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CM1219
低电容瞬态电压
抑制器/ ESD保护器
特点
在4PF典型的低I / O电容
在系统ESD保护
±8kV
联系
放电时,按国际IEC 61000-4-2
标准
两个,三个,四个或五个通道的ESD保护
紧凑的SMT封装可节省电路板空间和
有利于布局空间要求严格的应用
每个I / O引脚可以承受超过1000静电放电
提供无铅版本
产品说明
该CM1219系列器件的特点瞬态电压
年龄抑制器阵列,其提供了非常高的水平
保护敏感的电子元器件哪些
可以进行静电放电(ESD ) 。
在CM1219的所有引脚的额定承受
±8kV
ESD脉冲采用IEC 61000-4-2接触解散
充电方法。采用MIL -STD- 883D (方法
3015 )规范人体模型( HBM )
ESD,所有引脚均保护接触放电
大于
±15kV.
的CM1219是在一些紧凑,外加供给
根据不同的通道环境面貌贴装封装
成形所需。所有版本的该装置是
提供可选无铅整理。
应用
高速的消费电子口岸
ESD保护的PC端口,包括USB端口,
串行端口,并行端口, IEEE 1394端口,
对接端口,专有端口等。
保护接口端口或IC管脚是
暴露于高ESD级别
电气原理图
CM1219-02
V
N
3
4
CM1219-03
3
1
2
1
V
N
2
SOT23-3 /
SC70-3
CM1219-04
5
4
6
SOT-143
CM1219-05
5
4
1
2
V
N
3
1
2
V
N
3
SOT23-5 /
SC70-5
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
12/22/04
SOT23-6 /
SC70-6
430 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
联系电话: 408.263.3214
传真: 408.263.7846
www.calmicro.com
1
CM1219
PACKAGE /引脚图
顶视图
CH1
顶视图
CH1
顶视图
CH1
顶视图
CH4
CH1
V
N
1
1
1
5
1
5
CH4
S4 /
S4R
S4/
S4R
S2 /
S2R
CH2
S2 /
S2R
3
V
N
CH2
3
V
N
V
N
2
2
2
2
CH2
3
4
CH3
CH2
3
4
CH3
3引脚SOT23
3引脚SC70
5引脚SOT23封装
5引脚SC70
顶视图
CH1
V
N
顶视图
CH5
CH1
V
N
顶视图
CH5
V
N
1
6
1
6
1
4
CH3
S5 /
S5R
S3 /
S3R
S5 /
S5R
2
5
CH4
2
5
CH4
CH2
3
4
CH3
CH2
3
4
CH3
CH1
2
3
CH2
6引脚SOT23
6引脚SC70
4引脚SOT143
注: SOT23 , SC70和SOT143封装的尺寸可能不同。这些附图不是按比例绘制的。
引脚说明
LEADS
(参见包/引脚图)
(参见包/引脚图)
名字
CHX
V
N
描述
各自的TVS二极管的阴极,这应该是
连接到要求的瞬态电压保护的节点。
的TVS二极管的阳极。
订购信息
品名信息
标准完成
LEADS
3
3
4
5
5
6
6
SOT23-3
SC70-3
SOT143
SOT23-5
SC70-5
SOT23-6
SC70-6
订购零件
1
CM1219-02ST
CM1219-02SC
CM1219-03SS
CM1219-04ST
CM1219-04SC
CM1219-05ST
CM1219-05SC
最热
S2
S2
S3
S4
S4
S5
S5
无铅完成
订购零件
1
CM1219-02SO
CM1219-02S7
CM1219-03SR
CM1219-04SO
CM1219-04S7
CM1219-05SO
CM1219-05S7
最热
S2R
S2R
S3R
S4R
S4R
S5R
S5R
注1 :部件是运带&卷轴形式,除非另有规定。
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
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12/22/04
CM1219
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
存储温度范围
封装功耗
SC70
SOT23-3 , SOT23-5 , SOT23-6 , SOT143
等级
-65到+150
0.2
0.225
单位
°C
W
W
标准工作条件
参数
工作温度
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
(注1 )
符号参数
C
IN
通道输入电容
差分通道I / O至GND
电容
相反的立场-O FF电压
条件
T
A
= 25 ° C, 2.5VDC , 1MHz的;注2
T
A
= 25 ° C, 2.5VDC , 1MHz的;注2
I
R
= 10μA ,T
A
= 25°C
I
R
= 1毫安,T
A
= 25°C
I
泄漏
V
SIG
漏电流
小信号钳位电压
积极钳
负钳
V
IN
= 5.0VDC ,T
A
= 25°C
I = 10毫安,T
A
= 25°C
I = -10mA ,T
A
= 25°C
+8
+15
6.8
-0.8
5.5
6.1
1
典型值
4
0.14
最大
单位
pF
pF
V
V
C
IN
V
RSO
A
V
V
kV
kV
V
ESD
ESD耐压
符合IEC 61000-4-2注2接触放电, 4 & 5 ;牛逼
A
= 25°C
4-2标准
人体模型, MIL -STD -883 ,注2,注3 & 5 ;牛逼
A
= 25°C
方法3015
二极管的动态电阻
正向导通
逆向传导
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
R
D
T
A
= 25°C ;注2 & 3
1.3
3.7
在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
这些参数通过设计和特性保证。
每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ,C
放电
= 100pF电容,R
放电
= 1.5KΩ ,V
N
接地。
标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的,R
放电
= 330, V
N
接地。
与CH没有外部电容进行这些测量
X
.
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3
CM1219
演出信息
二极管电容
典型的二极管的电容相对于正的TVS阴极电压(二极管两端的反向电压)给出
in
图1 。
电容(归)
直流电压
图1.二极管电容与反向电压
典型的大电流二极管特性
测量是在脉冲模式以0.7ms的标称脉冲宽度。
典型输入VI特性
(脉冲模式测量,脉冲宽度= 0.7mS标称)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
R
D
=
1
输入电流(A )
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
R
D
=
1
输入电压( V)
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CM1219
机械细节
CM1219设备在下面的封装提供
年龄: SOT23-3 , SOT143 , SOT23-5 , SOT23-6 , SC70-3 ,
SC70-5 SC70-6和。
SOT23-3机械规格
在提供的尺寸CM1219-02ST / SO设备
3引脚SOT23封装,现报道如下。
有关SOT23-3的完整信息,请参阅校准 -
ifornia微设备SOT23封装信息doc-
输稿。
机械封装图
顶视图
b
3
包装尺寸
引脚
尺寸
A
A1
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
#每个磁带
和卷轴
MILLIMETERS
0.89
0.01
0.30
0.08
2.80
2.10
1.20
最大
1.12
0.10
0.50
0.20
3.04
2.64
1.40
0.0350
0.0004
0.0118
0.0031
0.1102
0.0827
0.0472
SOT23-3 ( JEDEC的名字是TO- 236 )
3
英寸
最大
0.0441
0.0039
0.0197
0.0079
0.1197
0.1039
0.0551
端视图
1
2
E1 E
e
e1
SIDE VIEW
D
A1 A
0.95 BSC
1.90 BSC
0.40
0.60
0.54 REF
0.0374 BSC
BSC 0.0748
0.0157
0.0236
c
L1
L
0.0213 REF
3000件
控制尺寸:毫米
封装尺寸为SOT23-3封装。
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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