CM1210
1 ， 2 ， 4和8通道超低电容ESD保护器
特点
1,2,4和8通道ESD保护
非常低的负载电容（ 1.0pF典型值）
+
每通道6 kV ESD保护（ IEC 61000-4-2
标配）
提供SOT23 ， SOT143 ， SC70和MSOP
套餐
提供无铅版本
产品说明
的CM1210家族二极管阵列被设计
以提供用于电子部件或ESD保护
个子系统需要最小的电容性负载。
这些器件非常适用于保护系统
高数据和时钟速率或电路要求低
容性负载。每个ESD通道由一
对二极管，将引导ESD电流脉冲
无论是正（Ⅴ
P
）或负（Ⅴ
N
）电源轨。该
CM1210将防止ESD脉冲高达
+
6KV
按照IEC 61000-4-2标准。
此设备尤其适合于使用系统
高速端口的实现，如USB2.0 ，
IEEE1394 （火线
， i.LINK
） ，千兆以太网卡和
相应的移动存储端口，数字摄像机
corders ，DVD-RW驱动器和其它应用中
极低的负载电容与ESD保护
需要在一个小的封装尺寸。
该CM1210系列器件可选配
无铅精加工。
应用
在480Mbps的USB2.0接口
在400Mbps的IEEE1394火线接口
千兆位以太网端口
平板显示器接口
无线天线
通用高速数据线的ESD
保护
电气原理图
V
P
V
P
CH4
V
P
CH3
CH1
CH1
CH2
V
N
CM1210-01ST/SO
CM1210-01SC/S7
V
N
CM1210-02ST/SO
CM1210-02SC/S7
CH1
V
N
CH2
CM1210-04ST/SO
CH8
CH7
V
P
CH6
CH5
CH1
CH2
CH3
CM1210-08MS/MR
CH4
V
N
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
01/14/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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1
CM1210
PACKAGE /引脚图
顶视图
CH1
1
CH1
顶视图
1
V
N
3
V
N
CH1
顶视图
1
4
V
P
D10/D102
D10/D111
D10/D101
2
3
V
N
V
P
2
V
P
2
3
CH2
3 -PIN SOT23-3
3引脚SC70-3
4针SOT143-4
顶视图
V
N
V
N
V
P
1
5
CH2
CH1
V
N
4
CH1
CH2
顶视图
1
6
CH4
V
P
CH3
CH1
CH2
CH3
CH4
V
N
顶视图
1
10
CH8
CH7
V
P
CH6
CH5
D10/D112
D10/D108
2
3
4
5
9
8
7
6
D10/D104
2
3
2
3
5
4
5引脚SC70-5
6引脚SOT23-6
10引脚MSOP- 10
注意：这些图不是按比例的。
SOT23-3 & SC70-3封装
引脚说明
针
1
2
3
名字
CH1
V
P
V
N
TYPE
I / O
PWR
GND
描述
ESD通道
正电压电源轨
负电压电源轨
SOT143-4封装引脚说明
针
1
2
3
4
名字
V
N
CH1
CH2
V
P
TYPE
GND
I / O
I / O
PWR
描述
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
SC70-5封装引脚说明
针
1
2
3
4
5
名字
V
N
V
N
V
P
CH1
CH2
TYPE
GND
GND
PWR
I / O
I / O
描述
负电压电源轨
负电压电源轨
正电压电源轨
ESD通道
ESD通道
MSOP - 10封装引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
CH1
CH2
CH3
CH4
V
N
CH5
CH6
V
P
CH7
CH8
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
GND
I / O
I / O
PWR
I / O
I / O
描述
ESD通道
ESD通道
ESD通道
ESD通道
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
ESD通道
ESD通道
SOT23-6封装引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
名字
CH1
V
N
CH2
CH3
V
P
CH4
TYPE
I / O
GND
I / O
I / O
PWR
I / O
描述
ESD通道
负电压电源轨
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
ESD通道
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2
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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01/14/04
CM1210
订购信息
品名信息
标准完成
订购零件
引脚
