三菱HVIGBT模块
CM1200HB-50H
高功率开关使用
第二-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
绝缘型
CM1200HB-50H
q
I
C ................................................................
1200A
q
V
CES ................................................. ......
2500V
q
绝缘型
q
1 -元件在一包
应用
逆变器,转换器, DC菜刀,感应加热,直流到直流转换器。
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
57
±0.25
190
171
57
±0.25
57
±0.25
6 - M8螺母
C
C
C
C
G
E
C
C
C
20
CM
C
E
E
E
124
±0.25
140
E
E
E
40
电路图
E
G
20.25
41.25
3 - M4螺母
79.4
61.5
13
61.5
5.2
15
40
8 -
φ7MOUNTING
孔
38
HVIGBT模块(高压绝缘栅双极晶体管模块)
5
LABEL
29.5
28
2003年3月
三菱HVIGBT模块
CM1200HB-50H
第二-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
( TJ = 25
°
C)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注2 )
I
EM (注2)
P
C(注3 )
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
块
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
DC ,T
C
= 110°C
脉冲
脉冲
T
C
= 25 ° C, IGBT的一部分
条件
评级
2500
±20
1200
2400
1200
2400
15600
–40 ~ +150
–40 ~ +125
6000
6.67 ~ 13.00
2.84 ~ 6.00
0.88 ~ 2.00
2.2
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
N·m的
kg
(注1 )
(注1 )
—
—
带电部分底板, RMS ,正弦, 60Hz的交流电1分钟。
主端子螺钉M8
安装螺钉M6
辅助端子螺丝M4
典型的价值
电气特性
( TJ = 25
°
C)
符号
I
CES
项
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 120毫安,V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 1200A ,V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1250V ,我
C
= 1200A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 1250V ,我
C
= 1200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.6
阻性负载开关操作
I
E
= 1200A ,V
GE
= 0V
I
E
= 1200A,
模具/ DT = -2400A /
s
结到管壳, IGBT的一部分
结到外壳, FWDI部分
案例鳍,导电脂应用
民
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
6.0
—
2.80
3.15
180
19.8
6.0
8.1
—
—
—
—
2.50
—
350
—
—
0.006
最大
15
7.5
0.5
3.64
—
—
—
—
—
1.60
2.00
2.50
1.00
3.25
1.20
—
0.008
0.016
—
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
C
s
s
s
s
V
s
C
K / W
K / W
K / W
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE (日)
阈值电压
栅极漏电流
I
GES
集电极 - 发射极
V
CE ( SAT )
饱和电压
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
总栅极电荷
Q
G
t
D(上)
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统(注2)
发射极 - 集电极电压
t
RR (注2 )
反向恢复时间
Q
RR (注2 )
反向恢复电荷
R
日(J -C ) Q
热阻
R
日(J -C )R
R
TH( C-F )
接触热阻
注: 1 。
2.
3.
4.
(注4 )
(注1 )
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 (T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管。
结温(T
j
)不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT模块(高压绝缘栅双极晶体管模块)
2003年3月
三菱HVIGBT模块
CM1200HB-50H
第二-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
性能曲线
输出特性
(典型值)
2400
T
j
=25°C
V
GE
=13V
V
GE
=12V
V
GE
=11V
V
GE
=10V
2400
传输特性
(典型值)
V
CE
=10V
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
2000 V
GE
=14V
1600
1200
V
GE
=15V
V
GE
=20V
2000
1600
1200
800
400
0
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
4
8
12
16
20
V
GE
=9V
800
400
0
V
GE
=8V
V
GE
=7V
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
V
GE
=15V
4
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
5
10
T
j
= 25°C
8
I
C
= 2400A
I
C
= 1200A
4
3
6
2
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
400
800 1200 1600 2000 2400
2
I
C
= 480A
0
0
4
8
12
16
20
集电极电流I
C
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
续流二极管
正向特性
(典型值)
5
电容特性
(典型值)
4
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
C
IES
3
2
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
400
800 1200 1600 2000 2400
C
OES
10
1
7
5
C
水库
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
3
2 C
IES ,
C
OES
F = 100kHz的
F = 1MHz的
C
水库
10
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
发射极电流I
E
(A)
2003年3月
三菱HVIGBT模块
CM1200HB-50H
第二-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
开关时间(
s
)
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
t
D(关闭)
t
D(上)
t
r
t
f
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
I
rr
10
3
7
5
3
2
V
CC
= 1250V, V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6, T
j
= 125°C
感性负载
5 7 10
2
2 3
5 7 10
3
2 3
5
t
rr
5 7 10
2
2 3
5 7 10
3
2 3
5
10
2
7
5
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
开关能量(J / P)
开关能量(J / P)
半桥
开关能量特性
(典型值)
3.0
V
CC
= 1250V, V
GE
=
±15V,
R
G
= 1.6Ω , TJ = 125°C ,
2.5感性负载
2.0
1.5
1.0
0.5
0
E
REC
E
on
E
关闭
半桥
开关能量特性
(典型值)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
400
800
1200 1600 2000 2400
0
5
10
15
20
25
30
电流(A )
栅极电阻(
)
栅极电荷特性
(典型值)
20
瞬态热
阻抗特性
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
16
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
V
CC
= 1250V
I
C
= 1200A
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
单脉冲
T
C
= 25°C
R
日(J - C ) Q
= 0.008K / W
R
日(J - C )R
= 0.016K / W
12
8
4
0
0
5000
10000
15000
20000
10
–2
10
–3
2 3 5 7 10
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
时间(s)
2003年3月
栅极电荷q
G
( NC )
反向恢复电流我
rr
(A)
半桥
切换时间特性
(典型值)
5
反向恢复时间吨
rr
(
s
)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
5
5
V
CC
= 1250V ,T
j
= 125°C
3感性负载
3
2 V
GE
=
±15V,
R
G
= 1.6
2