< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
CM1200HG-90R
I
C··························································
1200A
V
CES···················································
4500V
1 -元件在一包
高绝缘型
LPT - IGBT /软恢复二极管
铝碳化硅基板
应用
牵引传动，可靠性高转换器/逆变器，直流斩波器
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
2011年6月
HVM-1056-C
1
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CRM
I
E
I
企业风险管理
P
合计
V
ISO
V
e
T
j
T
JOP
T
英镑
t
PSC
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
（注2 ）
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
最大功率耗散
（注3）
隔离电压
局部放电熄灭电压
结温
工作结温
储存温度
短路脉冲宽度
条件
V
GE
= 0V ，T
j
=
40…+125°C
V
GE
= 0V ，T
j
=
50°C
V
CE
= 0V ，T
j
= 25°C
DC ，T
c
= 85°C
（注1 ）
脉冲
DC
（注1 ）
脉冲
T
c
= 25 ° C， IGBT的一部分
RMS ，正弦， F = 60Hz的， T = 1分。
RMS ，正弦， F = 60Hz的，Q
PD
≤
10件
V
CC
= 3200V, V
CE
≤
V
CES
, V
GE
= 15V ，T
j
=125°C
评级
4500
4400
± 20
1200
2400
1200
2400
11900
10200
5100
50
~ +150
50
~ +125
55
~ +125
10
单位
V
V
A
A
A
A
W
V
V
°C
°C
°C
μs
电气特性
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
V
CESAT
t
D（上）
t
r
E
on(10%)
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
off(10%)
E
关闭
项
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
集电极 - 发射极饱和电压
导通延迟时间
开启上升时间
导通开关能量
导通开关能量
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
关断开关能量
关断开关能量
（注5 ）
（注5 ）
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
CE
= 10 V，I
C
= 120毫安，T
j
= 25°C
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V ，T
j
= 25°C
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0 V ， F = 100千赫
T
j
= 25°C
V
CC
= 2800V ，我
C
= 1200A ，V
GE
=
±15V
（注4 ）
I
C
= 1200 A
V
GE
= 15 V
V
CC
= 2800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
R
G（ ON）的
= 2.7
L
s
= 150 nH的
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（注6 ）
（注6 ）
V
CC
= 2800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
R
G（ OFF）
= 10
L
s
= 150 nH的
感性负载
民
—
—
5.8
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
16.0
6.3
—
175.0
11.0
5.0
13.5
3.50
4.40
1.00
0.95
0.28
0.30
3.90
4.70
4.20
5.50
3.60
3.80
0.35
0.45
2.90
3.85
3.20
4.30
最大
16.0
—
6.8
0.5
—
—
—
—
—
5.20
—
1.50
—
0.50
—
—
—
—
—
5.00
—
1.00
—
—
—
—
单位
mA
V
μs
μs
J
J
μs
μs
J
J
2011年6月
2
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
电气特性（续）
符号
V
EC
t
rr
I
rr
Q
rr
E
rec(10%)
E
REC
项
发射极 - 集电极电压
反向恢复时间
反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复能量
反向恢复能量
（注2 ）
条件
I
E
= 1200 A
V
GE
= 0 V
（注4 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注5 ）
（注2 ）
（注6 ）
V
CC
= 2800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
R
G（ ON）的
= 2.7
L
s
= 150 nH的
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
2.60
2.80
0.70
0.90
1200
1300
1100
1700
1.40
2.25
1.60
2.50
最大
—
3.40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
μs
A
μC
J
J
热特性
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）D
R
TH （ C- S）
项
热阻
接触热阻
条件
结到管壳， IGBT的一部分
结到外壳， FWDI部分
案件散热片，
λ
油脂
= 1W / M
·
K，D
（ C-S ）
= 100μm
民
—
—
—
范围
典型值
—
—
6.0
最大
10.5
19.5
—
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
机械特性
符号
M
t
M
s
M
t
m
CTI
d
a
d
s
L
P CE
R
CC' + EE '
r
g
项
安装力矩
块
漏电起痕指数
净空
爬电距离
寄生杂散电感
内部引线电阻
内部栅极电阻
M
M
M
条件
：主接线端子螺丝
：安装螺丝
：辅助接线端子螺丝
民
7.0
3.0
1.0
—
600
26.0
56.0
—
—
—
范围
典型值
—
—
—
1.4
—
—
—
15.0
0.18
1.7
最大
22.0
6.0
3.0
—
—
—
—
—
—
—
单位
N·m的
N·m的
N·m的
kg
—
mm
mm
nH
MΩ
Ω
TC = 25°C
TC = 25°C
注1 。脉冲宽度和重复速率应使得结点温度（T
j
）不超过Topmax评级。
2.符号代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管的特性（正向
i
).
