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CM1240
双电压ESD保护阵列的USB端口
特点
4通道ESD保护
8kV的ESD保护( IEC 61000-4-2 ,接触
放)
16kV的ESD保护( HBM )
SOT-563
TDFN - 8 , 1.70毫米X 1.35毫米, 0.4mm间距
TDFN - 8 ,采用2mm x 2mm , 0.5mm间距
无铅
16V钳位电压(VCC)
的CM1240的信道是一个高电压( HV)的二极管
已25PF的电容,使其能够保护
电源输入或OLED电源轨等。
部分集成雪崩式ESD二极管,它
为敏感的一个非常高的水平的保护
即可以进行电子元件
静电放电( ESD ) 。 ESD保护
二极管的设计和特征,以安全地
消散8kV的静电放电罢工,最大
在IEC61000-4-2国际的要求
标准。采用MIL -STD- 883 (方法3015 )
规范人体模型( HBM ) ESD时,
引脚保护的更大的接触放电
超过16kV的。
该装置特别适于用于便携式
电子产品(如无线手机,PDA ,笔记本电脑
计算机,因为它的小封装格式),并
易于使用的引脚分配。特别地,
CM1240是理想的保护USB或微型USB端口
工作在全速( 12Mbps的) 。
该CM1240是节省空间,低调可用,
无铅TDFN- 8或SOT- 563封装。
应用
USB和迷你USB应用
用于手机的I / O端口保护
无线手机
产品说明
加利福尼亚微设备公司的CM1240是一款四通道
ESD保护阵列。三个通道的CM1240的
是低电压(LV)的二极管,它具有一个电容
7pF的的使他们能够保护高速I / O端口
同时提供强大的ESD保护。另
PACKAGE /引脚图
SOT-563
D
1
1
6 GND
5 D
3
4
GND
D
2
TDFN-8
D
1
1
5 NC
NC
DAP 6
7 NC
8 NC
2
D
2
2
V
CC
3
D
3
3
V
CC
4
订购信息
品名信息
无铅完成
LEADS
6
8
8
SOT-563
TDFN-0.5mm
TDFN-0.4mm
订货型号
CM1240-F4SE
CM1240-04DE
CM1240-04D4
最热
L40
L40 4E
L4
引脚说明
2007加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
5/16/07
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
l
联系电话: 408.263.3214
l
传真: 408.263.7846
l
www.cmd.com
1
CM1240
特定网络阳离子
SOT-563
针#
1
2
5
3
4
6
TDFN
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
DAP
名字
D1
D2
D3
VCC
NC
NC
NC
NC
GND
GND
描述
低电压的ESD二极管的负极连接
低电压的ESD二极管的负极连接
低电压的ESD二极管的负极连接
高电压ESD二极管的负极连接
无连接
无连接
无连接
无连接
所有的ESD二极管阳极侧连接
所有的ESD二极管阳极侧连接
绝对最大额定值
参数
ESD保护( HBM )
引脚电压
VCC和GND
所有其他引脚GND
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
[ GND - 0.3 ] +13
[ GND - 0.3 ]为+5.5
-65到+150
300
V
V
°C
°C
等级
±16
单位
kV
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
2007加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
l
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l
传真: 408.263.7846
l
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5/16/07
CM1240
特定网络阳离子
电气运行特性
(注1 )
符号
C
LV
C
HV
I
LV
I
HV
V
CL ( LV )
参数
LV二极管电容有3Vdc ; 1MHz时, 30mVac
高压二极管的电容有3Vdc ; 1MHz时, 30mVac
LV二极管漏在+ 3.3V反向偏压
高压二极管的泄漏在+ 11V的反向偏置电压
LV二极管信号钳位电压:
肯定夹紧, 10毫安
负钳, -10mA
高压二极管信号钳位电压:
肯定夹紧, 10毫安
负钳, -10mA
在系统ESD耐压:
人体模型( MIL -STD -883方法3015 )
IEC 61000-4-2 ,接触放电方法
LV二极管的动态电阻:
积极
高压二极管的动态电阻:
积极
注2
±25
±12
2.8
1.2
1
0.7
kV
kV
Ω
Ω
Ω
Ω
5.6
–1.5
13
–1.5
条件
典型值
6
25
0.01
0.01
6.8
–0.8
16
–0.8
0.4
