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4通道低电容双核
电压ESD保护阵列
CM1641
特点
三个通道低电压的ESD保护
高电压ESD保护一个通道
提供ESD保护IEC61000-4-2等级
4:
±
8kV接触放电(插针1-3 )
±
15kV的接触放电(引脚4 )
低通道输入电容
最小的电容随温度的变化
和电压
高压稳压二极管保护电源轨
无需外部旁路电容
每个I / O引脚可以承受超过1000 ESD
罢工*
符合RoHS标准,无铅完成
*
标准的测试条件为IEC61000-4-2第4级的测试电路,每个引脚承受± 8kV接触放电1000次脉冲。放电定时每隔1秒和所有1000罢工在一个连续完成
试运行。的部分,然后进行标准的生产试验,以验证1000打击后,所有被测试的参数都在规格范围内。
2010 SCILLC 。版权所有。
2010年5月 - 第4版
出版订单号:
CM1641/D
CM1641
8引线UDFN
引脚说明
4通道, 8引脚UDFN -8封装
1
2
3
4
5
6
7
8
DAP
名字
CH1
CH2
CH3
V
CC
GND
V
N
V
N
V
N
GND
TYPE
I/0
I/0
I/0
HV V
DD
描述
LV低电容ESD通道
LV低电容ESD通道
LV低电容ESD通道
高压ESD通道
负电压电源轨
负电压电源轨
负电压电源轨
芯片附着垫(地)
1版|第2页10 | www.onsemi.com
CM1641
订购信息
品名信息
无铅完成
#通道
4
LEADS
8
UDFN -8, 0.4毫米
订货型号
CM1641-04D4
1
最热
P41
注1 :零件被运卷带形式,除非另有规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
在低电压引脚的直流电压
在高压引脚的直流电压(V
CC
针)
工作温度范围
存储温度范围
等级
6.0
14.5
-40至+85
-65到+150
单位
V
V
°
C
°
C
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°
C
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CM1641
电气运行特性
(见注1 )
符号参数
V
F
LV二极管的反向电压
(正电压)
LV二极管正向电压
(负电压)
I
泄漏
LV道泄漏电流
条件
I
F
= 10毫安;牛逼
A
= 25°
C
6.8
I
F
= 10毫安;牛逼
A
= 25°
C
–1.05
T
A
= -30° 65 °的VIN = 3.3V,
C
C;
V
N
=0V
–0.9
–0.6
100
V
nA
8.2
9.2
V
典型值
最大
单位
C
IN
LV通道输入电容
在1 MHz ,V
N
= 0V , VIN = 1.65V
1.2
1.5
pF
C
IN
LV通道输入电容
匹配
HV道泄漏电流
高压通道输入电容
在1 MHz ,V
N
= 0V , VIN = 1.65V
0.02
pF
I
LEAK_HV
C
IN_HV
T
A
=25° V
CC
=11V, V
N
=0V
C;
在1 MHz ,V
N
= 0V , VIN = 2.5V
0.1
53
1.0
A
pF
V
F_HV
V
ESD
高压二极管的击穿电压
正电压
ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入,系统
每接触放电
IEC 61000-4-2标准
LV通道钳位电压(引脚1-3)
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
LV通道正瞬态
LV通道瞬态负
高压通道正瞬态
高压通道瞬态负
I
F
= 10毫安;牛逼
A
=25°
C
14.6
17.7
V
T
A
=25°
C
±8
(引脚1-3)
±15
(引脚4 )
kV
kV
V
CL
T
A
=25° I
PP
= 1A,
C,
t
P
= 8/20
S
+9.64
–1.75
V
V
R
DYN
I
PP
= 1A ,T
P
= 8/20
S
任何I / O引脚接地;
0.72
0.59
1.20
0.36
注1 :在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
1版|第4页10 | www.onsemi.com
CM1641
演出信息
低电压引脚输入通道的电容性能曲线
1版|第5页10 | www.onsemi.com
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