三菱IGBT模块
CM150DU-24F
高功率开关使用
CM150DU-24F
I
C ...................................................................
150A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
108
(7.5)
14
93
±0.25
14
T
C
测量点
(7.5)
14
RTC
E2 G2
6
C2E1
E2
RTC
C1
48
±0.25
(8.25)
CM
G1 E1
17.5 6
(18)
电路图
8.85
C2E1
E2
C1
25
3 -M6螺母
4 - φ6 。 5安装孔
25
21.5
2.5
25.7
4
0.5
2.8
0.5
0.5
0.5
18
7
18
7
18
7.5
+1.0
–0.5
29
22
LABEL
8.5
(7)
二月
2009
4
G1 E1
15
62
E2 G2
三菱IGBT模块
CM150DU-24F
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1200
±20
150
300
150
300
600
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
400
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
终端底板， F = 60Hz的， AC 1分钟
主端子螺钉M6
M6安装螺钉
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 15毫安，V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 150A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A
V
GE
=
±15V
R
G
= 2.1Ω ，电感性负载
I
E
= 150A
I
E
= 150A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案件散热片，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
测得的情况下温度点正好在筹码
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.1
范围
典型值。
—
6
—
1.8
1.9
—
—
—
1650
—
—
—
—
—
6.0
—
—
—
0.04
—
—
马克斯。
1
7
20
2.4
—
59
2.6
1.5
—
150
80
450
300
150
—
3.2
0.21
0.24
—
0.13*
3
21
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
K / W
注1.我
E
, I
EM
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
1 ：外壳温度（Tc ）测量点显示在外形图。
*
*
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
二月
2009
2
CM150DU-24F
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
沟槽栅设计
双IGBTMOD
150安培/ 1200伏
TC量具
点
A
D
T（ 4 TYP 。 ）
F
G2
Bé
CM
E2
H
U
J
H
C2E1
E2
C1
E1
G1
V
Q
的S - 螺母（ 3 TYP ）
K
K
Q
P
N
G
K
R
M
C
L
G2
E2
RTC
C2E1
E2
RTC
E1
G1
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管在一个半
每个转录桥配置
体管具有一个反向连接的
超快速恢复自由轮
二极管。所有的组件和接口
所连接被从分离
散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
□
低驱动电源
□
低V
CE （ SAT ）
□
离散超快速恢复
续流二极管
□
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
□
交流电动机的控制
□
UPS
□
电池供电耗材
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM150DU - 24F是
1200V (V
CES
） ， 150安培双
IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
150
V
CES
伏（ ×50 ）
24
C1
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
4.25
2.44
MILLIMETERS
108.0
62.0
尺寸
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
英寸
0.87
0.33
0.10
0.85
0.98
0.11
M6
0.26Dia.
