CM200DU-34KA
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
双IGBTMOD
KA系列模块
200安培/ 1700伏
A
TC实测
点
D
牛逼 - （ 4 TYP 。 ）
H
G2
F
Bé
CM
C2E1
25
C
L
E2
25
C1
E2
J
E1
G1
XH
的S - NUTS
（ 3 TYP ）
Q
Q
P
N
G
V - 厚x宽 - 宽
TAB （4处）
K
K
K
M
C
LABEL
F
G2
E2
C2E1
E2
C1
E1
G1
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块是
在开关设计用于
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管在一个半
每个桥配置
有一个晶体管反接
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连被隔离
从散热基板，
提供简化的系统
装配和热
管理。
产品特点：
□
低驱动电源
□
低V
CE （ SAT ）
□
离散超快速恢复
续流二极管
□
隔离式底座，方便
散热
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
4.33
3.15
MILLIMETERS
110.0
80.0
尺寸
M
N
P
Q
R
S
T
V
W
X
英寸
0.33
0.10
0.85
0.98
0.86
M6
0.26直径。
0.02
0.110
1.08
MILLIMETERS
8.5
2.5
21.6
25.0
21.75
M6
6.5直径。
0.5
2.79
27.35
1.14 +0.04/-0.02 29.0 +1.0/-0.5
3.66±0.01
2.44±0.01
0.83
0.16
0.24
0.59
0.55
93.0±0.25
62.0±0.25
21.0
4.0
6.0
15.0
14.0
应用范围：
□
交流电动机的控制
□
运动/伺服控制
□
UPS
□
焊接电源
□
激光电源
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM200DU - 34KA是
一1700V （V
CES
） ， 200安培
双IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
200
V
CES
伏（ ×50 ）
34
1
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM200DU-34KA
双IGBTMOD KA系列模块
200安培/ 1700伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
c
= 25°C)
峰值集电极电流
发射极电流** （T
c
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（T
c
= 25 ° C，T
j
≤
150°C)
安装扭矩， M6主要终端
安装扭矩， M6安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
–
–
–
V
ISO
CM200DU-34KA
-40至150
-40至125
1700
±20
200
400*
200
400*
1100
40
40
580
3500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
在磅
在磅
克
伏
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
静态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
V
CC
= 1000V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
分钟。
–
–
4.0
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
5.5
3.2
3.8
900
–
2.2
马克斯。
1
0.5
7.0
4.0
–
–
4.6
–
单位
mA
A
伏
伏
伏
nC
伏
伏
动态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
时
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 1000V ，我
C
= 200A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 1.6 ,
感性负载
切换操作
I
E
= 200A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
9.6
马克斯。
29.0
4.8
1.5
600
200
700
800
600
–
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
2
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM200DU-34KA
双IGBTMOD KA系列模块
200安培/ 1700伏
热性能和机械性能，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
接触热阻
热阻
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
测试条件
每个IGBT模块1/2
每FWDI 1/2模块
每个模块，散热膏的应用
T
c
测量点
（根据芯片 - IGBT部分）
*如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
分钟。
–
–
–
–
典型值。
–
–
0.020
–
马克斯。
0.11
0.18
–
0.05*
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
输出特性
（典型值）
传输特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
400
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
T
j
= 25
o
C 15
V
GE
= 20V
14
12
400
11
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
0
100
200
300
400
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
300
10
300
200
9
200
100
8
100
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
0
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与V
CE
（典型值）
10
T
j
= 25°C
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
10
3
T
j
= 25°C
发射极电流，I
E
（安培）
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
10
2
8
C
IES
10
2
10
1
6
I
C
= 400A
I
C
= 200A
4
C
OES
10
1
10
0
C
水库
V
GE
= 0V
F = 1MHz的
2
I
C
= 80A
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
10
0
1
2
3
4
5
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
3
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM200DU-34KA
双IGBTMOD KA系列模块
200安培/ 1700伏
半桥
开关特性
（典型值）
反向恢复特性
（典型值）
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅极电荷V
GE
10
4
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
3
10
2
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
I
C
= 200A
切换时间（纳秒）
10
3
t
f
t
D（关闭）
t
D（上）
16
12
8
4
V
CC
= 800V
10
2
t
rr
I
rr
10
1
V
CC
= 1000V
10
2
t
r
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 25°C
感性负载
10
1
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
10
1
10
1
10
0
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
0
0
400
800
1200
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
瞬态热
阻抗特性
（IGBT）
瞬态热
阻抗特性
（ FWDI ）
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.11 ° C / W
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.18 ° C / W
10
-1
10
-1
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
-2
10
-2
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
4
三菱IGBT模块
CM200DU-34KA
高功率开关使用
CM200DU-34KA
●
I
C ...................................................................
