三菱IGBT模块
CM100TU-12F
高功率开关使用
CM100TU-12F
I
C ...................................................................
100A
V
CES ................................................. ...........
600V
（绝缘
TYPE
6-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
102
80
±0.25
20
4–φ5.5
安装孔
1.25
(4)
10
CM
N
11
19.1
E
G
10
P
11
E
19.1
G
11 11.85
E
枪
EUN
GVN
EVN
周报
EWN
1.25
GUP
EUP
74
±0.25
91
G
GVP
EVP
GWP
EWP
U
V
W
G
E
G
E
G
E
39.3
18.7
5–M4NUTS
TC测量点
2.8
7.1
10
11
20
19.1
10
20
11
10
0.5
3.05
11
4
8.1
29
–0.5
+1
19.1
TC测量点
P
G
U
P
RTC
E
U
P
U
G
V
P
RTC
E
V
P
G
V
N
RTC
E
V
N
V
G
W
P
RTC
E
W
P
G
W
N
RTC
E
W
N
W
LABEL
26
G
U
N
RTC
E
U
N
N
电路图
二月
2009
三菱IGBT模块
CM100TU-12F
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
100
200
100
200
350
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
1.3 ~ 1.7
2.5 ~ 3.5
570
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
终端底板， F = 60Hz的， AC 1分钟
主端子M4螺钉
安装M5螺丝
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3Ω ，电感性负载
I
E
= 100A
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（ 1/6模块）
FWDI部分（ 1/6模块）
案件散热片，热复合应用
*2
（ 1/6模块）
测得的情况下温度点正好在筹码
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.3
范围
典型值。
—
6
—
1.6
1.6
—
—
—
620
—
—
—
—
—
1.9
—
—
—
0.11
—
—
马克斯。
1
7
20
2.2
—
27
1.8
1
—
100
80
300
250
150
—
2.6
0.35
0.70
—
0.28*
3
63
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
K / W
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
1 ：外壳温度（Tc ）测量点显示在外形图。
*
*
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
二月
2009
2
CM100TU-12F
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
沟槽栅设计
六IGBTMOD
百安培/ 600伏
J
的S - 螺母（ 5 TYP ）
CM
N
K
P
K
R
T（ 4 TYP 。 ）
P
GUP EUP
GVP EVP
GWP EWP
L
Bé
N
L
N
L
M
Q
TC
测量
点
TC
测量
点
枪EUN
GVN EVN
周报EWN
U
V
W
J
L
N
D
A
W - 厚x X - 宽
TAB （ 12个名额）
J
L
N
L
V
H
C
F
G
P
GUP
RTC
EUP
U
枪
RTC
EUN
N
EVN
GVN
RTC
EWN
EVP
V
周报
RTC
GVP
RTC
EWP
W
A
GWP
RTC
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
六个IGBT晶体管中的三
三相桥式结构中，与
具有反接每个晶体管
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连被隔离
从散热基板，
提供简化的系统组装
和热管理。
产品特点：
□
低驱动电源
□
低V
CE （ SAT ）
□
离散超快速恢复
续流二极管
□
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
□
交流电动机的控制
□
UPS
□
电池供电耗材
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
英寸
4.02
3.58
MILLIMETERS
102.0
91.0
尺寸
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
英寸
0.47
0.75
0.74
1.55
0.05
M4
0.22直径。
0.02
0.12
0.02
0.110
MILLIMETERS
11.85
19.1
18.7
39.3
1.25
M4
5.5直径。
0.5
3.05
0.5
2.79
1.14 +0.04/-0.02 29.0 +1.0/-0.5
3.15±0.01
2.91±0.01
0.16
1.02
0.31
0.79
0.39
0.43
80.0±0.25
74.0±0.25
4.0
26.0
8.1
20.0
10.0
11.0
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM100TU - 12F是
600V (V
CES
） ，百安培六连
IGBT IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
100
V
CES
伏（ ×50 ）
12
1
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM100TU-12F
沟槽栅设计六IGBTMOD
百安培/ 600伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
c
= 25°C)
峰值集电极电流（T
j
≤
150°C)
发射极电流**
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（T
j
< 150 ° C）
安装扭矩， M4主要终端
安装扭矩， M5安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
–
–
–
V
ISO
CM100TU-12F
-40至150
-40至125
600
±20
100
200*
100
200*
350
15
31
570
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
在磅
在磅
克
伏
静态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
分钟。
–
–
5
–
–
–
–
典型值。
–
–
6
1.6
1.6
620
–
马克斯。
1
20
7
2.2
–
–
2.6
单位
mA
A
伏
伏
伏
nC
伏
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
2
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM100TU-12F
沟槽栅设计六IGBTMOD
百安培/ 600伏
动态电气特性，
T
j
= 2 5
°C
除非指定行吟诗人rwise
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电感
