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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1125页 > CM200DY-24A
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
CM200DY-24A
I
C ...................................................................
200A
V
CES ................................................. ........
1200V
(绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
交流传动变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
94
17
23
23
17
C2E1
E2
C1
E2 G2
4
G1 E1
12
2 - φ6.5安装孔
12
80
±0.25
12
4
3 - M5螺母
20
(14)
48
13
18
4
TAB # 110 。 T = 0.5
16
7
16
7
16
7.5
E2 G2
C2E1
E2
C1
G1 E1
29
+0.1
–0.5
LABEL
21.2
电路图
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
( TJ = 25
°
C)
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注1 )
I
EM (注1 )
P
C(注3 )
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
条件
G- ê短
C- ê短
DC ,T
C
= 84°C
*1
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
*1
(注2 )
(注2 )
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
主航站楼到基板上, AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M6
典型的价值
评级
1200
±20
200
400
200
400
1340
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
g
电气特性
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
RR (注1 )
Q
RR (注1 )
V
EC (注1 )
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
R
R
TH( C-F )
R
G
参数
( TJ = 25
°
C)
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时, V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.6Ω ,电感性负载切换操作
I
E
= 200A
I
E
= 200A ,V
GE
= 0V
IGBT的一部分(1/2模块)
*1
FWDI部分(1/2模块)
*1
案例鳍,热复合应用(1/2模块)
*1,*2
收藏家Cuto FF电流
门极 - 发射极阈值
电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和
电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
接触热阻
外部栅极电阻
分钟。
6
1.6
范围
典型值。
7
2.1
2.4
1000
9.0
0.022
马克斯。
1
8
0.5
3.0
35
3
0.68
130
100
450
350
150
3.8
0.093
0.17
21
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
° C / W
*
1 :TC ,铁蛋白测定点就是芯片下。
*
2 :典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI )的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 (T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温(T
j
)不应增加超过150℃。
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
(典型值)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
400
350
300
250
200
V
GE
=
20V
4
15
13
T
j
= 25°C
12
V
GE
= 15V
3
2
11
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
9
10
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
续流二极管
正向特性
(典型值)
10
3
7
10
T
j
= 25°C
发射极电流I
E
(A)
8
5
3
2
6
I
C
= 400A
I
C
= 200A
2
I
C
= 80A
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10
2
7
5
3
2
4
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
1
2
3
4
5
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容-V
CE
特征
(典型值)
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
7
5
3
2
半桥
开关特性
(典型值)
10
3
C
IES
切换时间(纳秒)
7
t
D(关闭)
5
t
f
3
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
2
t
D(上)
t
r
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
C
OES
10
0
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
C
水库
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0 1
10
集电极电流I
C
(A)
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复电流升
rr
(A)
7
5
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日( J- C' )
(比)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
3
10
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分& FWDI部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
单脉冲
7
5
T
C’
= 25°C
3
根据芯片
2
I
rr
t
rr
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 25°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
IGBT部分:
10
–2
每单位基础=
7
5
R
日(J -C )
= 0.093 ° C / W
FWDI部分:
3
每单位基础=
2
R
日(J -C )
= 0.17 ° C / W
10
–3
10
–2
7
5
3
2
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
发射极电流I
E
(A)
时间(s)
开关损耗与
集电极电流
(典型值)
10
2
7
开关损耗与
栅极电阻
(典型值)
10
2
7
开关损耗(兆焦耳/脉冲)
开关损耗(兆焦耳/脉冲)
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
5
3
2
ESW (上)
ESW (OFF )
ESW (OFF )
10
1
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
ESW (上)
10
0 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
0 0
10
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
I
C
= 200A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
集电极电流I
C
(A)
门阻抗R
G
()
恢复损耗与我
E
(典型值)
10
2
7
恢复损耗对比
栅极电阻
(典型值)
10
2
7
恢复损耗(兆焦耳/脉冲)
恢复损耗(兆焦耳/脉冲)
5
3
2
10
1
7
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
5
3
2
ERR
10
1
7
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
I
E
= 200A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
ERR
10
0 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
0 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
发射极电流I
E
(A)
门阻抗R
G
()
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
栅极电荷
特征
(典型值)
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 200A
V
CC
= 400V
16
V
CC
= 600V
12
8
4
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
栅极电荷q
G
( NC )
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
CM200DY-24A
I
C ...................................................................
200A
V
CES ................................................. ........