0.4
9
–0.4
19
–0.4
最大
单位
pF
pF
μA
μA
V
V
V
V
V
CL( HV)的
V
ESD
R
DYN ( LV )
R
DYN ( HV)的
注1 :保证在25℃时仅
注2 :静电放电施加到输入/输出引脚相对于GND ,一次一个。这些参数由设计保证。
2007加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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3
CM1240
机械细节
SOT- 563机械规格
该CM1240是在一个6引脚SOT- 563封装。
尺寸介绍如下。
机械封装图
机械封装图
顶视图
D
e1
英寸
最大
0.60
0.27
0.18
1.60 BSC
1.50
1.60
1.20 BSC
0.50 BSC
1.00 BSC
0.20 BSC
5000条
1.70
0.020
0.007
0.003
0.059
0.063
0.022
0.009
最大
0.024
0.011
0.007
0.067
SIDE VIEW
A
2X
0.20
0.20
包装尺寸
LEADS
DIM 。
A
b
c
D
E
E1
e
e1
L
#每
磁带和
REEL
MILLIMETERS
0.50
0.17
0.08
0.55
0.22
SOT-563
6
6
C A -B 2X
D
4
5
E1
CD
1
2
3
E
0.063 BSC
0.047 BSC
0.020 BSC
0.040 BSC
0.008 BSC
销1
记号
e
b
0.20
c
2X
C
0.10
C
座位
飞机
控制尺寸:毫米
c
端视图
L
*为了达到最佳效果,无论是场地应连接
封装尺寸为SOT- 563 。
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4
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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CM1240
机械详情(续)
TDFN -08机械规格
该CM1240是在8引脚TDFN 0.5毫米提供
封装。尺寸介绍如下。
有关TDFN -08的完整信息,请参阅
加利福尼亚微设备公司TDFN封装信息
文档。
机械封装图
D
8 7 6 5
包装尺寸
JEDEC
LEADS
DIM 。
A
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
#每
磁带和
REEL
0.20
0.20
0.30
0.40
0.20
1.90
1.50
1.90
0.80
MILLIMETERS
0.70
0.75
0.20 REF
0.25
2.00
1.60
2.00
0.90
0.50 BSC
0.30
2.10
1.70
2.10
1.00
最大
0.80
0.028
0.008
0.075
0.059
0.075
0.031
0.008
0.008
0.012
0.016
3000件
TDFN
MO- 229 (VAR 。 VCCD - 3 )
*
8
英寸
0.030
0.010
0.079
0.063
0.079
0.035
0.008 REF
0.012
0.083
0.067
0.083
0.039
A
A3
0.10 C
E
销1
记号
最大
0.031
1 2 3 4
顶视图
0.020 BSC
SIDE VIEW
1 2 3 4
控制尺寸:毫米
D2
*
这个包是符合JEDEC标准MO- 229 ,变化
VCCD -3除了D2和E2尺寸在叫出来
上面的表格和r1中尺寸未在指定的
MO- 229标准。
GND焊盘
E2
C0.25
R
L
K
e
8 7 6 5
b
8X
底部视图
0.10
M
出租车
封装尺寸为8引脚, 0.5mm间距
TDFN封装
2007加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
5/16/07
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
l
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l
传真: 408.263.7846
l
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5
双电压ESD保护
数组的USB端口
CM1240
特点
四通道ESD保护
± 8kV的ESD保护( IEC 61000-4-2 ,接触
放)
± 16kV的ESD保护( HBM )
SOT- 563采用节省空间的封装
符合RoHS标准的无铅整理
16V钳位电压(VCC)
产品说明
该CM1240是一款4通道ESD保护阵列。三
的CM1240的信道是低电压(LV)的二极管,
已7pF的的电容使他们能够保护
同时提供强大的ESD高速I / O端口
保护。的CM1240的其它信道是一个高
电压( HV)的二极管,它具有25PF的电容
使其能够保护电源输入或OLED电源
导轨等
部分集成雪崩式ESD二极管,它
