CM1208-07/08
7 & 8通道高速ESD保护阵列
特点
七，八通道高速ESD亲
tection
符合IEC - 61000-4-2第4级ESD保护
要求（ + 8kV接触放电）
符合IEC- 61000-4-2 + 15kV空气放电
需求
低负载电容为3pF的典型
低电源和漏电电流 - 适合BAT-
tery供电设备
小型MSOP -10封装
提供无铅版本
产品说明
该CM1208-07 / CM1208-08是二极管阵列设计
提供7或8个信道的ESD保护为
电子部件或子系统。每个通道
由一对二极管，其装载机的ESD电流的
租脉冲是积极的（V
P
）或负（Ⅴ
N
)
供应量。该CM1208-07 / 08设备将防止
ESD脉冲高达每间15kV的接触放电
国家标准IEC61000-4-2 。
这些设备特别适合于便携式
电子元件（ e.g.handheld和笔记本电脑）
由于其小封装尺寸，高ESD亲
tection水平，低负载电容。他们是
也适合用于保护视频输出线和I / O的
端口在计算机，机顶盒，数字电视和
周边设备。
该CM1208-07 / CM1208-08坐落在一个10引脚
MSOP封装，提供可选无铅
精加工。
应用
高速数据线ESD保护
DVI接口
高分辨率的视频（例如VGA端口）
用于笔记本/手持式扩展端口
电脑
5V伪RS- 232端口
电气原理图
V
N
CH7
V
P
CH6
CH5
CH8
CH7
V
P
CH6
CH5
CH1
CH2
CH3
CM1208-07
CH4
V
N
CH1
CH2
CH3
CM1208-08
CH4
V
N
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
1
CM1208-07/08
PACKAGE /引脚图
顶视图
CH1
CH2
CH3
CH4
V
N
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
V
N
CH7
V
P
CH6
CH5
CH1
CH2
CH3
CH4
V
N
顶视图
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
CH8
CH7
V
P
CH6
CH5
10引脚MSOP
CM1208-07MS
CM1208-07MR
注意：这些图不是按比例的。
10引脚MSOP
CM1208-08MS
CM1208-08MR
引脚说明
设备
-07,-08
-07,-08
-07,-08
-07,-08
-07,-08
-07,-08
-07,-08
-07,-08
-07,-08
-07
-08
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
名字
通道1
第2章
第3章
第4章
V
N
第5章
第6章
V
P
第7章
V
N
8章
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
GND
I / O
I / O
供应
I / O
GND
I / O
描述
ESD通道
ESD通道
ESD通道
ESD通道
负电压电源轨或接地基准轨道
ESD通道
ESD通道
正电压电源轨
ESD通道
负电压电源轨或接地基准轨道
ESD通道
订购信息
品名信息
标准完成
引脚
10
10
包
MSOP
MSOP
订购零件
数
1
CM1208-07MS
CM1208-08MS
最热
0807
0808
无铅完成
订购零件
数
1
CM1208-07MR
CM1208-08MR
最热
807R
808R
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
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2
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CM1208-07/08
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
P
- V
N
)
二极管的正向直流电流（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
任意信道输入的直流电压
封装额定功率
MSOP封装
注1 ：只有一个二极管导通的时间。
等级
6.0
20
-40至+85
-65到+150
(V
N
- 0.5）至（Ⅴ
P
+ 0.5)
300
单位
V
mA
°C
°C
V
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
工作电源电压（V
P
- V
N
)
等级
-40至+85
0至5.5
单位
°C
V
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3
CM1208-07/08
电气运行特性
（见注1 ）
符号
I
P
V
F
参数
电源电流
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
道泄漏电流
通道输入电容
条件
(V
P
-V
N
)=5.0V
I
F
= 20mA下;牛逼
A
=25°C
0.60
0.65
T
A
=25°C
在1 MHz ， OSC级=
为30mV ，V
P
=5V, V
N
=0V,
V
CH
=2.5V;
注2适用
0.7
0.8
±0.1
3
0.95
0.95
