三菱IGBT模块
CM1400DU-24NF
高功率开关使用
CM1400DU-24NF
q
I
C ................................................................
1400A
q
V
CES ................................................. ........
1200V
q
预绝缘
TYPE
q
在一包2元
应用
UPS &通用变频器等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
A，B型住房
（ J. S. T.制作所有限公司）
答： VHR- 2N
B： VHR -5N
TC测量点
铜（侧
底板）
150
137.5
±0.25
42
14 14
TC测量点
铜（侧
12 2
底板）
11 19
38
±0.25
74
±0.25
34.6
+1.0
–0.5
4
15.7
A
G1
E1
G2
E2
C1
10.5
B
8-f6.5
安装孔
E2
C1
15.7
5.5
18
38
±0.25
74
±0.25
PPS
21
42.5
±0.25
129.5
166
9 M6螺母12
14 14 14 14 14 14
42
42
25.1
L A B 左
C2
C2E1
E2
C1
C1
电路图
G1 E1
E2 G2
C2E1
C2
1.9
±0.2
34.6
+1.0
–0.5
2003年3月
三菱IGBT模块
CM1400DU-24NF
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1200
±20
1400
2800
1400
2800
3900
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
1400
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M6
安装孔M6
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
R
（铅）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
日（ J- C' ）
R
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.22
范围
典型值。
—
7
—
1.8
2.0
0.143
—
—
—
7200
—
—
—
—
—
90
—
—
—
0.016
—
—
—
马克斯。
1
8
0.5
2.5
—
—
220
25
4.7
—
800
300
1000
300
700
—
3.4
0.032
0.053
—
0.014
*3
0.023
*3
2.2
单位
mA
V
A
V
m
nF
nC
栅极 - 发射极阈值电压余
C
= 140毫安，V
CE
= 10V
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
模块引线电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
V
GE
= V
CES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 1400A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
IC = 1400A ，终端芯片
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 1400A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 1400A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 0.22Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 1400A
I
E
= 1400A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
TC测量点只是在芯片（ IGBT部分）
TC测量点就是芯片下（ FWDI部分）
ns
ns
C
V
° C / W
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
，模/ DT代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管的特性。 （ FWDI ） 。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
*
1 ：TC测量点显示在外形图。
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
2003年3月
CM1400DU-24NF
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
超大功率双
IGBTMOD
1400安培/ 1200伏
TC测量点
（ CU底板的一侧）
P
（ 8位）
U
H
A
D
G
H
L
K
C2E1
C
S
G
E
T
J
E2
C1
U
V
H
G
H
H
H
H
G
H
R（ 9处）
M
L
F
E
G
C B
E
C
J
F
LABEL
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
两个IGBT的应用。每
模块包括一个半桥
构，每个晶体管
具有一个反向连接的
超快速恢复自由轮
二极管。所有的组件和接口
所连接被从分离
散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
□
低驱动电源
□
低V
CE （ SAT ）
□
离散超快速恢复
续流二极管
□
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
□
大功率UPS
□
大型电机驱动器
□
实用接口逆变器
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM1400DU - 24NF是
一1200V （V
CES
） ， 1400安培
双IGBTMOD电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
1400
V
CES
伏（ ×50 ）
24
C2
C2E1
E2
C1
G2
E2
E1
G1
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
英寸
5.91
5.10
1.67±0.01
5.41±0.01
6.54
2.91±0.01
1.65
0.55
MILLIMETERS
150.0
129.5
42.5±0.25
137.5±0.25
166.0
74.0±0.25
42.0
14.0
尺寸
J
K
L
M
P
R
U
V
英寸
1.50±0.01
0.16
MILLIMETERS
38.0±0.25
4.0
1.36 +0.04/-0.02 34.6 +1.0/-0.5
0.075±0.08
0.26
M6公制
0.62
0.71
1.9±0.2
6.5
M6
15.7
18.0
房屋类型（ J.S.T MFG 。 CO ：L
.