1200V
(绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
交流传动变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
94
17
23
23
17
C2E1
E2
C1
E2 G2
4
G1 E1
12
2 - φ6.5安装孔
12
80
±0.25
12
4
3 - M5螺母
20
(14)
48
13
18
4
TAB # 110 。 T = 0.5
16
7
16
7
16
7.5
E2 G2
C2E1
E2
C1
G1 E1
29
+0.1
–0.5
LABEL
21.2
电路图
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
( TJ = 25
°
C)
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注1 )
I
EM (注1 )
P
C(注3 )
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
条件
G- ê短
C- ê短
DC ,T
C
= 84°C
*1
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
*1
(注2 )
(注2 )
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
主航站楼到基板上, AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M6
典型的价值
评级
1200
±20
200
400
200
400
1340
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
g
电气特性
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
RR (注1 )
Q
RR (注1 )
V
EC (注1 )
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
R
R
TH( C-F )
R
G
参数
( TJ = 25
°
C)
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时, V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.6Ω ,电感性负载切换操作
I
E
= 200A
I
E
= 200A ,V
GE
= 0V
IGBT的一部分(1/2模块)
*1
FWDI部分(1/2模块)
*1
案例鳍,热复合应用(1/2模块)
*1,*2
收藏家Cuto FF电流
门极 - 发射极阈值
电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和
电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
接触热阻
外部栅极电阻
分钟。
6
1.6
范围
典型值。
7
2.1
2.4
1000
9.0
0.022
马克斯。
1
8
0.5
3.0
35
3
0.68
130
100
450
350
150
3.8
0.093
0.17
21
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
° C / W
*
1 :TC ,铁蛋白测定点就是芯片下。
*
2 :典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI )的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 (T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温(T
j
)不应增加超过150℃。
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
(典型值)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
400
350
300
250
200
V
GE
=
20V
4
15
13
T
j
= 25°C
12
V
GE
= 15V
3
2
11
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
9
10
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
续流二极管
正向特性
(典型值)
10
3
7
10
T
j
= 25°C
发射极电流I
E
(A)
8
5
3
2
6
I
C
= 400A
I
C
= 200A
2
I
C
= 80A
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10
2
7
5
3
2
4
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
1
2
3
4
5
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容-V
CE
特征
(典型值)
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
7
5
3
2
半桥
开关特性
(典型值)
10
3
C
IES
切换时间(纳秒)
7
t
D(关闭)
5
t
f
3
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
2
t
D(上)
t
r
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
C
OES
10
0
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
C
水库
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0 1
10
集电极电流I
C
(A)
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复电流升
rr
(A)
7
5
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日( J- C' )
(比)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
3
10
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分& FWDI部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
单脉冲
7
5
T
C’
= 25°C
3
根据芯片
2
I
rr
t
rr
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 25°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
IGBT部分:
10
–2
每单位基础=
7
5
R
日(J -C )
= 0.093 ° C / W
FWDI部分:
3
每单位基础=
2
R
日(J -C )
= 0.17 ° C / W
10
–3
10
–2
7
5
3
2
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
发射极电流I
E
(A)
时间(s)
开关损耗与
集电极电流
(典型值)
10
2
7
开关损耗与
栅极电阻
(典型值)
10
2
7
开关损耗(兆焦耳/脉冲)
开关损耗(兆焦耳/脉冲)
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
5
3
2
ESW (上)
ESW (OFF )
ESW (OFF )
10
1
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
ESW (上)
10
0 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
0 0
10
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
I
C
= 200A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
集电极电流I
C
(A)
门阻抗R
G
()
恢复损耗与我
E
(典型值)
10
2
7
恢复损耗对比
栅极电阻
(典型值)
10
2
7
恢复损耗(兆焦耳/脉冲)
恢复损耗(兆焦耳/脉冲)
5
3
2
10
1
7
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
5
3
2
ERR
10
1
7
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
I
E
= 200A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
ERR
10
0 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
0 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
发射极电流I
E
(A)
门阻抗R
G
()
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
栅极电荷
特征
(典型值)
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 200A
V
CC
= 400V
16
V
CC
= 600V
12
8
4
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
栅极电荷q
G
( NC )
2004年3月
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
CM200DY-24A
I
C ...................................................................
200A
V
CES ................................................. ........
