CM200DX-24S
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
双IGBT
NX系列模块
200安培/ 1200伏
J
L
Q
ST
R
S T
Q
U
48
A
D
E
F
G
H
AR
AS
AN
J
AQ
详细信息"A"
Y
（4处）
AP
S
AE
AF
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
K
U
47
24
Z
23
AA B
AB
详细信息"B"
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
AG
AY
AC （4处）
AL
AM
C
AW
AJ
AH
AT
AU
W
V
X
M
AD
K
N
K
P
AV
AK
详细信息"A"
C2E1 （ 24 ） C2E1 （ 23 ）
Cs1(22)
Tr2
G2(38)
Es2(39)
E2
(47)
C1
(48)
Di2
Di1
Tr1
Es1(16)
G1(15)
TH1
(1)
Th
NTC
TH2
(2)
宽容另有说明（毫米）
尺寸公差科
0.5-3
±0.2
过度
3至6
±0.3
过度
630个
±0.5
在30至120
±0.8
在120 400
±1.2
尺寸之间的公差
终端被假设为± 0.4
AX
详细信息"B"
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
05/13修订版5
描述：
POWEREX IGBT模块是
在开关设计用于
应用程序。每个模块
由两个IGBT晶体管
在同一个半桥式配置
具有反接每个晶体管
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连从隔离
该散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
低驱动电源
低V
CE （ SAT ）
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
交流电动机的控制
运动/伺服控制
太阳能/燃料电池
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
下面-i.e.表
CM200DX - 24S是1200V （V
CES
),
200安培双IGBT功率
模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
200
V
CES
伏（ ×50 ）
24
英寸
5.98
2.44
0.67+0.04/-0.02
5.39
4.79
4.33±0.02
3.89
3.72
0.53
0.15
1.64
0.30
1.95
0.9
0.55
0.87
0.67
0.48
0.24
0.16
0.37
0.83
M6
1.53
MILLIMETERS
152.0
62.0
17.0+1.0/-0.5
137.0
121.7
110.0±0.5
99.0
94.5
13.5
3.81
41.66
7.75
49.53
22.86
14.0
22.0
17.0
12.0
6.0
4.2
6.5
21.14
M6
39.0
尺寸
AA
AB
AC
AD
AE
AF
AG
AH
AJ
AK
AL
AM
AN
AP
AQ
AR
AS
AT
AU
AV
AW
AX
AY
英寸
1.97±0.02
2.26
0.22直径。
0.6
0.51
0.27
0.03
0.81
0.12
0.14
0.26
0.53
0.15
0.05
0.025
0.29
0.05
0.17直径。
0.102直径。
0.088直径。
0.12
0.49
0.14
MILLIMETERS
50.0±0.5
57.5
5.5直径。
15.0
13.0
7.0
0.8
20.5
3.0
3.5
6.5
13.5
3.81
1.15
0.65
7.4
1.2
4.3直径。
2.6直径。
2.25直径。
3.0
12.5
3.75
1
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
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CM200DX-24S
双IGBT NX系列模块
200安培/ 1200伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
逆变部分的IGBT / FWDI
特征
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0V)
栅极 - 发射极电压（V
CE
= 0V)
集电极电流（ DC ，T
C
= 119°C)
*2,*4
集电极电流（脉冲）
*3
总功率耗散（T
C
= 25°C)
*2,*4
发射极电流（T
C
= 25°C)
*2
发射极电流（脉冲）
*3
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CRM
P
合计
I
E
*1
I
企业风险管理
*1
等级
1200
±20
200
400
1500
200
400
单位
伏
伏
安培
安培
瓦
安培
安培
模块
特征
隔离电压（码头至底座， RMS中，f = 60Hz的， AC 1分钟）
最高结温，瞬时事件（过载）
最大外壳温度
*4
工作结点温度，连续运转（交换）
储存温度
* 1代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流
二极管（ FWDI ） 。
* 2结温（T
j
）不应该增加超过最大结
温度（T
J（下最大）
）的评级。
* 3脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度（T
j
)
不超过
J（下最大）
投资评级。
* 4外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
符号
V
ISO
T
J（下最大）
T
C（最大值）
T
J（下操作）
T
英镑
等级
2500
175
125
-40到+150
-40到+125
0
单位
伏
°C
°C
°C
°C
47
24
29.1
38.1
Di2
48
Tr2
Th
Di1
Tr1
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
23
28.2
41.7
1
2
3
4
5
6
7
标签的一面
0
27.9
41.4
37.4
78.4
TR1 / Tr2的： IGBT ， Di1中/ DI2： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
每个标记点到每个芯片的中心位置。
2
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CM200DX-24S
双IGBT NX系列模块
200安培/ 1200伏
电气特性，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
逆变部分的IGBT / FWDI
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
（片）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
发射极 - 集电极电压
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
EC
*1
（终奌站）
发射极 - 集电极电压
V
EC
*1
（片）
反向恢复时间
反向恢复电荷
开启每个脉冲的能量转换
关断每个脉冲的能量转换
每个脉冲反向恢复能量
内部引线电阻
内部栅极电阻
t
rr
*1
Q
rr
*1
E
on
E
关闭
E
rr
*1
R
CC' + EE '
r
g
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
*5
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
*5
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 150°C
*5
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
*5
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
*5
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 150°C
*5
V
CC
= 600V ，我
E
= 200A ，V
GE
=
±15V
R
G
= 0Ω ，感性负载
