初步
CM1215
1,2和4通道低电容ESD阵列
特点
1，2，和4个信道的ESD保护
提供
+
每个通道15 kV ESD保护
按照IEC 61000-4-2 ESD要求
1.6 pF的典型信道负载电容
通道I / O至GND电容差
0.04pF典型
0.13pF典型的互电容
最小的电容随温度的变化而
电压
每个I / O引脚可以承受超过1000静电放电
SOT封装
提供无铅版本
产品说明
的CM1215家族二极管阵列被设计
以提供用于电子部件或ESD保护
个子系统需要最小的电容性负载。
这些器件非常适用于保护系统
高数据和时钟速率或电路要求低
容性负载。每个ESD通道由一
对二极管串联其中操纵阳性或neg-
ative ESD电流脉冲是正（Ⅴ
P
）或
负（V
N
）电源轨。该CM1215将保护
针对ESD脉冲高达
+
按照IEC 61000-4-2 15kV的
标准。
此设备尤其适合用于保护系
采用高速端口，如USB2.0 TEMS ，
IEEE1394 （火线
， ILINK
） ，串行ATA ， DVI ， HDMI
而相应的移动存储端口，数字
摄像机，DVD -RW驱动器和其它应用程序
其中，极低的负载电容与ESD
保护需要在一个小的封装尺寸。
该CM1215系列器件可与
可选无铅精加工。
应用
IEEE1394火线
在400Mbps的/ 800Mbps的端口
DVI端口， HDMI端口，笔记本电脑，机顶盒，
数字电视，液晶显示器
在台式电脑和硬盘串行ATA端口
驱动器
PCI Express端口
通用的高速数据线的ESD保护
化
简化的电气原理图
V
P
V
P
CH4
V
P
CH3
CH1
CH1
CH2
V
N
CM1215-01ST/SO
V
N
CM1215-02ST/SO
CM1215-02SS/SR
CH1
V
N
CH2
CM1215-04ST/SO
2005年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
06/30/05
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
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传真： 408.263.7846
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1
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CM1215
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
CH1
1
V
N
顶视图
1
4
顶视图
V
P
NC
V
N
1
2
3
5
顶视图
V
P
CH1
V
N
CH2
CH2
1
6
CH4
V
P
CH3
D152 /
E152
D151 /
E151
2
D154 /
E154
D152 /
E152
3
V
N
CH1
2
2
3
5
4
V
P
3
CH2
CH1
4
3 -PIN SOT23-3
4 -PIN SOT143
5引脚SOT23-5
6引脚SOT23-6
注意：这些图不是按比例的。
引脚配置
封装引脚说明
针
纳默
CH1
V
N
CH2
CH3
V
P
CH4
N / C
SOT23-3
PIN号
SOT143
PIN号
SOT23-5
PIN号
SOT23-6
PIN号
TYPE
描述
ESD通道
负电压电源
轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
ESD通道
无连接
1
3
2
2
1
3
4
3
2
4
5
1
1
2
3
4
5
6
I / O
GND
I / O
I / O
PWR
I / O
订购信息
品名信息
标准完成
引脚
3
4
5
6
包
SOT23-3
SOT143
SOT23-5
SOT23-6
订购零件
数
1
CM1215-01ST
CM1215-02SS
CM1215-02ST
CM1215-04ST
最热
D151
D152
D152
D154
无铅完成
订购零件
数
1
CM1215-01SO
CM1215-02SR
CM1215-02SO
CM1215-04SO
最热
E151
E152
E152
E154
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特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
工作电源电压（V
P
-V
N
)
二极管的正向直流电流（注1 ）
任意信道输入的直流电压
工作温度范围
环境
连接点
存储温度范围
-40至+85
-40到+125
-40到+150
°C
°C
°C
等级
6
20
(V
N
-0.5）到（Ⅴ
P
+0.5)
单位
V
mA
V
标准工作条件
参数
温度范围（环境）
封装额定功率
SOT23-3封装（ CM1215-01ST / SO ）
SOT143封装（ CM1215-02SS / SR ）
SOT23-5封装（ CM1215-02ST / SO ）
SOT23-6封装（ CM1215-04ST / SO ）
等级
-40至+85
225
225
225
225
单位
°C
mW
mW
mW
mW
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规格（续）
电气运行特性
注1
符号
V
P
I
P
V
F
参数
工作电源电压（V
P
-V
N
)
工作电源电流
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
道泄漏电流
通道输入电容
(V
P
-V
N
) = 3.3V
I
F
= 20mA下;牛逼
A
= 25°C
0.6
0.6
0.8
0.8
±0.1
1.6
条件
民
典型值
3.3
最大
5.5
8
0.95
0.95
±1.0
2.0
单位
V
μA
V
V
μA
pF
I
泄漏
C
IN
T
A
= 25°C ; V
P
= 5V,
V
N
= 0V
在1 MHz ，V
P
= 3.3V,
V
N
= 0V, V
IN
= 1.65V;
Note2
注2
(V
P
-V
N
） = 3.3V ;注2
注意到2 ，3和4;
T
A
= 25°C
±15
ΔC
IN
C
互
V
ESD
通道I / O至GND的电容
区别
互电容
ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入，在系统中，接触
符合IEC 61000-4-2放电
标准
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
0.04
0.13
pF
pF
kV
V
CL
I
PP
= 1A ，T
P
= 8/20μS;
T
A
= 25°C ;注2
I
PP
= 1A ，T
P
= 8/20μS;
T
A
= 25°C;
注2
V
P
+1.5
V
N
-1.5
0.4
0.4
V
V
Ω
Ω
R
DYN
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
这些参数通过设计和特性保证。
标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330
Ω
, V
P
= 3.3V, V
N
接地。
从I / O引脚V
P
或V
N
只。 V
P
旁路到V
N
低ESR 0.2μF的陶瓷电容。
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性能特点
输入通道电容性能曲线
2.000
1.800
1.600
1.400
1.200
1.000
0.800
0.600
0.400
0.200
0.000
0.00
0.50
1.00
1.50
1.65
2.00
2.50
3.00
偏置电压（ V）
图1的C典型变化
IN
与V
IN
（ F = 1MHz时， V
P
= 3.3V, V
N
V之间= 0V ， 0.1μF的贴片电容
P
和V
N
, T
A
= 25
°
C)
电容（pF）
图2.典型滤波器性能（额定条件，除非
另有规定， 50欧姆环境
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