为敏感的一个非常高的水平的保护
即可以进行电子元件
静电放电( ESD ) 。 ESD保护二极管
的设计和特征,以安全地消散静电放电
具有±8kV ,的最大要求罢工
IEC61000-4-2国际标准。采用MIL -STD-
883 (方法3015 )规范人体模型
( HBM ) ESD ,该引脚为保护接触放电
比± 16kV的更大。
该装置特别适于用于便携式
电子产品(如无线手机,PDA ,笔记本电脑
计算机,因为它的小封装格式,且易于的)
对使用的引脚分配。特别是, CM1240是理想
为保护在整个工作USB或mini- USB端口
全速(12Mbps ) 。
应用
USB和迷你USB应用
用于手机的I / O端口保护
无线手机
2010 SCILLC 。版权所有。
2010年4月 - 订正
出版订单号:
CM1240/D
CM1240
订购信息
品名信息
无铅完成
LEADS
6
SOT-563
订货型号
CM1240-F4SE
最热
L40
引脚说明
SOT-563
针#
1
2
5
3
4
6
名字
D1
D2
D3
VCC
NC
NC
NC
NC
GND
GND
描述
低电压的ESD二极管的负极连接
低电压的ESD二极管的负极连接
低电压的ESD二极管的负极连接
高电压ESD二极管的负极连接
无连接
无连接
无连接
无连接
所有的ESD二极管阳极侧连接
所有的ESD二极管阳极侧连接
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
ESD保护( HBM )
引脚电压
VCC和GND
所有其他引脚GND
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
[ GND - 0.3 ] +13
[ GND - 0.3 ]为+5.5
-65到+150
300
V
V
°C
°C
等级
16
单位
kV
订正3 |第6 2 | www.onsemi.com
CM1240
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
符号
C
LV
C
HV
I
LV
I
HV
V
CL ( LV )
参数
LV二极管电容有3Vdc ; 1MHz时, 30mVac
高压二极管的电容有3Vdc ; 1MHz时, 30mVac
LV二极管漏在+ 3.3V反向偏压
高压二极管的泄漏在+ 11V的反向偏置电压
LV二极管信号钳位电压:
肯定夹紧, 10毫安
负钳, -10mA
高压二极管信号钳位电压:
肯定夹紧, 10毫安
负钳, -10mA
在系统ESD耐压:
人体模型( MIL -STD -883方法3015 )
IEC 61000-4-2 ,接触放电方法
LV二极管的动态电阻:
积极
高压二极管的动态电阻:
积极
注2
±25
±12
条件
(注1 )
典型值
6
25
0.01
0.01
最大
单位
pF
pF
0.4
0.4
A
A
5.6
–1.5
6.8
–0.8
9
–0.4
V
V
V
CL( HV)的
13
–1.5
16
–0.8
19
–0.4
V
V
V
ESD
kV
kV
Ω
Ω
Ω
Ω
R
DYN ( LV )
2.8
1.2
R
DYN ( HV)的
1
0.7
注1 :保证在25℃时仅
注2 :静电放电施加到输入/输出引脚相对于GND ,一次一个。这些参数由设计保证。
订正3 | 6第3页| www.onsemi.com
CM1240
机械细节
SOT- 563机械规格
在CM1240 - F4SE在6引脚SOT- 563封装。尺寸介绍如下。
包装尺寸
LEADS
MILLIMETERS
DIM 。
A
b
c
D
E
E1
e
e1
L
#每
磁带和
REEL
1.50
0.50
0.17
0.08
0.55
0.22
0.13
1.60 BSC
1.60
1.20 BSC
0.50 BSC
1.00 BSC
0.20 BSC
5000条
1.70
最大
0.60
0.27
0.18
0.020
0.007
0.003
0.022
0.009
0.005
最大
0.024
0.011
0.007
SOT-563
6
英寸
0.063 BSC
0.059
0.063
0.067
0.047 BSC
0.020 BSC
0.040 BSC
0.008 BSC
控制尺寸:毫米
封装尺寸为SOT- 563
订正3 | 6第4页| www.onsemi.com
CM1240
磁带和卷轴规格
包装尺寸
部件号(毫米)
CM1240-F4SE
1.60 X 1.60 X 0.55
口袋大小(毫米)
B
0
X A
0
×K个
0
1.78 X 1.78 X 0.690
胶带宽度REEL
W
直径
8mm
178毫米( 7英寸)
QTY PER
REEL
5000
P
0
4mm
P
1
4mm
订正3 |第6 5 | www.onsemi.com
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CM1240
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CM1240
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