V
CC
= 600V ，我
C
= I
E
= 200A ，V
GE
=
±15V
R
G
= 0, T
j
= 150°C
感性负载
主要终端芯片，
每个开关，T
C
= 25°C
*4
每个交换机
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*5
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*5
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
*5
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*5
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*5
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
*5
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 200A ，V
GE
=
±15V,
R
G
= 0Ω ，感性负载
分钟。
—
—
5.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
6.0
1.80
2.00
2.05
1.70
1.90
1.95
—
—
—
466
—
—
—
—
1.80
1.80
1.80
1.70
1.70
1.70
—
10.7
30.7
21.5
14.2
—
9.8
马克斯。
1.0
0.5
6.6
2.25
—
—
2.15
—
—
20
4.0
0.33
—
800
200
600
300
2.25
—
—
2.15
—
—
300
—
—
—
—
1.1
—
0
单位
mA
A
伏
伏
伏
伏
伏
伏
伏
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
伏
伏
伏
伏
伏
伏
ns
C
mJ
mJ
mJ
m
* 1代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流
二极管（ FWDI ） 。
* 4外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
* 5脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
47
24
29.1
38.1
Di2
48
Tr2
Th
Di1
Tr1
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
23
28.2
41.7
1
2
3
4
5
6
7
标签的一面
0
27.9
41.4
37.4
78.4
TR1 / Tr2的： IGBT ， Di1中/ DI2： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
每个标记点到每个芯片的中心位置。
05/13修订版5
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双IGBT NX系列模块
200安培/ 1200伏
电气特性，
T
j
= 25°C除非另有说明（续）
NTC热敏电阻的一部分
特征
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
符号
R
25
R/R
B
(25/50)
P
25
测试条件
T
C
= 25°C
*4
T
C
= 100°C
*4
, R
100
= 493
通过近似公式
*6
T
C
= 25°C
*4
分钟。
4.85
-7.3
—
—
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
k
%
K
mW
热阻特性
热阻，结到外壳
*4
热阻，结到外壳
*4
接触热阻，
案件散热器
*4
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
TH（ C-F ）
每个逆变器的IGBT
每个逆变器FWDI
导热硅脂的应用，
每1模块
*7
—
—
—
—
—
15
0.10
0.19
—
K / W
K / W
K /千瓦
机械特性
安装力矩
安装力矩
爬电距离
净空
重量
底板的平整度
M
t
M
s
d
s
d
a
m
e
c
在中线X，Y
*8
主端子，螺钉M6
安装到散热器， M5螺丝
终端到终端
终端底座
终端到终端
终端底座
31
22
11.55
12.32
10.00
10.85
—
±0
35
27
—
—
—
—
350
—
40
31
—
—
—
—
—
±100
在磅
在磅
mm
mm
mm
mm
克
m
推荐工作Conditons ，
T
a
= 25°C
直流电源电压
门极驱动电压
外部栅极电阻
V
CC
V
GE （上）
R
G
整个P -N端应用
跨应用
G1 -ES1 / G2 -ES2终端
每个交换机
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
—
13.5
0
600
15.0
—
850
16.5
22
0
伏
伏
散热器侧面
- ：凹
+ ：凸
Y
X
TR1 / Tr2的： IGBT ， Di1中/ DI2： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
每个标记点到每个芯片的中心位置。
- ：凹
+ ：凸
散热器侧面
4
37.4
78.4
* 4外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
s
）被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下（安装面） 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
R
25
1
1
*6 B
(25/50)
=在（
)/(
–
)
R
50
T
25
T
50
R
25
;阻力位在绝对温T
25
[K] ;牛逼
25
= 25 [℃] + 273.15 = 298.15 [K]的
R
50
;阻力位在绝对温T
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] + 273.15 = 323.15 [K]的
* 7典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米
K)].
* 8底板（安装侧）的平坦度的测量点（x，y ）示于下图。
47
24
29.1
38.1
Di2
48
Tr2
Th
Di1
Tr1
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
23
28.2
41.7
1
2
3
4
5
6
7
标签的一面
0
27.9
41.4
05/13修订版5
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
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双IGBT NX系列模块
200安培/ 1200伏
输出特性
（ CHIP - 典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（ CHIP - 典型值）
400
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
T
j
=
25°C
15
3.5
V
GE
= 20V
13.5
12
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
11
10
9
2
4
6
8
10
50 100 150 200 250 300 350 400
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（ CHIP - 典型值）
续流二极管
正向特性
（ CHIP - 典型值）
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
10
3
T
j
= 25°C
发射极电流，I
E
（安培）
8
6
4
2
0
I
C
= 400A
I
C
= 200A
I
C
= 80A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
10
2
6
8
10
12
14
16
18
20
10
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
05/13修订版5
5
QQ：2881677436 复制
