RP- 11单触点卡口
1.42
马克斯。
P的艺术
数
M1183
M1105
M1133
M1143
M1195
M1293
2.05
马克斯。
德IGN
V oltage
5.5
6.2
6.2
12.5
12.5
12.5
12.8
22.0
22.0
26.0
一个MPS
6.25
5.72
3.91
1.98
3.00
3.00
1.04
1.50
.96
2.70
MS分析C P
50.0
50.0
32.0
32.0
50.0
50.0
15.0
50.0
27.0
105.0
L IFE
小时
100
125
200
400
300
300
700
100
100
25
F ilament
牛逼YPE
-2V
-2V
-2R
-2R
-2V
-2R
C -6
-2V
-2V
2C C -6
M1139
M1041
M1145
M1047
RP- 11双联系卡口
1.42
马克斯。
P的艺术
数
M1184
M1000
M1134
M1096
M1124
2.05
马克斯。
德IGN
V oltage
5.5
6.2
6.2
6.2
12.5
12.5
12.5
12.5
32.0
32.0
32.0
40.0
44.0
一个MPS
6.25
3.90
3.98
3.91
3.00
1.92
1.92
1.98
.74
1.15
.55
.92
.47
MS分析C P
50.0
32.0
32.0
32.0
50.0
32.0
32.0
32.0
32.0
50.0
21.0
50.0
21.0
L IFE
小时
100
125
125
200
300
300
300
400
100
100
100
100
150
F ilament
牛逼YPE
-2V
-2V
* -2V
-2R
-2V
2C -2R *
-2R
-2V
-7A
-2V
C -5
C -13
M1144
M1054
M1056
M1230
M1062
M1150
*成双F- ilament灯
美国:
CML创新技术公司。
147中央大街
哈肯萨克-NJ 07601 -USA
联系电话: 1-201-489 -8989
传真: 1-201-489 -6911
电子邮件: americas@cml-it.com
欧洲:
CML技术有限公司&Co.KG
Robert-Bunsen-Str.1
67098巴特迪克海姆 - 德国
电话: +49 ( 0 ) 6322 9567-0
传真: +49 ( 0 ) 6322 9567-88
电子邮件: europe@cml-it.com
亚洲:
CML创新技术公司。
61阿依街
新加坡459975
电话: ( 65 ) 9630 -5003
电子邮件: asia@cml-it.com
的CML -IT保留对规范的修订增强了产品的设计和/或性能的权利
RP- 11单触点卡口&
RP- 11双联系卡口
初步
CM1230
2,4和8通道低电容ESD保护阵列
特点
2,4和8个通道的ESD保护
提供ESD保护,符合IEC61000-4-2第4级
±8kV
接触放电
±15kV
空气放电
0.8pF典型的低负载电容
最小的电容随温度的变化而
电压
通道I / O至GND电容差
0.02pF典型的是理想的差分信号
通道I / O与I / O电容0.15pF典型
齐纳二极管保护电源轨,并消除了
需要外部旁路电容
每个I / O引脚可以承受超过1000静电放电
可在4,6和10焊球晶片级封装
年龄( CSP )
的OptiGuard
对于涂在提高可靠性
装配
无铅版本
产品说明
的CM1230是一个家族的2,4和8信道,非常低
在CSP封装电容ESD保护二极管阵列
因素。该器件非常适用于保护系统
高数据和时钟速率,或要求低的电路
容性负载。每个信道由一对的
ESD二极管用作钳位二极管转向积极
或负ESD电流脉冲,以正或
负电源轨。齐纳二极管集成到
的正和负电源之间的阵列
轨。在V
CC
因此,铁路免受ESD冲击
并且省去了一个旁路电容
积极吸收ESD冲击到地面。每个通道
在CM1230可以安全地消散静电放电
±
8kV的,会议的4级要求
IEC61000-4-2国际标准的接触显示
费用,以及
±
每15kV空气放电
IEC61000-4-2规范。采用MIL -STD- 883
(方法3015 )规范人体模型
( HBM ) ESD ,该引脚为保护接触解散
收费大于
±
15kV.
