初步
CM1216
6和8通道低电容ESD阵列
特点
图6和8通道ESD保护
提供
+
每个通道15 kV ESD保护
按照IEC 61000-4-2 ESD要求
1.6 pF的典型信道负载电容
通道I / O至GND电容差
0.04pF典型
0.13pF典型的互电容
最小的电容随温度的变化而
电压
每个I / O引脚可以承受超过1000静电放电
SOIC和MSOP封装
提供无铅版本
产品说明
的CM1216家族二极管阵列被设计
以提供用于电子部件或ESD保护
个子系统需要最小的电容性负载。
这些器件非常适用于保护系统
高数据和时钟速率或电路要求低
容性负载。每个ESD通道由一
对二极管串联其中操纵阳性或neg-
ative ESD电流脉冲是正（Ⅴ
P
）或
负（V
N
）电源轨。该CM1216将保护
针对ESD脉冲高达
+
按照IEC 61000-4-2 15kV的
标准。
此设备尤其适合用于保护系
采用高速端口，如USB2.0 TEMS ，
IEEE1394 （火线
， ILINK
） ，串行ATA ， DVI ， HDMI
而相应的移动存储端口，数字
摄像机，DVD -RW驱动器和其它应用程序
其中，极低的负载电容与ESD
保护需要在一个小的封装尺寸。
该CM1216系列器件可与
可选无铅精加工。
应用
IEEE1394火线
在400Mbps的/ 800Mbps的端口
DVI端口， HDMI端口，笔记本电脑，机顶盒，
数字电视，液晶显示器
在台式电脑和硬盘串行ATA端口
驱动器
PCI Express端口
通用的高速数据线的ESD保护
化
简化的电气原理图
CH6
V
P
CH5
CH4
CH8
CH7
V
P
CH6 CH5
CH1
CH2
V
N
CM1216-06MS/MR
CM1216-06SN/SM
CH3
CH1
CH2
CH3
CM1216-08MS/MR
CH4
V
N
2005年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
06/30/05
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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联系电话： 408.263.3214
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传真： 408.263.7846
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PACKAGE /引脚布局图
顶视图
顶视图
CH1
CH2
V
N
顶视图
CH6
V
P
CH1
CH6
V
P
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
CH8
CH7
V
P
1
8
CH1
CH2
V
N
1
8
CH2
CH3
CH4
V
N
D168 /
E168
D166 /
E166
D166 /
E166
2
3
4
7
6
5
2
3
4
7
6
5
CH5
CH4
CH5
CH4
CH6
CH5
CH3
CH3
8引脚SOIC- 8
8引脚MSOP- 8
10引脚MSOP- 10
注意：该附图是不按比例。
引脚配置
引脚说明
针
名字
CH1
CH2
CH3
CH4
V
N
CH5
CH6
V
P
CH7
CH8
MSOP-8
PIN号
SOIC-8
PIN号
MSOP-10
PIN号
TYPE
描述
ESD通道
ESD通道
ESD通道
ESD通道
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
ESD通道
ESD通道
1
2
4
5
3
6
8
7
1
2
4
5
3
6
8
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I / O
I / O
I / O
I / O
GND
I / O
I / O
PWR
I / O
I / O
订购信息
品名信息
标准完成
引脚
8
8
10
包
SOIC
MSOP
MSOP
订购零件
数
1
CM1216-06SN
CM1216-06MS
CM1216-08MS
最热
D166
D166
D168
无铅完成
订购零件
数
1
CM1216-06SM
CM1216-06MR
CM1216-08MR
最热
E166
E166
E168
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
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特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
工作电源电压（V
P
-V
N
)
二极管的正向直流电流（注1 ）
任意信道输入的直流电压
工作温度范围
环境
连接点
存储温度范围
等级
6
20
(V
N
-0.5）到（Ⅴ
P
+0.5)
-40至+85
-40到+125
-40到+150
单位
V
mA
V
°C
°C
°C
标准工作条件
标准工作条件
参数
温度范围（环境）
封装额定功率
MSOP8封装（ CM1216-06MS / MR）
SOIC8封装（ CM1216-06SN / SM ）
MSOP10包（ CM1216-08MS / MR）
等级
-40至+85
400
600
400
单位
°C
mW
mW
mW
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规格（续）
电气运行特性
注1
符号
V
P
I
P
V
F
参数
工作电源电压
(V
P
-V
N
)
工作电源电流
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
道泄漏电流
通道输入电容
通道输入电容
匹配
互电容
ESD保护
峰值放电电压在
任何通道输入，在系统中，
每接触放电
IEC 61000-4-2标准
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
(V
P
-V
N
) = 3.3V
I
F
= 20mA下;牛逼
A
=25°C
0.6
0.6
0.8
0.8
±0.1
1.6
0.04
0.13
±15
条件
民
典型值
3.3
最大
5.5
8
0.95
0.95
±1.0
2.0
单位
V
μA
V
V
μA
pF
pF
pF
kV
I
泄漏
C
IN
ΔC
IN
C
互
V
ESD
T
A
= 25°C ; V
P
= 5V, V
N
= 0V
在1 MHz ，V
P
=3.3V, V
N
=0V,
V
IN
=1.65V;Note2
注2
(V
P
-V
N
） = 3.3V ;注2
注意到2 ，3和4;牛逼
A
= 25°C
V
CL
I
PP
= 1A ，T
P
= 8/20μS;
T
A
= 25°C ;注2
I
PP
= 1A ，T
P
= 8/20μS;
T
A
= 25°C ;注2
+9.0
-1.5
0.6
0.4
V
V
Ω
Ω
R
DYN
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
这些参数通过设计和特性保证。
标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330
Ω
, V
P
= 3.3V, V
N
接地。
从I / O引脚V
P
或V
N
只。 V
P
旁路到V
N
低ESR 0.2μF的陶瓷电容。
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性能特点
图1的C典型变化
IN
与V
IN
（ F = 1MHz时， V
P
= 3.3V, V
N
V之间= 0V ， 0.1μF的贴片电容
P
和V
N
, T
A
= 25
°
C)
图2.典型滤波器性能（额定条件，除非
另有规定， 50欧姆环境
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