3.结温（T
j
）不应超过牛逼
JMAX
评级（ 150 ° C） 。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
5. E
on(10%)
/ E
off(10%)
/ E
rec(10%)
是的积分
0.1V
CE
X 0.1I
C
X DT 。
的所有项目6.定义是根据IEC 60747 ，除非另有规定。
2011年6月
3
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
性能曲线
输出特性
（典型值）
2500
T
j
= 25°C
V
GE
= 13V
传输特性
（典型值）
2500
V
CE
= V
GE
2000
V
GE
= 16V
2000
V
GE
= 15V
V
GE
= 11V
集电极电流[ A]
1500
集电极电流[ A]
1500
1000
V
GE
= 10V
1000
T
j
= 125°C
500
500
T
j
= 25°C
0
0
2
4
6
8
0
0
4
8
12
16
集电极 - 发射极电压[ V]
门 - 发射极电压[V]
集电极 - 发射极饱和电压
特性（典型值）
2500
V
GE
= 15V
续流二极管正向
特性（典型值）
2500
2000
2000
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
集电极电流[ A]
1500
发射极电流[ A]
T
j
= 125°C
1500
T
j
= 125°C
1000
1000
500
500
0
0
2
4
6
8
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极饱和电压[ V]
发射极 - 集电极电压[ V]
2011年6月
4
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
性能曲线
电容特性
（典型值）
1000
栅极电荷特性
（典型值）
20
15
V
CE
= 2800V ，我
C
= 1200A
T
j
= 25°C
C
IES
栅极 - 发射极电压[ V]
100
电容[ nF的]
100
10
5
0
-5
-10
-15
10
C
OES
C
水库
V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
F = 100KHz的
1
0.1
1
10
0
5
10
15
20
集电极 - 发射极电压[V]
栅极电荷[ μC ]
半桥开关能量
特性（典型值）
16
14
V
CC
= 2800V, V
GE
= ±15V
R
G（ ON）的
= 2.7, R
G（ OFF）
= 10
L
S
= 150nH ，T
j
= 125°C
感性负载
E
on
半桥开关能量
特性（典型值）
12
V
CC
= 2800V ，我
C
= 1200A
V
GE
= ± 15V ，L
S
= 150nH
T
j
= 125°C ，电感性负载
10
能量转换[J /脉冲]
12
10
E
关闭
能量转换[J /脉冲]
8
8
6
4
2
0
0
500
1000
1500
2000
2500
E
REC
6
E
on
4
E
REC
2
0
0
1
2
3
4
5
集电极电流[ A]
栅极电阻[欧姆]
2011年6月
5
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
CM1200HG-90R
I
C ································································
1200A
V
CES ··························································
4500V
1 -元件在一包
高绝缘型
LPT - IGBT /软恢复二极管
铝碳化硅基板
应用
牵引传动，可靠性高转换器/逆变器，直流斩波器
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
2012年12月
HVM-1056-E
1
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CRM
I
E
I
企业风险管理
P
合计
V
ISO
V
e
T
j
T
JOP
T
英镑
t
PSC
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
（注2 ）
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
最大功率耗散
（注3）
隔离电压
局部放电熄灭电压
结温
工作结温
储存温度
短路脉冲宽度
条件
V
GE
= 0V ，T
j
= -40…+125°C
V
GE
= 0V ，T
j
=
50°C
V
CE
= 0V ，T
j
= 25°C
DC ，T
c
= 85°C
脉冲
（注1 ）
DC
脉冲
（注1 ）
T
c
= 25 ° C， IGBT的一部分
RMS ，正弦， F = 60Hz的， T = 1分。
RMS ，正弦， F = 60Hz的，Q
PD
≤
10件
评级
4500
4400
± 20
1200
2400
1200
2400
11900
10200
3500
50
~ +150
50
~ +125
55
~ +125
10
单位
V
V
A
A
A
A
W
V
V
°C
°C
°C
s
V
CC
= 3200V, V
CE
≤
V
CES
, V
GE
= 15V ，T
j
=125°C
电气特性
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
V
CESAT
t
D（上）
t
r
E
on(10%)
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
off(10%)
E
关闭
项
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
集电极 - 发射极饱和电压
导通延迟时间
开启上升时间
导通开关能量
导通开关能量
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
关断开关能量
关断开关能量
（注5 ）
（注5 ）
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
CE
= 10 V，I
C
= 120毫安，T
j
= 25°C
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V ，T
j
= 25°C
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0 V ， F = 100千赫
T
j
= 25°C
V
CC
= 2800V ，我
C
= 1200A ，V
GE
=
±15V
I
C
= 1200 A
（注4 ）
V
GE
= 15 V
V
CC
= 2800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
R
G（ ON）的
= 2.7
L
s
= 150 nH的
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（注6 ）
（注6 ）
V
CC