此设备尤其适合于未来一代
实现高速化无线手机
对于液晶显示器和摄像机的串行接口解决方案
时代的接口。在这些无线手机设计中,
公差以上取1.5pF不能由于耐受
被该基线之间传输的高数据速率
带芯片和LCD驱动器/控制器IC
因为较高的容性负载将导致上升
和下降时间要慢而这又阻碍了功能
电路的无线手工和操作的族体
设置的。
该CM1230集成
的OptiGuard
这导致
在装配改进的可靠性。该CM1230是
在节省空间的,低调的芯片级可用
套餐可选无铅整理。
应用
在无线手持设备LCD和相机数据线
使用高速串行接口。
用于手机,笔记本电脑的I / O端口保护
计算机和DSC ,MP3播放器,PDA等includ-
荷兰国际集团的USB , 1394和串行ATA
无线手机
掌上电脑/ PDA的
LCD和相机模块
电气原理图
V
P
CH4
V
P
CH3
CH8
CH7
V
P
CH6
CH5
CH1
CH2
V
N
CH1
V
N
CH2
CH1
CH2
V
N
CH3
CH4
CM1230-02CS/CP
CM1230-04CS/CP
CM1230-08CS/CP
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
03/15/06
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话: 408.263.3214
●
传真: 408.263.7846
●
www.cmd.com
1
初步
CM1230
PACKAGE /引脚图
顶视图
(凸起往下看)
方向
记号
(见注2 )
底部视图
(颠簸查看)
1
A
B
2
A2
A1
B1
L
CM1230-02
4焊球CSP封装
B2
方向
记号
(见注2 )
1
A
B
2
3
A3
A2
B2
A1
B1
A1
L30
CM1230-04
6焊球CSP封装
B3
方向
记号
(见注2 )
1
A
B
2
3
4
5
A5
A4
B4
A3
B3
A2
B2
A1
B1
A1
L308
B5
注意事项:
1 )这些附图不按比例绘制。
2)无铅设备通过使用" + "字符为顶侧取向标记指定。
CM1230-08
10焊球CSP封装
订购信息
品名信息
标准完成
#通道
2
4
8
颠簸
4
6
10
包
CSP-4
CSP-6
CSP-10
订购零件
数
1
CM1230-02CS
CM1230-04CS
CM1230-08CS
最热
L
L30
L308
无铅完成
2
订购零件
数
1
CM1230-02CP
CM1230-04CP
CM1230-08CP
最热
L
L30
L308
注1 :部件是运带&卷轴形式,除非另有规定。
注2 :无铅器件通过使用指定的"
+
& QUOT ;字符的顶侧方位标记。
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话: 408.263.3214
●
传真: 408.263.7846
A1
方向
记号
方向
记号
方向
记号
●
www.cmd.com
03/15/06
初步
CM1230
引脚说明
引脚说明
引脚说明(续)
2通道, 4焊球CSP
针
A1
B1
A2
B2
名字
V
N
CH2
CH1
V
P
名字
CH1
CH2
V
P
V
N
CH3
CH4
TYPE
GND
I / O
I / O
PWR
描述
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
针
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
A5
B5
8通道, 10焊球CSP
名字
CH1
CH2
CH3
CH4
V
P
V
N
CH5
CH6
CH7
CH8
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
PWR
GND
I / O
I / O
I / O
I / O
描述
ESD通道
ESD通道
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
ESD通道
ESD通道
4通道, 6焊球CSP
针
A1
B1
A2
B2
A3
B3
TYPE
I / O
I / O
PWR
GND
I / O
I / O
描述
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
03/15/06
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话: 408.263.3214
●
传真: 408.263.7846
●
www.cmd.com
3
初步
CM1230
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
工作电源电压(V
P
- V
N
)
工作温度范围
存储温度范围
任意信道输入的直流电压
等级
6.0
-40至+85
-65到+150
(V
N
- 0.5)至(Ⅴ
P
+ 0.5)
单位
V
°C
°C
V
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
(见注1 )
符号参数
V
P
工作电源电压(V
P
-V
N
)
I
P
V
F
工作电源电流
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
道泄漏电流
通道输入电容
通道输入电容匹配
信号之间的互电容
引脚和相邻信号引脚
在系统ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入,系统
一)每触点放电
IEC 61000-4-2标准
B)人体模型, MIL-
STD -883方法3015
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
条件
(V
P
-V
N
)=3.3V
I
F
= 8毫安;牛逼
A
=25°C
0.60
0.60
0.80
0.80
±0.1
0.8
0.02
0.15
民
典型值
3.3
最大
5.5
8.0
0.95
0.95
±1.0
1.20
单位
V
μA
V
V
μA
pF
pF
pF
I
泄漏
C
IN
T
A
= 25°C ; V
P
=5V, V
N
=0V,
V
IN
= 0V至5V
在1 MHz ,V
P
=3.3V, V
N
=0V,
V
IN
= 1.65V ;注2适用
在1 MHz ,V
P
=3.3V, V
N
=0V,
V
IN
= 1.65V ;注2适用
在1 MHz ,V
P
=3.3V, V
N
=0V,
V
IN
= 1.65V ;注2适用
Δ
C
IN
C
互
V
ESD
注2 , 4 & 5 ;牛逼
A
=25°C
注2 , 3 & 5 ;牛逼
A
=25°C
T
A
= 25 ° C,I
PP
= 1A ,T
P
= 8/20μS;
注2 , & 5
I
PP
= 1A ,T
P
= 8/20μS
任何I / O引脚接地;注2和5
±8
±15
kV
kV
V
CL
+9.8
-1.8
0.76
0.56
V
V
Ω
Ω
R
DYN
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
注6 :
在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
这些参数通过设计和特性保证。
每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ,C
放电
= 100pF电容,R
放电
= 1.5KΩ ,V
P
= 3.3V, V
N
接地。
标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的,R
放电
= 330Ω, V
P
= 3.3V, V
N
接地。
与V无需外部电容进行这些测量
P
.
