三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
CM200DU-24NFH
I
C ...................................................................
200A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
高频开关使用（ 30kHz的到60kHz的） 。
梯度放大器，感应加热，电源等。
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
108
93
±0.25
14
14
T
C
测量点
14
E2 G2
C2E1
E2 G2
E2
C1
6
48
±0.25
CM
G1 E1
6
电路图
C2E1
E2
C1
25
3 -M6螺母
4 - φ6 。 5 MOUTING孔
25
21.5
2.5
4
18
7
18
7
18
2.8
7.5
8.5
0.5
0.5
0.5
0.5
29
+1.0
–0.5
22
LABEL
Feb.2004
4
G1 E1
15
62
三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
P
C
’
（注3）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
（ TJ = 25
°
C)
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
重量
G- ê短
C- ê短
手术
脉冲
手术
脉冲
T
C
= 25°C
T
C
’ = 25°C
*4
条件
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M6
安装孔M6
典型的价值
评级
1200
±20
200
400
200
400
830
1300
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
400
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
电气特性
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
日（ J- C' ）
R
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
（ TJ = 25
°
C)
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.6Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 200A
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
分钟。
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.6
范围
典型值。
—
6
—
5.0
5.0
—
—
—
900
—
—
—
—
—
7.5
—
—
—
0.04
—
—
—
马克斯。
1
7.5
0.7
6.5
—
32
2.7
0.6
—
300
80
500
150
250
—
3.5
0.15
0.24
—
0.095
*3
0.14
*3
16
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极
饱和电压
（注4 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
*4
外部栅极电阻
*
1 : T
C
测量点显示在页面外形图。
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
*
4 : T
C
“测量点就是芯片下。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.无短路能力的设计。
Feb.2004
三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
（典型值）
400
集电极电流I
C
(A)
传输特性
（典型值）
400
集电极电流I
C
(A)
T
j
= 25°C
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
V
GE
=20
(V)
14
13
15
12
V
CE
= 10V
350
300
250
200
150
100
50
0
0
5
10
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
15
20
11
10
9
8
6
8
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
10
T
j
= 25°C
I
C
= 400A
9
V
GE
= 15V
8
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
7
6
5
4
3
2
1
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400
集电极电流I
C
(A)
8
6
I
C
= 200A
4
I
C
= 80A
2
0
6
8
10
12
14
16
18
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
续流二极管
正向特性
（典型值）
10
3
发射极电流I
E
(A)
7
5
3
2
电容特性
（典型值）
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
7
5
3
2
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
C
IES
10
1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
C
OES
10
0
7
5
3
2
C
水库
10
1
0
1
2
3
4
5
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
Feb.2004
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
半桥
切换时间特性
（典型值）
10
3
7
5
切换时间（纳秒）
3
2
5
3
2
5
3
10
2
7
5
3
2
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
t
f
条件：
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
I
rr
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0 1
10
2
3
5 7
10
2
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
10
2
t
rr
7
条件：
5
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
3
R
G
= 1.6
2
T
j
= 25°C
感性负载
10
1
2 3
5 7
10
3
集电极电流I
C
(A)
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J - C ）
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J - C ）
7
5
3
2
发射极电流I
E
(A)
瞬态热
阻抗特性
（ FWDI部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
7
5
3
2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–1
7
5
3
2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
每单位基础=
2
10
–2
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
每单位基础=
2
10
–2
7
5
3
2
R
日（J -C ）
= 0.15 ° C / W
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
R
日（J -C ）
= 0.24 ° C / W
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间（s）
时间（s）
栅极电荷特性
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 200A
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
15
10
5
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
栅极电荷q
G
（ NC ）
Feb.2004
反向恢复电流我
rr
(A)
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
3
10
10
3
T
j
= 25°C
7
7
三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
CM200DU-24NFH
I
C ...................................................................