0.02
0.62
MILLIMETERS
22.0
8.5
2.5
21.5
25.0
2.8
M6
6.5直径。
0.5
15.85
1.14 +0.04/-0.02 29.0 +1.0/-0.5
3.66±0.01
1.88±0.01
0.67
0.16
0.24
0.59
0.55
93.0±0.25
48.0±0.25
17.0
4.0
6.0
15.0
14.0
1
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM150DU-24F
沟槽栅设计的双IGBTMOD
150安培/ 1200伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
c
= 25°C)
峰值集电极电流（T
j
≤
150°C)
发射极电流** （T
c
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（T
c
= 25°C)
安装扭矩， M6主要终端
安装扭矩， M6安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
–
–
–
V
ISO
CM150DU-24F
-40至150
-40至125
1200
±20
150
300*
150
300*
600
40
40
400
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
在磅
在磅
克
伏
静态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 15毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 150A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A ，V
GE
= 15V
I
E
= 150A ，V
GE
= 0V
分钟。
典型值。
–
–
5
–
–
–
–
马克斯。
–
–
6
1.8
1.9
1650
–
单位
1
20
7
2.4
–
–
3.2
mA
A
伏
伏
伏
nC
伏
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
2
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM150DU-24F
沟槽栅设计的双IGBTMOD
150安培/ 1200伏
动态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电感
负载
开关
时
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 2.1 ,
感性负载
切换操作
I
E
= 150A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
6.0
马克斯。
59
2.6
1.5
150
80
450
300
150
–
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
热性能和机械性能，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
日（J -C ）
'Q
R
TH（ C-F ）
测试条件
每个IGBT模块的1/2 ，T
c
参考
每外形图点
热阻，结到外壳
每FWDI 1/2模块，T
c
参考
每外形图点
热阻，结到外壳
每个IGBT模块的1/2 ，
T
c
芯片的正下方参考点
接触热阻
每个模块，散热膏的应用
–
0.020
–
° C / W
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
分钟。
–
典型值。
马克斯。
0.21
单位
° C / W
° C / W
° C / W
–
–
0.24
–
0.11
3
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM150DU-24F
沟槽栅设计的双IGBTMOD
150安培/ 1200伏
输出特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
300
集电极电流，I
C
（安培）
250
200
150
V
GE
= 20V
9
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
T
j
= 25
o
C
11
15
10 9.5
3
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5
T
j
= 25°C
4
3
I
C
= 300A
2
8.5
2
1
I
C
= 150A
I
C
= 60A
100
50
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
1
8
0
0
50
100
150
200
250
300
集电极电流，I
C
（安培）
0
0
6
8
10
12
14
16
18 20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与V
CE
（典型值）
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
T
j
= 25°C
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
C
IES
10
3
t
f
t
D（关闭）
10
1
切换时间（纳秒）
10
2
t
D（上）
10
2
t
r
10
0
C
OES
C
水库
V
GE
= 0V
10
1
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 2.1
T
j
= 125°C
感性负载
10
1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
反向恢复特性
（典型值）
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅极电荷V
GE
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT & FWDI ）
10
3
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
3
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 2.1
T
j
= 25°C
感性负载
I
rr
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
C
= 150A
16
V
CC
= 400V
10
0
每单位基础
R
日（J -C ）
= 0.21 ℃/ W（ IGBT ）
R
日（J -C ）
= 0.24 ℃/ W（ FWDI ）
单脉冲
T
C
= 25°C
12
8
4
V
CC
= 600V
10
2
t
rr
10
2
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
1
10
1
10
1
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
0
0
500
1000
1500
2000
2500
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-3
10
-4
10
-3
4
三菱IGBT模块
CM150DU-24F
高功率开关使用
CM150DU-24F
I
C ...................................................................
150A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
108
93
±0.25
14
14
TC测量点
14
RTC
E2 G2
6
C2E1
E2
RTC
C1
48
±0.25
CM
G1 E1
6
电路图
C2E1
E2
C1
25
3 -M6螺母
4 - φ6 。 5安装孔
25
21.5
2.5
4
18
7
18
7
18
2.8
7.5
8.5
0.5
0.5
0.5
0.5
29
+1.0
–0.5
22
LABEL
4
1999年8月
G1 E1
15
62
E2 G2
三菱IGBT模块
CM150DU-24F
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1200
±20
150
300
150
300
600
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
400
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M6
安装孔M6
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 15毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
CES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 150A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 2.1Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 150A
I
E
= 150A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热compoundapplied
*2
（ 1/2模块）
TC测量点就是芯片下
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.1
范围
典型值。
—
6
—
1.8
1.9
—
—
—
1650
—
—
—
—
—
6.0
—
—
—
0.04
—
—
马克斯。
1
7
20
2.4
—
59
2.6
1.5
—
150
80
450
300
150
—
3.2
0.21
0.24
—
0.13
V3
21
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
° C / W
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
，模/ DT代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管的特性。 （ FWDI ） 。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
1 ：TC测量点显示在外形图。
*
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
1999年8月
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