3
3
4
5
6
10
包
SOT23-3
SC70-3
SOT143-4
SC70-5
SOT23-6
MSOP-10
数
1
CM1210-01ST
CM1210-01SC
CM1210-02ST
CM1210-02SC
CM1210-04ST
CM1210-08MS
最热
D10
D10
D10
D10
D10
D10
无铅完成
订购零件
数
1
CM1210-01SO
CM1210-01S7
CM1210-02SO
CM1210-02S7
CM1210-04SO
CM1210-08MR
最热
D101
D111
D102
D112
D104
D108
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
P
- V
N
)
二极管的正向直流电流（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
任意信道输入的直流电压
封装额定功率
SOT23-3封装（ CM1210-01ST / SO ）
SC70-3封装（ CM1210-01SC / S7 ）
SOT143封装（ CM1210-02ST / SO ）
SC70-5封装（ CM1210-02SC / S7 ）
SOT23-6封装（ CM1210-04ST / SO ）
MSOP10包（ CM1210-08MS / MR）
注1 ：只有一个二极管导通的时间。
等级
8.0
8
-40至+85
-65到+150
(V
N
- 0.5）至（Ⅴ
P
+ 0.5)
225
200
225
200
225
400
单位
V
mA
°C
°C
V
mW
mW
mW
mW
mW
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
工作电源电压（V
P
- V
N
)
等级
-40至+85
0至5.5
单位
°C
V
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CM1210
电气运行特性
（见注1 ）
符号
I
P
V
F
参数
电源电流
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
道泄漏电流
通道输入电容
ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入，系统
a）按IEC接触放电
61000-4-2标准
通道钳位电压
CM1210-01ST ， CM1210-01SC ，
CM1210-02ST ， CM1210-02SC
积极瞬变
负瞬态
通道钳位电压
CM1210-04ST ， CM1210-08MS
积极瞬变
负瞬态
在1 MHz ，V
P
=3.3V, V
N
=0V,
V
IN
= 1.65V ;注2适用
注释2,3和5 ;牛逼
A
=25°C
+
6
在8kV的ESD HBM ;注2 & 4
条件
(V
P
-V
N
)=3.3V
I
F
= 8毫安
0.60
0.60
0.80
0.80
+0.1
1.0
0.95
0.95
+1.0
1.3
V
V
A
pF
民
典型值
最大
8.0
单位
S
A
I
泄漏
C
IN
V
ESD
kV
V
CL
V
P
+ 10.0
V
N
- 10.0
在8kV的ESD HBM ;注2 & 4
V
P
+ 13.0
V
N
- 13.0
V
V
V
V
注1 ：在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
注2 ：这些参数通过设计和特性保证。
注3 ：从I / O引脚V
P
或V
N
只。 V
P
旁路到V
N
一个0.22μF的陶瓷电容（参见应用信息了解更多
详细说明） 。
注4 ：每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ，C
放电
= 100pF电容，R
放电
= 1.5KΩ ，V
P
= 3.3V, V
N
接地。
注5 ：标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330 V
P
= 3.3V, V
N
接地。
,
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CM1210
演出信息
输入通道电容性能曲线
2
输入电容（pF ）
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
输入电压（ V）
的C典型变化
IN
与V
IN
（ F = 1MHz时， VP = 3.3V ，V N = 0V ， 0.1
F
VP和V n的片式电容器，
25°C
)
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
-50
-25
0
25
输入电容
（PF ）
0V DC输入偏置
1.65V直流输入偏置
50
75
100
温度（℃）
的C典型变化
IN
VS. TEMP
（ F = 1MHz时， V
IN
= 30mV的，V P = 3.3V ，V N = 0V ，
0.1
F
VP和VN之间的贴片电容）
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