200A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
高频开关使用（ 30kHz的到60kHz的） 。
梯度放大器，感应加热，电源等。
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
108
(7.5)
14
93
±0.25
14
T
C
测量点
(7.5)
14
E2 G2
C2E1
E2 G2
E2
C1
6
48
±0.25
(8.25)
CM
G1 E1
17.5 6
(18)
电路图
8.85
C2E1
E2
C1
25
3 -M6螺母
4 - φ6 。 5安装孔
25
21.5
2.5
25.7
4
0.5
2.8
7.5
8.5
0.5
0.5
0.5
18
7
18
7
18
29
+1.0
–0.5
22
LABEL
(7)
2009年2月
4
G1 E1
15
62
三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
P
C
’
（注3）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
（ TJ = 25
°
C，除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
重量
G- ê短
C- ê短
手术
脉冲
手术
脉冲
T
C
= 25°C
T
C
’ = 25°C
*4
条件
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
终端底板， F = 60Hz的， AC 1分钟
主端子螺钉M6
M6安装螺钉
典型的价值
评级
1200
±20
200
400
200
400
830
1300
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
400
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
电气特性
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
日（ J- C' ）
R
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
（ TJ = 25
°
C，除非另有规定）
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 200A
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6Ω ，感性负载
I
E
= 200A
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案件散热片，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.6
范围
典型值。
—
6
—
5.0
5.0
—
—
—
900
—
—
—
—
—
7.5
—
—
—
0.04
—
—
—
马克斯。
1
7.5
0.7
6.5
—
32
2.7
0.6
—
300
80
500
150
250
—
3.5
0.15
0.24
—
0.095
*3
0.14
*3
16
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
*4
外部栅极电阻
*
1 ：外壳温度（T
C
）测点显示在页面外形图。
*
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
*
4 ：外壳温度（T
C
'）测量点就是芯片下。
注1.我
E
, I
EM
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.无短路能力的设计。
2009年2月
2
三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
（典型值）
400
集电极电流I
C
(A)
传输特性
（典型值）
400
集电极电流I
C
(A)
T
j
= 25°C
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
V
GE
=20
(V)
14
13
15
12
V
CE
= 10V
350
300
250
200
150
100
50
0
0
5
10
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
15
20
11
10
9
8
6
8
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
10
T
j
= 25°C
I
C
= 400A
9
V
GE
= 15V
8
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
7
6
5
4
3
2
1
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400
集电极电流I
C
(A)
8
6
I
C
= 200A
4
I
C
= 80A
2
0
6
8
10
12
14
16
18
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
续流二极管
正向特性
（典型值）
10
3
发射极电流I
E
(A)
7
5
3
2
电容特性
（典型值）
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
7
5
3
2
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
C
IES
10
1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
C
OES
10
0
7
5
3
2
C
水库
10
1
0
1
2
3
4
5
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2009年2月
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
3
三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
半桥
切换时间特性
（典型值）
10
3
7
5
切换时间（纳秒）
3
2
5
3
2
5
3
10
2
7
5
3
2
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
t
f
条件：
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
I
rr
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0 1
10
2
3
5 7
10
2
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
10
2
t
rr
7
条件：
5
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
3
R
G
= 1.6
2
T
j
= 25°C
感性负载
10
1
2 3
5 7
10
3
集电极电流I
C
(A)
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
发射极电流I
E
(A)
瞬态热
阻抗特性
（ FWDI部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J - C ）
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J - C ）
7
5
3
2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
每单位基础=
2
10
–2
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
每单位基础=
2
10
–2
7
5
3
2
R
日（J -C ）
= 0.15K / W
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
R
日（J -C ）
= 0.24K / W
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间（s）
时间（s）
栅极电荷特性
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 200A
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
15
10
5
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
栅极电荷q
G
（ NC ）
2009年2月
4
反向恢复电流我
rr
(A)
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
3
10
10
3
T
j
= 25°C
7
7
CM200DU-24NFH
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
双IGBTMOD
NFH系列模块
200安培/ 1200伏
A
S
K
Q
M
（ 3处）
Bé
E1
C2E1
E2
C1
G1
D
K
K
S
L
（4处）
V
G2
E2
G
H
G
AA
N·J
Q
Z
F
F
T
Y
X
V
Q
P
P
Q
P
U
S
W
C
LABEL
R
G2
E2
C2E1
E2
C1
E1
G1
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块是
设计用于在高的使用
高频应用; 30千赫
硬开关应用
和60至70千赫兹为软开关
应用程序。每个模块
由两个IGBT晶体管
在同一个半桥式配置
具有反接每个晶体管
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连从隔离
该散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
低ESW （OFF ）
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
电源
感应加热
焊工
订货信息：
例如：选择完整
你想要的部分模块编号
从下面-i.e.表
CM200DU - 24NFH是1200V
（ VCES ） ， 200安培双
IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
200
VCES
伏（ ×50 ）
24
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
4.25
2.44
3.66±0.01
1.89±0.01
0.98
0.24
0.59
0.7854
0.55
0.26直径。
M6公制
1.022
MILLIMETERS
108.0
62.0
93.0±0.25
48.0±0.25
25.0