TD）
S = VHR -2N
T为VHR -5N
1
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM1400DU-24NF
超大功率双 IGBTMOD
1400安培/ 1200伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
C
= 25°C)
峰值集电极电流（T
j
≤
150°C)
发射极电流（T
C
= 25°C)**
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（T
j
< 150 ° C） （T
C'
= 25°C)
安装扭矩， M6安装螺丝
安装扭矩， M6主要终端螺丝
重量（典型）
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
C
–
–
–
V
ISO
CM1400DU-24NF
-40至150
-40至125
1200
±20
1400
2800*
1400
2800*
8920
40
40
1400
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
在磅
在磅
克
伏
静态电气特性，
T
j
= 25 C°C ，除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
（无引线电阻）
模块引线电阻
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（片）
R
（铅）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 140毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 1400A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 1400A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
I
C
= 1400A ，终端芯片
V
CC
= 600V ，我
C
= 1400A ，V
GE
= 15V
I
E
= 1400A ，V
GE
= 0V
分钟。
–
–
6
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
7
1.9
2.1
0.143
7200
–
马克斯。
1
0.5
8
2.5
–
–
–
3.4
单位
mA
A
伏
伏
伏
m
nC
伏
动态电气特性，
T
j
= 25 C°C ，除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电感
负载
开关
时
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 600V,
I
C
= 1400A ，我
E
= 1400A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 1.0 ,
感性负载
切换操作
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
100
马克斯。
220
25
4.7
400
300
1000
300
800
–
单位
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
2
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM1400DU-24NF
超大功率双 IGBTMOD
1400安培/ 1200伏
热性能和机械性能，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
符号
R
日（ J- C' ）
Q
R
日（ J- C' ）
D
R
TH（ C-F ）
测试条件
每个IGBT模块的1/2 ，
T
C
芯片的正下方参考点
热阻，结到外壳
每FWDI 1/2模块，T
C
参考
T
C
芯片的正下方参考点
接触热阻
每1/2模块，导热硅脂的应用
–
0.016
–
° C / W
–
–
0.023
° C / W
分钟。
–
典型值。
–
马克斯。
0.014
单位
° C / W
输出特性
（典型值）
传输特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
2800
集电极电流，I
C
（安培）
2400
13
集电极电流，I
C
（安培）
15
2400
2000
1600
1200
800
400
0
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
V
GE
= 20V
T
j
= 25
o
C
12
2800
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5
4
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2000
1600
11
3
2
1200
800
400
8
9
10
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
0
0
4
8
12
16
20
0
400 600 1200 1600 2000 2400 2800
集电极电流，I
C
（安培）
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与VCE
（典型值）
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
10
4
T
j
= 25°C
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
V
GE
= 0V
C
IES
8
6
4
2
I
C
= 1400A
I
C
= 560A
I
C
= 2800A
10
2
10
3
C
OES
10
1
C
水库
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
10
2
0.5 1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
3.5
4.0
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
3
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM1400DU-24NF
超大功率双 IGBTMOD
1400安培/ 1200伏
半桥
开关特性
（典型值）
反向恢复特性
（典型值）
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅极电荷VGE
10
4
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
3
I
rr
10
3
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
I
C
= 1400A
16
12
8
4
切换时间（纳秒）
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
10
3
t
f
t
r
t
D（关闭）
t
D（上）
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.0
T
j
= 125°C
感性负载
t
rr
10
2
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.0
T
j
= 25°C
感性负载
10
2
10
2
10
1
10
2
10
3
集电极电流，I
C
（安培）
10
4
10
1
10
2
10
1
10
3
发射极电流，I
E
（安培）
10
4
0
0
2000
4000
6000
8000 10000
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT & FWDI ）
每单位基础
R
日（J -C ）
= 0.014 ℃/ W（ IGBT ）
R
日（J -C ）
= 0.023 ℃/ W（ FWDI ）
单脉冲
T
C
= 25°C
开关损耗， ê
SW （ON）的
, E
SW （OFF）的
（兆焦耳/脉冲）
10
10
1
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
3
开关损耗与集电极电流
（典型值）
10
3
开关损耗， ê
rr
（兆焦耳/脉冲）
开关损耗VS.发射极电流
（典型值）
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
R
G
= 1.0
感性负载
10
0
10
2
10
-1
10
-1
10
2
10
1
10
-2
10
-2
V
CC
= 600V
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
R
G
= 1.0
E
SW （ON）的
E
SW （OFF）的
感性负载
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
10
0
10
2
10
3
集电极电流，I
C
（安培）
10
4
10
1
10
2
10
3
发射极电流，I
E
（安培）
10
4
4
QQ：2880707522 复制
