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4通道低电容双电压
ESD保护阵列
CM1241
特点
3通道低电压的ESD保护
高电压ESD保护1路
提供ESD保护IEC61000-4-2等级
4:
±
8kV接触放电（插针1-3 ）
±
15kV的接触放电（引脚4 ）
低通道输入电容
最小的电容随温度的变化
和电压
高压稳压二极管保护电源轨
无需外部旁路电容
每个I / O引脚可以承受超过1000 ESD
罢工*
符合RoHS标准，无铅完成
框图
V
P
（内部）
V
CC
O
O
引脚4
CH1
O
销1
CH2
O
销2
CH3
O
3脚
引脚6 - 8
V
N
5脚
GND
2010 SCILLC 。版权所有。
2010年4月 - 第3版
出版订单号：
CM1241/D
CM1241
典型用途
*
标准的测试条件为IEC61000-4-2第4级的测试电路，每个引脚承受± 8kV接触放电1000次脉冲。放电定时每隔1秒和所有1000罢工在一个连续完成
试运行。的部分，然后进行标准的生产试验，以验证1000打击后，所有被测试的参数都在规格范围内。
PACKAGE /引脚图
第3版|第14页2 | www.onsemi.com
CM1241
引脚说明
4通道， 8引脚TDFN -8封装
针
1
2
3
4
5
6
7
8
DAP
名字
CH1
CH2
CH3
V
CC
GND
V
N
V
N
V
N
GND
TYPE
I/0
I/0
I/0
HV V
DD
描述
LV低电容ESD通道
LV低电容ESD通道
LV低电容ESD通道
高压ESD通道
地
负电压电源轨
负电压电源轨
负电压电源轨
芯片附着垫（地）
订购信息
品名信息
无铅完成
＃通道
4
LEADS
8
包
TDFN - 8 ， 0.4毫米
订货型号
CM1241-04D4
1
最热
AW1
注1 ：零件被运卷带形式，除非另有规定。
第3版|第14页3 | www.onsemi.com
CM1241
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
在低电压引脚的直流电压
在高压引脚的直流电压（V
CC
针）
工作温度范围
存储温度范围
等级
6.0
14.5
-40至+85
-65到+150
单位
V
V
°
C
°
C
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°
C
第3版|第14页4 | www.onsemi.com
CM1241
电气运行特性
符号参数
V
F
LV二极管的反向电压
（正电压）
LV二极管正向电压
（负电压）
I
泄漏
LV道泄漏电流
（引脚1和2 ）
条件
I
F
= 10毫安;牛逼
A
= 25°
C
（见注1 ）
民
6.8
典型值
8.2
最大
9.2
单位
V
I
F
= 10毫安;牛逼
A
= 25°
C
–1.05
T
A
= -30° 65 °的VIN = 3.3V，
C
C;
V
N
=0V
–0.9
–0.6
100
V
nA
LV道泄漏电流
（只引脚3 ）
C
IN
LV通道输入电容
T
A
= -30° 65 °的VIN = 3.3V，
C
C;
V
N
=0V
在1 MHz ，V
N
= 0V ， VIN = 1.65V
1.2
100
nA
1.5
pF
C
IN
LV通道输入电容
匹配
HV道泄漏电流
高压通道输入电容
在1 MHz ，V
N
= 0V ， VIN = 1.65V
0.02
pF
I
LEAK_HV
C
IN_HV
T
A
=25° V
CC
=11V, V
N
=0V
C;
在1 MHz ，V
N
= 0V ， VIN = 2.5V
0.1
53
1.0
A
pF
V
F_HV
V
ESD
高压二极管的击穿电压
正电压
ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入，系统
每接触放电
IEC 61000-4-2标准
LV通道钳位电压（引脚1-3）
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
LV通道正瞬态
LV通道瞬态负
高压通道正瞬态
高压通道瞬态负
I
F
= 10毫安;牛逼
A
=25°
C
14.6
17.7
V
T
A
=25°
C
±8
（引脚1-3）
±15
（引脚4 ）
kV
kV
V
CL
T
A
=25° I
PP
= 1A,
C,
t
P
= 8/20
S
+9.64
–1.75
V
V
R
DYN
I
PP
= 1A ，T
P
= 8/20
S
任何I / O引脚与地
0.72
0.59
1.20
0.36
注1 ：在T指定的所有参数
A
= -40°至+ 85° ，除非另有说明。
C
C
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