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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第522页 > CM1213-06SM
CM1213
1 ， 2 ， 4 ，6，8通道低电容ESD保护阵列
特点
1，2， 4，6和8通道ESD保护
提供ESD保护，符合IEC61000-4-2第4级
- 8kV接触放电
- 15kV空气放电
1.0pF典型的低通道输入电容
最小的电容随温度的变化而
电压
0.02pF典型的通道输入电容匹配
iCal中是理想的差分信号
信号引脚和相邻之间的互电容
分信号引脚 - 0.11pF典型
齐纳二极管保护电源轨，并消除了
需要外部旁路电容
每个I / O引脚可以承受超过1000静电放电
可提供SOT ， SOIC和MSOP封装
无铅版本
产品说明
的CM1213家族二极管阵列被设计
以提供用于电子部件或ESD保护
个子系统需要最小的电容性负载。
这些器件非常适用于保护系统
高数据和时钟速率或电路要求低
容性负载。每个ESD通道由一
对二极管串联其中操纵阳性或neg-
ative ESD电流脉冲是正（Ⅴ
P
）或
负（V
N
）电源轨。齐纳二极管嵌入
V之间
P
和V
N
，提供两个优点。首先，它
保护V
CC
铁路对ESD冲击;第二，
它省去了一个旁路电容器，其将
否则将需要用于吸收正ESD
撞击到地面。该CM1213将防止
ESD脉冲高达
±8kV
按照IEC 61000-4-2标
准，并使用MIL -STD- 883D （方法3015 ）
规范人体模型（ HBM ） ESD ，所有
销免受更大的接触放电
比
±15kV.
这些设备特别适合用于保护
采用高速端口，如USB2.0系统，
IEEE1394 （火线
， ILINK
） ，串行ATA ， DVI ， HDMI
而相应的移动存储端口，数字
摄像机，DVD -RW驱动器和其它应用程序
其中，极低的负载电容与ESD
保护需要在一个小的封装尺寸。
该CM1213系列器件可与
可选无铅精加工。
应用
在480Mbps的台式电脑USB2.0接口，注意 -
书籍和外设
IEEE1394火线
在400Mbps的/ 800Mbps的端口
DVI端口， HDMI端口，笔记本电脑，机顶盒，
数字电视，液晶显示器
在台式电脑和硬盘串行ATA端口
驱动器
PCI Express端口
通用高速数据线的ESD
保护
电气原理图
V
P
V
P
CH4
V
P
CH3
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
P
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CH1
CH1
CH2
V
N
CM1213-01ST/SO
CH6
V
N
CM1213-02ST/SO
CM1213-02SS/SR
V
P
CH5
CH4
CH1
V
N
CH2
CH1
CH2
V
N
CH3
CH4
CM1213-04ST/SO
CM1213-04MS/MR
CH8
CH7
V
P
CM1213-A4MR
CH6
CH5
CH1
CH2
V
N
CH3
CH1
CH2
V
N
CH3
CH4
CM1213-06MS/MR
CM1213-06SN/SM
CM1213-08MS/MR
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
03/02/06
490 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
●
传真： 408.263.7846
●
www.cmd.com
1
CM1213
PACKAGE /引脚图
顶视图
CH1
1
V
N
顶视图
1
4
顶视图
V
P
NC
V
N
CH2
CH1
1
2
3
5
顶视图
V
P
CH1
V
N
CH2
CH2
1
2
3
6
CH4
V
P
CH3
顶视图
CH1
CH2
V
N
1
8
CH6
V
P
D121 /
D131
V
P
2
D123 /
D133
D124 /
D134
D122 /
D132
D126 /
D136
3
V
N
CH1
2
5
4
2
3
4
7
6
5
CH5
CH4
3
4
CH3
3引脚SOT23-3
4引脚SOT143-4
5引脚SOT23-5
6引脚SOT23-6
8引脚SOIC- 8
顶视图
顶视图
CH1
CH2
V
N
顶视图
NC
CH4
V
N
顶视图
NC
NC
V
P
CH1
CH6
V
P
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
CH1
CH2
V
N
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
CH1
CH2
CH3
CH4
V
N
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
CH8
CH7
V
P
1
8
NC
V
P
S134
D124 /
D134
D128 /
D138
D127 /
D137
2
3
4
7
6
5
CH5
CH4
CH2
NC
NC
CH3
CH3
CH4
NC
NC
CH6
CH5
CH3
8引脚MSOP- 8
10引脚MSOP - 10
10引脚MSOP - 10
10引脚MSOP - 10
注意：这些图不是按比例的。
PIN DISCRIPTIONS
针
1
2
3
1路， 3引脚SOT23-3套餐
名字
TYPE
描述
CH1
I / O
ESD通道
V
P
PWR
正电压电源轨
V
N
GND