脉冲的条件下,脉冲宽度= 0.7mS ,最大电流= 1.5A下进行测定。
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话: 408.263.3214
●
传真: 408.263.7846
●
www.cmd.com
03/15/06
初步
CM1230
演出信息
输入通道电容性能曲线
2.000
1.800
1.600
电容(pF)
1.400
1.200
1.000
0.800
0.600
0.400
0.200
0.000
0
0.5
1
1.5
偏置电压( V)
2
2.5
3
的C典型变化
IN
与V
IN
( F = 1MHz时, VP = 3.3V , VN = 0V , 0.1
μF
VP和VN之间的贴片电容,
T
A
=
25°C
)
0.90
电容[ pF的]
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
-50
-25
0
0V DC输入偏置
1.65直流输入偏置
25
50
75
100
温度'C ]
的C典型变化
IN
VS. TEMP
( F = 1MHz时, V
IN
= 30mV的, VP = 3.3V , VN = 0V ,
0.1
μF
VP和VN之间的贴片电容)
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
03/15/06
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话: 408.263.3214
●
传真: 408.263.7846
●
www.cmd.com
5
2 , 4 , 8通道低电容
ESD保护阵列
CM1230
特点
两个,四个和八个信道的ESD保护
提供ESD保护,符合IEC61000-4-2
4级
±8kV
接触放电
±15kV
空气放电
0.8pF典型的低负载电容
最小的电容随温度的变化
和电压
通道I / O至GND电容差
0.02pF典型的是理想的差分信号
通道I / O与I / O电容0.15pF典型
齐纳二极管保护电源轨和消除
需要外部旁路电容器
每个I / O引脚可以承受超过1000 ESD
罢工*
可在4,6和10焊球晶片级
封装( CSP )
的OptiGuard
对于涂在提高可靠性
装配
符合RoHS标准的无铅版本整理
产品说明
的CM1230是一个家族的2,4和8信道,很
在低电容ESD保护二极管阵列
CSP的外形。它是理想的保护系统
具有高数据和时钟速率或对电路那
需要低容性负载。每个通道都包括
一对ESD二极管充当钳位二极管的
将ESD电流脉冲,以正或
负电源轨。齐纳二极管集成
之间的正和负电源轨。该
V
CC
铁路是由ESD冲击和消除保护
需要一个旁路电容来吸收正
ESD冲击到地面。每个通道可以安全地
消散± 8kV的静电放电罢工,满足4级
在IEC61000-4-2国际的要求
标准以及± 15kV的每个空气放电
IEC61000-4-2规范。采用MIL -STD-
883 (方法3015 )规范人体
模型(HBM )ESD时,销被保护为
接触放电在大于± 15kV的。
这个装置是非常适合于下一代
实现高速串行无线手机
对于LCD显示器和照相机接口解决方案
接口。在这些设计中,一个公差以上
取1.5pF不能耐受时高的数据速率是
基带choppiest之间转移
LCD驱动器/控制器是。更高的电容
加载通常会导致上升和下降时间为
慢这妨碍电路的功能,并
无线手持机的操作。该CM1230
整合
的OptiGuard
这导致改进的
在装配的可靠性。该CM1230是一个可
节省空间,低调芯片级封装与
符合RoHS标准的无铅整理。
应用
无线LCD和相机数据线
使用高速串行接口的手机。
用于手机的I / O端口保护,
笔记本电脑, DSC的,MP3播放器,
PDA等,包括USB , 1394和串行ATA
无线手机
掌上电脑/ PDA的
LCD和相机模块
2010 SCILLC 。版权所有。
2010年5月 - 第2版
出版订单号:
CM1230/D
CM1230
*
标准的测试条件为IEC61000-4-2第4级的测试电路,每(A
连续试运行。
OUT
/B
OUT
)引脚承受± 12kV的接触放电为1000个脉冲。放电定时每隔1秒和1000的所有罢工都在一个完成
订正3 |第2页16 | www.onsemi.com
CM1230
订购信息
品名信息
#通道
2
2
4
8
颠簸
4
4
6
10
包
CSP-4
CSP-4
CSP-6
CSP-10
订货型号
1
CM1230-02CP
CM1230-J2CP
CM1230-04CP