200A
●
V
CES ................................................. .........
1700V
●
预绝缘
TYPE
●
在一包2元
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
TC测量点
110
E2 G2
62
±0.25
15
(8.25)
80
C2E1
E2
C1
(18.5)
C2E1
E2
C1
4 - φ6.5安装孔
3 -M6螺母
25
93
±0.25
18
14
7
18
14
7
18
14
4
2.8
25
21.5
2.5
18.25
电路图
0.5
0.5
0.5
0.5
7.5
29
+1.0
–0.5
21
LABEL
8.5
2009年2月
4
G1 E1
G1 E1
CM
6
E2 G2
6
三菱IGBT模块
CM200DU-34KA
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1700
±20
200
400
200
400
1100
–40 ~ +150
–40 ~ +125
3500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
580
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
终端底板， F = 60Hz的， AC 1分钟
主端子螺钉M6
M6安装螺钉
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1000V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 1000V ，我
C
= 200A
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6Ω ，感性负载
I
E
= 200A
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案件散热片，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
测得的情况下温度点正好在筹码
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
—
5.5
—
3.2
3.8
—
—
—
900
—
—
—
—
—
9.6
—
2.2
—
—
0.02
—
马克斯。
1
7
0.5
4.0
—
29
4.8
1.5
—
600
200
700
800
600
—
4.6
—
0.11
0.18
—
0.05
½3
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
V
K / W
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
1 ：外壳温度（Tc ）测量点显示在外形图。
*
*
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
2009年2月
2
三菱IGBT模块
CM200DU-34KA
高功率开关使用
CM200DU-34KA
G
I
C ...................................................................
200A
G
V
CES ................................................. .........
1700V
G
预绝缘
TYPE
G
在一包2元
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
TC测量点
110
E2 G2
62
±0.25
15
(8.25)
80
C2E1
E2
C1
(18.5)
C2E1
E2
C1
4 - φ6.5安装孔
3 -M6螺母
25
93
±0.25
18
14
7
18
14
7
18
14
4
2.8
25
21.5
2.5
18.25
电路图
0.5
0.5
0.5
0.5
7.5
29
+1.0
–0.5
21
LABEL
8.5
2001年9月
4
G1 E1
G1 E1
CM
6
E2 G2
6
三菱IGBT模块
CM200DU-34KA
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1700
±20
200
400
200
400
1100
–40 ~ +150
–40 ~ +125
3500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
580
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M6
安装孔M6
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1000V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 1000V ，我
C
= 200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.6Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 200A
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
TC测量点就是芯片下
分钟。
—
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
—
5.5
—
3.2
3.8
—
—
—
900
—
—
—
—
—
9.6
—
2.2
—
—
0.02
—
马克斯。
1
7
0.5
4.0
—
29
4.8
1.5
—
600
200
700
800
600
—
4.6
—
0.11
0.18
—
0.05
½3
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
V
° C / W
V
EC （注1 ）
发射极 - 集电极电压
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
热阻
*1
接触热阻
热阻
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
，模/ DT代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管的特性。 （ FWDI ） 。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
1 ：TC测量点显示在外形图。
*
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
2001年9月
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