负电压电源轨
4通道， 6引脚SOT23-6封装
TYPE
描述
I / O
ESD通道
GND
负电压电源轨
CH2
I / O
ESD通道
CH3
I / O
ESD通道
V
P
PWR
正电压电源轨
CH4
I / O
ESD通道
针
1
2
3
4
2通道， 4引脚SOT143-4包装
名字
TYPE
描述
V
N
GND
负电压电源轨
CH1
I / O
ESD通道
CH2
I / O
ESD通道
V
P
PWR
正电压电源轨
2路，5引脚SOT23-5封装
名字
TYPE
描述
NC
V
N
CH1
CH2
V
P
GND
I / O
I / O
PWR
无连接
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
针
1
2
3
4
5
6
名字
CH1
V
N
针
1
2
3
4
5
针
1
2
3
4
5
6
7
8
4通道， 10引脚MSOP - 10封装（ CM1213-04MS / MR）
针
名字
TYPE
描述
1
CH1
I / O
ESD通道
2
NC
无连接
V
P
3
PWR
正电压电源轨
4
CH2
I / O
ESD通道
5
NC
无连接
6
CH3
I / O
ESD通道
7
NC
无连接
V
N
8
GND
负电压电源轨
9
CH4
I / O
ESD通道
10
NC
无连接
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4通道， 10引脚MSOP - 10封装（ CM1213 - A4MR ）
名字
TYPE
描述
CH1
I / O
ESD通道
CH2
I / O
ESD通道
V
N
GND
负电压电源轨
CH3
I / O
ESD通道
CH4
I / O
ESD通道
NC
无连接
NC
无连接
V
P
PWR
正电压电源轨
NC
无连接
NC
无连接
6通道， 8引脚MSOP - 8 / SOIC -8封装
名字
TYPE
描述
CH1
I / O
ESD通道
CH2
I / O
ESD通道
V
N
GND
负电压电源轨
CH3
I / O
ESD通道
CH4
I / O
ESD通道
CH5
I / O
ESD通道
V
P
PWR
正电压电源轨
CH6
I / O
ESD通道
8通道， 10引脚MSOP - 10封装（ CM1213-08MS / MR）
针
名字
TYPE
描述
1
CH1
I / O
ESD通道
2
CH2
I / O
ESD通道
3
CH3
I / O
ESD通道
4
CH4
I / O
ESD通道
V
N
5
GND
负电压电源轨
6
CH5
I / O
ESD通道
7
CH6
I / O
ESD通道
V
P
PWR
正电压电源轨
8
9
CH7
I / O
ESD通道
10
CH8
I / O
ESD通道
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
490 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
●
传真： 408.263.7846
●
www.cmd.com
03/02/06
CM1213
订购信息
品名信息
标准完成
＃通道
1
2
2
4
4
4
6
6
8
LEADS
3
4
5
6
10
10
8
8
10
包
SOT23-3
SOT143-4
SOT23-5
SOT23-6
MSOP-10
MSOP-10
SOIC-8
MSOP-8
MSOP-10
订购零件
数
1
CM1213-01ST
CM1213-02SS
CM1213-02ST
CM1213-04ST
CM1213-04MS
CM1213-06SN
CM1213-06MS
CM1213-08MS
最热
D121
D122
D123
D124
D124
D126
D127
D128
无铅完成
订购零件
数
1
CM1213-01SO
CM1213-02SR
CM1213-02SO
CM1213-04SO
CM1213-04MR
CM1213-A4MR
CM1213-06SM
CM1213-06MR
CM1213-08MR
最热
D131
D132
D133
D134
D134
S134
D136
D137
D138
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
工作电源电压（V
P
- V
N
)
工作温度范围
存储温度范围
任意信道输入的直流电压
等级
6.0
-40至+85
-65到+150
(V
N
- 0.5）至（Ⅴ
P
+ 0.5)
单位
V
°C
°C
V
标准工作条件
参数
工作温度范围
封装额定功率
SOT23-3封装（ CM1213-01ST / SO ）
SOT143-4包装（ CM1213-02SS / SR ）
SOT23-5封装（ CM1213-02ST / SO ）
SOT23-6封装（ CM1213-04ST / SO ）
MSOP - 8封装（ CM1213-06MS / MR）
MSOP - 10封装（ CM1213-08MS / MR， CM1213-04MS / MR， CM1213 - A4MR ）
SOIC - 8封装（ CM1213-06SN / SM ）
等级
-40至+85
225
225
225
225
400
400
600
单位
°C
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
03/02/06
490 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