6.0
15.0
19.95
14.0
6.5直径。
M6
25.95
尺寸
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
英寸
0.71
0.28
0.874
0.30
0.94
0.11
0.16
0.33
0.46
0.012 ~ 0
0.85
0.69
MILLIMETERS
18.0
7.0
22.2
7.5
24.0
2.8
4.0
8.5
11.75
0.3 ~ 0
21.5
17.5
1.14+0.04/-0.02 29.0+1.0/-0.5
7/11第1版
1
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
CM200DU-24NFH
双IGBTMOD NFH系列模块
200安培/ 1200伏
绝对最大额定值，
TJ = 25 ° C除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（ TC = 25 ° C）
峰值集电极电流
发射极电流** （ TC = 25 ° C）
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（ TC = 25 ° C， TJ ≤ 150 ° C）
最大集电极耗散（ TC = 25 ° C， TJ ' ≤ 150 ° C）
安装扭矩， M6主要终端
安装扭矩， M6安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
符号
Tj
TSTG
VCES
VGES
IC
ICM
IE
IEM
PC
PC
—
—
—
VISO
CM200DU-24NF
-40至150
-40至125
1200
±20
200*
400*
200*
400*
830
1300
40
40
400
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
瓦
在磅
在磅
克
伏
静态电气特性，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
符号
冰
IGES
VGE （ TH）
VCE （ SAT ）
QG
VEC
测试条件
VCE = VCES ， VGE = 0V
VGE = VGES ， VCE = 0V
IC = 20mA时， VCE = 10V
IC = 200A ， VGE = 15V ， TJ = 25°C
IC = 200A ， VGE = 15V ， TJ = 125°C
VCC = 600V ， IC = 200A ， VGE = 15V
IE = 200A ， VGE = 0V
分钟。
—
—
4.5
—
—
—
—
典型值。
—
—
6.0
5.0
5.0
900
—
马克斯。
1.0
0.7
7.5
6.5
—
—
3.5
单位
mA
A
伏
伏
伏
nC
伏
动态电气特性，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电感
负载
开关
时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
TRR
QRR
VCC = 600V ， IC = 200A ，
VGE1 = VGE2 = 15V ， RG = 1.6Ω ，
感应负载开关操作，
IE = 200A
VCE = 10V ， VGE = 0V
测试条件
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
马克斯。
32
2.7
0.6
300
80
500
150
250
—
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
*脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温（Tj ）不超过Tj max的评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
2
7/11第1版
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
CM200DU-24NFH
双IGBTMOD NFH系列模块
200安培/ 1200伏
热性能和机械性能，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
接触热阻
外部栅极电阻
符号
RTH （J -C ） Q
RTH （J -C ）D
RTH （J -C ） 'Q
RTH （J -C ） 'D
RTH （ C-F ）
RG
测试条件
每个IGBT模块的1/2 ， TC参考
每外形图点
每FWDI 1/2模块， TC参考
每外形图点
每个IGBT模块的1/2 ，
参考在芯片TC点
每FWDI 1/2模块，
参考在芯片TC点
每1/2模块，导热硅脂的应用
—
1.6
0.04
—
—
16
° C / W
Ω
—
—
0.14
° C / W
—
—
0.095
° C / W
—
—
0.24
° C / W
分钟。
—
典型值。
—
马克斯。
0.15
单位
° C / W
输出特性
（典型值）
传输特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
400
T
j
= 25°C
集电极电流，I
C
（安培）
15
13
12
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
V
GE
= 20V
14
400
V
GE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
300
300
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
200
11
200
100
10
100
9
0
8
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
100
200
300
400
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与VCE
（典型值）
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
10
3
T
j
= 25°C
发射极电流，I
E
（安培）
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
8
6
4
2
0
I
C
= 400A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
2
C
IES
10
1
I
C
= 200A
I
C
= 80A
10
2
C
OES
10
0
C
水库
V
GE
= 0V
6
8
10
12
14
16
18
20
10
1
0
1
2
3
4
5
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
7/11第1版
3
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
CM200DU-24NFH
双IGBTMOD NFH系列模块
200安培/ 1200伏
半桥
开关特性
（典型值）
反向恢复特性
（典型值）
I
rr
t
rr
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅电荷VS. VGE
10
3
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
3
t
D（关闭）
t
D（上）
t
f
10
3
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
I
C
= 200A
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
16
12
8
4
0
切换时间（纳秒）
10
2
10
2
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 25°C
感性负载
10
2
10
1
t
r
10
0
10
1
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
10
1
10
1
10
1
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
开关损耗与
集电极电流
（典型值）
开关损耗， ê
SW （ON）的
, E
SW （OFF）的
（兆焦耳/脉冲）
开关损耗， ê
SW （ON）的
, E
SW （OFF）的
（兆焦耳/脉冲）
开关损耗与
栅极电阻
（典型值）
反向恢复开关损耗VS.
发射极电流
（典型值）
10
2
反向恢复
开关损耗， ê
rr
（兆焦耳/脉冲）
10
1
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
E
SW （ON）的
E
SW （OFF）的
10
2
E
SW （ON）的
E
SW （OFF）的
10
2
E
rr
10
1
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 200A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
10
1
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 1.6
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
10
0
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
10
0
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
10
0
10
1
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
归一化瞬态热阻抗，Z
日（ J- C' ）
Z
th
= R
th
（归
值）
反向恢复开关损耗VS.
栅极电阻
（典型值）
10
2
反向恢复
开关损耗， ê
rr
（兆焦耳/脉冲）
10
0
10
-3
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT & FWDI ）
10
-2
10
-1
10
0
10
1
E
rr
10
-1
10
1
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
I
E
= 200A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
10
-2
单脉冲
T
C
= 25°C
每单位基础=
R
日（J -C ）
=
0.15°C/W
（IGBT）
R
日（J -C ）
=
0.24°C/W
（ FWDI ）
10
-1
10
-2
10
0
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
4
7/11第1版
QQ：2880707522 复制