CM1230-08CP
最热
L
L
L30
L308
注1 :零件被运卷带形式,除非另有规定。
引脚说明
2通道, 4焊球CSP
PI
N
A1
B1
A2
B2
名字
V
N
CH2
CH1
V
P
TYPE
GND
I / O
I / O
PWR
描述
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
PI
N
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
A5
B5
8通道, 10焊球CSP
名字
CH1
CH2
CH3
CH4
V
P
V
N
CH5
CH6
CH7
CH8
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
PWR
GND
I / O
I / O
I / O
I / O
描述
ESD通道
ESD通道
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
ESD通道
ESD通道
4通道, 6焊球CSP
PI
N
A1
B1
A2
B2
A3
B3
名字
CH1
CH2
V
P
V
N
CH3
CH4
TYPE
I / O
I / O
PWR
GND
I / O
I / O
描述
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
第3版|第16页3 | www.onsemi.com
CM1230
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
工作电源电压(V
P
- V
N
)
工作温度范围
存储温度范围
任意信道输入的直流电压
等级
6.0
-40至+85
-65到+150
(V
N
- 0.5)至(Ⅴ
P
+ 0.5)
单位
V
°C
°C
V
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
订正3 |第4页16 | www.onsemi.com
CM1230
电气运行特性
符号参数
V
P
I
P
V
F
工作电源电压(V
P
-V
N
)
工作电源电流
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
道泄漏电流
通道输入电容
通道输入电容匹配
信号之间的互电容
引脚和相邻信号引脚
在系统ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入,系统
一)每触点放电
IEC 61000-4-2标准
B)人体模型, MIL-
STD -883方法3015
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
(见注1 )
条件
民
典型值
3.3
最大
5.5
8.0
单位
V
μA
V
V
μA
pF
pF
pF
(V
P
-V
N
)=3.3V
I
F
= 8毫安;牛逼
A
=25°C
0.60
0.60
T
A
= 25°C ; V
P
=5V, V
N
=0V,
V
IN
= 0V至5V
在1 MHz ,V
P
=3.3V, V
N
=0V,
V
IN
=1.65V
在1 MHz ,V
P
=3.3V, V
N
=0V,
V
IN
=1.65V
在1 MHz ,V
P
=3.3V, V
N
=0V,
V
IN
=1.65V
0.80
0.80
±0.1
0.8
0.02
0.15
0.95
0.95
±1.0
1.20
I
泄漏
C
IN
Δ
C
IN
C
互
V
ESD
注意到图3和4 ;牛逼
A
=25°C
注2和4;牛逼
A
=25°C
T
A
= 25 ° C,I
PP
= 1A ,T
P
= 8/20μS;
注4
I
PP
= 1A ,T
P
= 8/20μS
任何I / O引脚接地;注4
±8
±15
kV
kV
V
CL
+9.8
-1.8
0.76
0.56
V
V
Ω
Ω
R
DYN
在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ,C
放电
= 100pF电容,R
放电
= 1.5KΩ ,V
P
= 3.3V, V
N
接地。
标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的,R
放电
= 330Ω, V
P
= 3.3V, V
N
接地。
与V无需外部电容进行这些测量
P
.
脉冲的条件下,脉冲宽度= 0.7mS ,最大电流= 1.5A下进行测定。
第3版|第16页5 | www.onsemi.com