±1.0
5
V
V
A
pF
民
典型值
最大
10
单位
A
I
泄漏
C
IN
V
ESD
ESD保护
峰值放电电压在任信
NEL输入
一）每触点放电
IEC 61000-4-2标准
B）人体模型， MIL-
STD -883方法3015
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
注2 ， 3 & 5
注2 ， 3 & 4
在8kV的ESD HBM ;
T
A
= 25°C ;注2 ， 3 & 4
±8
±15
kV
kV
V
CL
V
P
+ 5.0
V
N
- 5.0
V
V
注1 ：在T指定的所有参数
A
= -40+ 85 ℃，除非另有说明。
注2 ：这些参数通过设计和特性保证。
注3 ：从I / O引脚V
P
或V
N
只。 V之间的旁路电容
P和
V
N
是必须的。所以建议V
P
被绕过
到V
N
具有0.2μF的陶瓷电容器。
注4 ：每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ，C
放电
= 100pF电容，R
放电
= 1.5KΩ ，V
P
= 5.0V, V
N
接地。
注5 ：标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330, V
P
= 5.0V, V
N
接地。
演出信息
典型的通道输入电容与通道输入电压在T
A
=25°C
5
输入电容（pF ）
4
3
牛逼 P IC A L V A R IA吨IO N 2 O F c的
IN
与V
IN
2
1
（VP = 5V ， VN = 0V ， 0.2
F
VP和VN之间的贴片电容）
0
0
1
2
3
4
5
输入电压
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4
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应用信息
设计注意事项
为了实现对最大程度的保护
ESD脉冲，必须注意在PCB布局
尽量减少对供应的寄生串联电感/
接地轨以及信号路径片段
信号输入（通常是连接器）和间
ESD保护器件。请参阅
图1中，
这illus-
trates正ESD脉冲击打用的一个例子
输入通道。的寄生串联电感回
电源用L表示
1
和L
2
。该电压
年龄V
CL
在被保护线路：
V
CL
=正向电压的D降
1
+ V
供应
+ L
1
x厚（I
ESD
)
/
dt
+ L
2
x厚（I
ESD
)
/
dt
分别ANCE电源。作为一个例子，
A R
OUT
1欧姆将导致一个10V增量中
V
CL
一峰我
ESD
的10A 。
为了减轻这些影响，高频旁路
电容应连接在V之间
P
针
该ESD保护阵列和地平面。该
这个旁路电容器的值的选择应
它会吸收由ESD转移的电荷
脉冲， V变化最小
P
。典型地，在一个数值
为IEC- 61000-4-的0.1μF至0.2μF范围是适当的
2平4接触放电保护（ 8kV的） 。对于更高
ESD电压，旁路电容应
相应增加。陶瓷片式电容器
安装有短的印刷电路板迹线
此应用程序很好的选择。电解电容
应避免器，因为它们有较高的频差的
昆西特点。对于额外的保护，连接
并联齐纳二极管与旁路电容器到mit-
IGATE寄生串联电感的影响
固有的电容器。的击穿电压
齐纳二极管应该比马克西略高
妈妈的电源电压。
作为一般规则，在ESD保护阵列应该是
位于尽可能接近到的入口点
预计静电放电。电源
上述旁路电容应尽量靠近
于V
P
销的保护阵列成为可能，以
最小的PCB走线长度的电源，
接地层和所述信号输入端和所述间
ESD器件，以减少寄生串联电感。
在那里我
ESD
是ESD电流脉冲，和V
供应
is
正电源电压。
静电放电电流脉冲可以从零上升到峰值
在很短的时间值。作为一个例子，一个4级
按照IEC61000-4-2标准的接触放电
结果在该上升从零到30的电流脉冲
安培在1ns的。在这里， D（我
ESD
） / dt的可以近似
I
ESD
/ΔT ，或30 / （ 1×10
-9
） 。系列电感的所以才10nH到
tance （L
1
和L
2
组合）会导致300V增量
精神疾病在V
CL
!
同样，对于负ESD脉冲，寄生串联
从V电感
N
脚在地上轨道会导致
大幅增加的负电压就行了
被保护。
另一个考虑是的输出阻抗
电源提供快速瞬态电流。最大功率
建筑材料表现出高得多的输出阻抗，以
快速的瞬态电流尖峰。在V
CL
方程
以上，在V
供应
术语，在现实中，是通过（Ⅴ给出
DC
+
I
ESD
个R
OUT
） ，其中V
DC
和R
OUT
是的名义
供应直流输出电压和有效输出阻抗
L
2
V
P
附加信息
另请参阅加利福尼亚微设备公司应用笔记
AP209 ， “设计考虑ESD保护。 ”
正电源轨
PATH的ESD电流脉冲I
ESD
D
1
一
通道
OF
CM1208
L
1
通道
输入
20A
线是
保护
D
2
系统或
电路
存在
保护
V
CL
地轨
0A
V
N
机箱接地
正ESD脉冲输入通道和地面之间的图1.应用程序
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L
传真： 408.263.7846
L
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5
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