= 2800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
R
G（ OFF）
= 10
L
s
= 150 nH的
感性负载
民
—
—
5.8
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
16.0
6.3
—
175.0
11.0
5.0
13.5
3.50
4.40
1.00
0.95
0.28
0.30
4.30
5.10
4.60
5.50
3.60
3.80
0.35
0.45
2.90
3.85
3.20
4.30
最大
16.0
—
6.8
0.5
—
—
—
—
—
5.10
—
1.50
—
0.50
—
—
—
—
—
5.00
—
1.00
—
—
—
—
单位
mA
V
A
nF
nF
nF
C
V
s
s
J
J
s
s
J
J
2012年12月
(HVM-1056-E)
2
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
电气特性（续）
符号
V
EC
t
rr
I
rr
Q
rr
E
rec(10%)
E
REC
项
发射极 - 集电极电压
反向恢复时间
反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复能量
反向恢复能量
（注2 ）
条件
I
E
= 1200 A
（注4 ）
V
GE
= 0 V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注5 ）
（注2 ）
（注6 ）
V
CC
= 2800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
R
G（ ON）的
= 2.7
L
s
= 150 nH的
感性负载
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
2.50
2.80
0.70
0.90
1100
1200
1000
1500
1.30
2.10
1.55
2.40
最大
—
3.40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
s
A
C
J
J
热特性
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）D
R
TH （ C- S）
项
热阻
接触热阻
条件
结到管壳， IGBT的一部分
结到外壳， FWDI部分
案件散热片，
油脂
= 1W / M
·
K，D
（ C-S ）
= 100m
民
—
—
—
范围
典型值
—
—
6.0
最大
10.5
19.5
—
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
机械特性
符号
M
t
M
s
M
t
m
CTI
d
a
d
s
L
P CE
R
CC' + EE '
r
g
项
安装力矩
块
漏电起痕指数
净空
爬电距离
寄生杂散电感
内部引线电阻
内部栅极电阻
条件
M8 ：主端子螺钉
M6 ：安装螺丝
M4 ：辅助接线端子螺丝
民
7.0
3.0
1.0
—
600
26.0
56.0
—
—
—
范围
典型值
—
—
—
1.4
—
—
—
15.0
0.18
1.7
最大
22.0
6.0
3.0
—
—
—
—
—
—
—
单位
N·m的
N·m的
N·m的
kg
—
mm
mm
nH
m
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
注1 。脉冲宽度和重复速率应使得结点温度（T
j
）不超过牛逼
jopmax
投资评级。
2.符号代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管的特性（正向
i
).
3.结温（T
j
）不应超过牛逼
JMAX
评级（ 150 ° C） 。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
5. E
on(10%)
/ E
off(10%)
/ E
rec(10%)
是的积分
0.1V
CE
X 0.1I
C
X DT 。
的所有项目6.定义是根据IEC 60747 ，除非另有规定。
2012年12月
(HVM-1056-E)
3
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
性能曲线
输出特性
（典型值）
2500
TJ = 25 C
V
GE
= 1 3V
传输特性
（典型值）
2500
V
CE
= V
GE
2000
V
GE
= 16V
2000
V
GE
= 1 5V
V
GE
= 11V
科尔埃克特电流[ A]
1500
科尔埃克特电流[ A]
1500
1000
V
GE
= 10V
1000
TJ = 1 25℃
500
500
TJ = 2 5℃
0
0
2
4
6
8
0
0
4
8
12
16
集电极 - 发射极电压[ V]
门 - 惠tter电压[ V]
集电极 - 发射极饱和电压
特性（典型值）
2500
V
GE
= 15 V
续流二极管正向
特性（典型值）
2500
2000
2000
TJ = 25 C
TJ = 25 C
科尔埃克特电流[ A]
1500
EMI tter电流[ A]
TJ = 1 25℃
1500
TJ = 1 25℃
1000
1000
500
500
0
0
2
4
6
8
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极饱和电压[ V]
发射极 - 集电极电压[ V]
2012年12月
(HVM-1056-E)
4
< HVIGBT模块>
CM1200HG-90R
高功率开关使用
绝缘型
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
性能曲线
电容特性
（典型值）
1000
栅极电荷特性
（典型值）
20
15
V
CE
= 28 00V ，我
C
= 1 200 A
TJ = 2 5℃
次上课
栅极 - 发射极电压[ V]
100
10
5
0
-5
-10
-15
卡帕citance [ nF的]
100
10
ES有限公司
CRES
V
GE
= 0V ， TJ = 2 5℃
F = 10 0千赫兹
1
0.1
1
10
0
5
10
15
20
集电极 - 发射极电压[V]
栅极电荷[ μC ]
半桥开关能量
特性（典型值）
16
14
V
CC
= 280 0V, V
GE
= ±1 5V
R
G（上）
= 2.7
,
R
G（关闭）
= 10
L
S
= 15 0nH ， TJ = 125°C
INDU CTI已经LO广告
宙
半桥开关能量
特性（典型值）
12
V
CC
= 28 00V ，我
C
= 1 200 A
V
GE
= ± 1 5V ，L
S
= 1 50N
TJ = 1 25 ° C，工业uctive负荷
10
能量转换[J /脉冲]
12
10
EO FF
能量转换[J /脉冲]
8
8
6
4
2
0
0
500
1000
1500
2000
2500
EREC
6
宙
4
2
ERE
0
0
1
2
3
4
5
集电极电流[ A]
栅极电阻[欧姆]
2012年12月
(HVM-1056-E)
5
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