1200V
(绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
交流传动变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
94
17
23
23
17
C2E1
E2
C1
E2 G2
4
G1 E1
4
12
2 - φ6.5安装孔
12
80
±0.25
12
3 - M5螺母
12.5
(旋盖深度)
20
(14)
48
13
18
4
TAB # 110 。 T = 0.5
16
7
16
7
16
7.5
E2 G2
C2E1
E2
C1
G1 E1
29
+1.0
–0.5
LABEL
21.2
电路图
2009年2月
1
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
( TJ = 25
°
C,除非另有规定)
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注1 )
I
EM (注1 )
P
C(注3 )
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
条件
G- ê短
C- ê短
DC ,T
C
= 84°C
*1
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
*1
(注2 )
(注2 )
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
终端底板, F = 60Hz的, AC 1分钟
主端子M5螺丝
M6安装螺钉
典型的价值
评级
1200
±20
200
400
200
400
1340
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
g
电气特性
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
RR (注1 )
Q
RR (注1 )
V
EC (注1 )
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
R
R
TH( C-F )
R
G
参数
( TJ = 25
°
C,除非另有规定)
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时, V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6Ω ,感性负载
I
E
= 200A
I
E
= 200A ,V
GE
= 0V
IGBT的一部分(1/2模块)
*1
FWDI部分(1/2模块)
*1
案件散热片,热复合应用(1/2模块)
*1,*2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
收藏家Cuto FF电流
门极 - 发射极阈值
电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和
电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
接触热阻
外部栅极电阻
分钟。
6
1.6
范围
典型值。
7
2.1
2.4
1000
9.0
0.022
马克斯。
1
8
0.5
3.0
35
3
0.68
130
100
450
350
150
3.8
0.093
0.17
21
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
K / W
*
1 :外壳温度(T
C
) ,散热片温度(T
f
)测量点就是芯片下。
*
2 :典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / (米 K) ] 。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI )的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温(T
j
)不应增加超过150℃。
2009年2月
2
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
(典型值)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
400
350
300
250
200
V
GE
=
20V
4
15
13
T
j
= 25°C
12
V
GE
= 15V
3
2
11
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
9
10
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
续流二极管
正向特性
(典型值)
10
3
7
10
T
j
= 25°C
发射极电流I
E
(A)
8
5
3
2
6
I
C
= 400A
I
C
= 200A
2
I
C
= 80A
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10
2
7
5
3
2
4
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
1
2
3
4
5
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容-V
CE
特征
(典型值)
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
7
5
3
2
半桥
开关特性
(典型值)
10
3
C
IES
切换时间(纳秒)
7
t
D(关闭)
5
t
f
3
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
2
t
D(上)
t
r
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
C
OES
10
0
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
C
水库
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0 1
10
集电极电流I
C
(A)
2009年2月
3
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复电流升
rr
(A)
7
5
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日( J- C' )
(比)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
3
10
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分& FWDI部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
单脉冲
7
5
T
C
= 25°C
3
根据芯片
2
I
rr
t
rr
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 25°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
IGBT部分:
10
–2
每单位基础=
7
5
R
日(J -C )
= 0.093K / W
FWDI部分:
3
每单位基础=
2
R
日(J -C )
= 0.17K / W
10
–3
10
–2
7
5
3
2
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
发射极电流I
E
(A)
时间(s)
开关损耗与
集电极电流
(典型值)
10
2
7
开关损耗与
栅极电阻
(典型值)
10
2
7
开关损耗(兆焦耳/脉冲)
开关损耗(兆焦耳/脉冲)
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
5
3
2
ESW (上)
ESW (OFF )
ESW (OFF )
10
1
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
ESW (上)
10
0 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
0 0
10
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
I
C
= 200A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
集电极电流I
C
(A)
门阻抗R
G
()
恢复损耗与我
E
(典型值)
10
2
7
恢复损耗对比
栅极电阻
(典型值)
10
2
7
恢复损耗(兆焦耳/脉冲)
恢复损耗(兆焦耳/脉冲)
5
3
2
10
1
7
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
5
3
2
ERR
10
1
7
5
3
2
条件:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
I
E
= 200A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
ERR
10
0 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
0 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
发射极电流I
E
(A)
门阻抗R
G
()
2009年2月
4
三菱IGBT模块
CM200DY-24A
高功率开关使用
栅极电荷
特征
(典型值)
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 200A
V
CC
= 400V
16
V
CC
= 600V
12
8
4
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
栅极电荷q
G
( NC )
2009年2月
5
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9999
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联系人:何小姐
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21+
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