210
—
31
31
—
—
—
—
—
+100
在磅
在磅
mm
mm
mm
mm
克
m
推荐工作Conditons ，
T
a
= 25°C
（DC ）电源电压
门极驱动电压
外部栅极电阻
V
CC
V
GE （上）
R
G
36.0 35.9
39.9
在C1 -E2应用
在整个G1 -ES1 / G2 -ES2适用
—
13.5
1.3
1000
15.0
—
1200
16.5
35
伏
伏
* 2外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
* 5底板（安装侧）的平坦度的测量点（x，y ）示于下图。
* 7典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米
K)].
R
25
1
1
*8 B
(25/50)
=在（
)/(
–
)
R
50
T
25
T
50
R
25
;阻力位在绝对温T
25
[K] ;牛逼
25
= 25 [℃] + 273.15 = 298.15 [K]的
R
50
;阻力位在绝对温T
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] + 273.15 = 323.15 [K]的
51.4
42.3
29.8
16.6
0
30.1
Th
Tr
Tr
狄笛
- ：凹
+ ：凸
0
Y
X
MOUNTING
SIDE
标签的一面
每个标记点到每个芯片的中心位置。
TR ： IGBT
迪：钳位二极管
日： NTC热敏电阻
安装方
- ：凹
安装方
+ ：凸
4
07/12第0版
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
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IGBT斩波NX系列模块
200安培/ 1700伏
输出特性
（ CHIP - 典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（ CHIP - 典型值）
400
集电极电流，I
C
（安培）
15
300
11
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
T
j
= 25°C
4.5
V
GE
= 20V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
200
10
100
9
8
0
0
2
4
6
8
10
100
200
300
400
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（ CHIP - 典型值）
续流二极管
正向特性
（ CHIP - 典型值）
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
10
3
T
j
= 25°C
发射极电流，I
E
（安培）
8
6
4
2
0
I
C
= 400A
I
C
= 200A
I
C
= 120A
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
10
2
6
8
10
12
14
16
18
20
10
1
0
1
2
3
4
5
6
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
07/12第0版
5
QQ：2881677436 复制