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传真： 408.263.7846
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3
CM1213
电气运行特性
（见注1 ）
符号参数
V
P
I
P
V
F
工作电源电压（V
P
-V
N
)
工作电源电流
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
道泄漏电流
通道输入电容
通道输入电容
匹配
显之间的互电容
最终引脚和相邻信号引脚
ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入，系统
一）每触点放电
IEC 61000-4-2标准
B）人体模型，
MIL -STD- 883 ，方法
3015
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
(V
P
-V
N
)=3.3V
I
F
= 8毫安;牛逼
A
=25°C
0.60
0.60
0.80
0.80
±0.1
1.0
0.02
0.11
条件
民
典型值
3.3
最大
5.5
8.0
0.95
0.95
±1.0
1.5
单位
V
μA
V
V
μA
pF
pF
pF
I
泄漏
C
IN
T
A
= 25°C ; V
P
=5V, V
N
=0V
在1 MHz ，V
P
=3.3V, V
N
=0V, V
IN
=1.65V;
注2适用
在1 MHz ，V
P
=3.3V, V
N
=0V, V
IN
=1.65V;
注2适用
在1 MHz ，V
P
=3.3V, V
N
=0V, V
IN
=1.65V;
注2适用
Δ
C
IN
C
互
V
ESD
注2 ， 4 & 5 ;牛逼
A
=25°C
注2 ， 3 & 5 ;牛逼
A
=25°C
±8
±15
kV
kV
V
CL
T
A
= 25 ° C，I
PP
= 1A ，T
P
= 8 /基于20uS ;
注2 ， & 5
I
PP
= 1A ，T
P
= 8 /基于20uS
任何I / O引脚接地;注2和5
+8.8
-1.4
0.7
0.4
V
V
Ω
Ω
R
DYN
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
这些参数通过设计和特性保证。
每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ，C
放电
= 100pF电容，R
放电
= 1.5KΩ ，V
P
= 3.3V, V
N
接地。
标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330Ω, V
P
= 3.3V, V
N
接地。
与V无需外部电容进行这些测量
P
(V
P
浮动） 。
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4
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03/02/06
CM1213
演出信息
输入通道电容性能曲线
2
输入电容（pF ）
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
输入电压（ V）
的C典型变化
IN
与V
IN
（ F = 1MHz时， VP = 3.3V ， VN = 0V ， 0.1
μF
VP和VN之间的贴片电容，
25°C
)
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
-50
-25
0
25
输入电容（pF ）
0V DC输入偏置
1.65V直流输入偏置
50
75
100
温度（℃）
的C典型变化
IN
VS. TEMP
（ F = 1MHz时， V
IN
= 30mV的， VP = 3.3V ， VN = 0V ，
0.1
μF
VP和VN之间的贴片电容）
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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5
6和8通道低电容ESD
保护阵列
CM1213
特点
6个或8个通道的ESD保护
注意： 1，2，和4通道器件，见
CM1213A数据表。
提供ESD保护，符合IEC61000-4-2
4级
± 8kV接触放电
1.0pF典型的低通道输入电容
最小的电容随温度的变化
和电压
0.02pF的通道输入电容匹配
典型的是理想的差分信号
信号引脚之间互电容
相邻信号引脚-0.11pF典型
齐纳二极管保护电源轨和消除
需要外部旁路电容器
每个I / O引脚可以承受超过1000 ESD
罢工*
采用SOIC和MSOP ，无铅
包装
产品说明
的CM1213家族二极管阵列已经
旨在提供对电子的ESD保护
部件或子系统的要求最小
容性负载。这些器件非常适用于
保护系统具有较高的数据和时钟速率或
对于电路要求低容性负载。每
静电放电通道由一对二极管，串联的
该操纵的正的或负的ESD电流
脉冲是正（Ⅴ
P
）或负（Ⅴ
N
)
电源轨。齐纳二极管嵌入V之间
P
和V
N
，提供两个优点。第一，它保护
V
CC
铁路对ESD冲击，第二，它消除了
需要一个旁路电容原本会将
需要吸收正ESD罢工
地面上。该CM1213将防止ESD脉冲
高达± ％的IEC 61000-4-2标准的8kV 。
这些设备特别适合于
采用高速端口保护系统，如
USB2.0 ， IEEE1394 （火线
， ILINK
） ，串行ATA ，
DVI ， HDMI和移动相应的端口
存储，数码摄像机， DVD- RW驱动器和
其它应用中非常低的负载
电容具有ESD保护是必需的
小的封装尺寸。
应用
在480Mbps的台式电脑USB2.0接口，
笔记本电脑及周边设备
IEEE1394火线
/端口以400Mbps的
800Mbps
DVI接口，在笔记本的HDMI接口，机顶盒
盒，数字电视， LCD显示
在台式电脑和硬盘串行ATA端口
驱动器
PCI Express端口
通用高速数据线的ESD
保护
2010 SCILLC 。版权所有。
2010年4月 - 第3版
出版订单号：
CM1213/D
CM1213
框图
第3版|第17页2 | www.onsemi.com
CM1213
引脚说明
引脚说明
6通道， 8引脚MSOP - 8 / SOIC -8封装
针
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
CH1
CH2
V
N
CH3
CH4
CH5
V
P
CH6
TYPE
I / O
I / O
GND
I / O
I / O
I / O
PWR
I / O
描述
ESD通道
ESD通道
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
ESD通道
引脚说明
8通道， 10引脚MSOP -10封装
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
CH1
CH2
CH3
CH4
V
N
CH5
CH6
V
P
CH7
CH8
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
GND
I / O
I / O
PWR
I / O
I / O
描述
ESD通道
ESD通道
ESD通道
ESD通道
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
ESD通道
ESD通道
第3版|第17页3 | www.onsemi.com
CM1213
订购信息
品名信息
无铅完成
＃通道
6
6
8
LEADS
8
8
10
包
SOIC-8
MSOP-8
MSOP-10
订购零件
1
数
CM1213-06SM
CM1213-06MR
CM1213-08MR
最热
D136
D137
D138
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
工作电源电压（V
P
- V
N
)
工作温度范围
存储温度范围
任意信道输入的直流电压
等级
6.0
-40至+85
-65到+150
(V
N
- 0.5）至（Ⅴ
P
+ 0.5)
单位
V
°
C
°
C
V
标准工作条件
参数
工作温度范围
封装额定功率
MSOP - 8封装（ CM1213-06MR ）
MSOP - 10封装（ CM1213-08MR ）
SOIC - 8封装（ CM1213-06SM ）
等级
-40至+85
单位
°
C
400
400
600
mW
mW
mW
第3版|第17页的4 | www.onsemi.com
CM1213
电气运行特性
符号参数
V
P
I
P
V
F
工作电源电压（V
P
-V
N
)
工作电源电流
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
道泄漏电流
通道输入电容
(V
P
-V
N
)=3.3V
I
F
= 8毫安;牛逼
A
=25°
C
条件
（见注1 ）
民
典型值
3.3
最大
5.5
8.0
单位
V
A
0.60
0.60
T
A
=25° V
P
=5V, V
N
=0V
C;
在1 MHz ，V
P
=3.3V, V
N
=0V, V
IN
=1.65V;
0.80
0.80
±0.1
1.0
0.95
0.95
±1.0
1.5
V
V
A
pF
I
泄漏
C
IN
C
IN
通道输入电容
匹配
之间的互电容
信号引脚和相邻信号引脚
ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入，系统
每接触放电
IEC 61000-4-2标准
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
在1 MHz ，V
P
=3.3V, V
N
=0V, V
IN
=1.65V;
0.02
pF
C
互
在1 MHz ，V
P
=3.3V, V
N
=0V, V
IN
=1.65V;
0.11
pF
V
ESD
注意到图3和4 ;牛逼
A
=25°
C
±8
kV
V
CL
T
A
=25° I
PP
= 1A ，T
P
= 8 /基于20uS ;
C,
注4
+8.8
-1.4
V
V
R
DYN
I
PP
= 1A ，T
P
= 8 /基于20uS
任何I / O引脚接地;注4
0.7
0.4
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
在T指定的所有参数
A
= -40°至+ 85° ，除非另有说明。
C
C
每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ，C
放电
= 100pF电容，R
放电
= 1.5KΩ ，V
P
= 3.3V, V
N
接地。
标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330, V
P
= 3.3V, V
N
接地。
与V无需外部电容进行这些测量
P
(V
P
浮动） 。
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