负载
开关
时
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 6.3 ,
感性负载
切换操作
I
E
= 100A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
–
–
–
–
–
–
–
–
–
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
1.9
典型值。
27
1.8
1
100
80
300
250
150
–
马克斯。
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
热性能和机械性能，
T
j
= 2 5
°C
除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
日（J -C ）
'Q
R
TH（ C-F ）
测试条件
每个IGBT模块的1/6 ，T
c
参考
每外形图点
热阻，结到外壳
每FWDI 1/6模块，T
c
参考
每外形图点
热阻，结到外壳
每个IGBT模块的1/6 ，
T
c
芯片的正下方参考点
接触热阻
每个模块，散热膏的应用
–
0.018
–
° C / W
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
分钟。
–
典型值。
马克斯。
0.35
单位
° C / W
° C / W
° C / W
–
–
0.70
–
0.23
3
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM100TU-12F
沟槽栅设计六IGBTMOD
百安培/ 600伏
输出特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
200
集电极电流，I
C
（安培）
15
9.5
160
120
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
T
j
= 25
o
C
11
10
2.5
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5
T
j
= 25°C
V
GE
= 20V
9
2.0
1.5
1.0
0.5
4
3
I
C
= 200A
80
40
8
7.5
8.5
2
1
I
C
= 100A
I
C
= 40A
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
0
0
40
80
120
160
200
集电极电流，I
C
（安培）
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与V
CE
（典型值）
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
T
j
= 25°C
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
V
GE
= 0V
C
IES
10
3
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
t
D（关闭）
R
G
= 6.3
t
f
T
j
= 125°C
感性负载
t
D（上）
10
2
10
1
切换时间（纳秒）
10
2
10
1
10
0
C
OES
C
水库
10
1
t
r
10
0
0
.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
0
10
1
集电极电流，I
C
（安培）
10
2
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
反向恢复特性
（典型值）
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅极电荷V
GE
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT & FWDI ）
10
2
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
2
t
rr
I
rr
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
C
= 100A
16
12
8
4
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
10
0
每单位基础
R
日（J -C ）
= 0.35 ℃/ W（ IGBT ）
R
日（J -C ）
= 0.7 ℃/ W（ FWDI ）
单脉冲
T
C
= 25°C
10
1
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 25°C
感性负载
10
1
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
0
10
0
10
0
10
1
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
0
0
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-3
10
-4
10
-3
300
600
900
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
4
三菱IGBT模块
CM100TU-12F
高功率开关使用
CM100TU-12F
I
C ...................................................................
100A
V
CES ................................................. ...........
600V
（绝缘
TYPE
6-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
102
80
±0.25
20
4–φ5.5
安装孔
(4)
CM
N
11
19.1
E
G
P
11
E
19.1
G
11 11.85
E
枪
EUN
GVN
EVN
周报
EWN
GUP
EUP
G
74
±0.25
91
GVP
EVP
GWP
EWP
U
V
W
G
E
G
E
G
E
39.3
18.7
1.25
10
10
5–M4NUTS
TC测量点
2.8
10
11
20
19.1
10
20
11
10
1.25
0.5
3.05
11
4
TC测量点
P
29
–0.5
+1
19.1
7.1
8.1
G
U
P
RTC
E
U
P
U
G
V
P
RTC
E
V
P
G
V
N
RTC
E
V
N
V
G
W
P
RTC
E
W
P
G
W
N
RTC
E
W
N
W
LABEL
26
G
U
N
RTC
E
U
N
N
电路图
1999年8月
三菱IGBT模块
CM100TU-12F
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
100
200
100
200
350
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
1.3 ~ 1.7
2.5 ~ 3.5
570
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M4
安装孔M5
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
CES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 6.3Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 100A
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（ 1/6模块）
FWDI部分（ 1/6模块）
案例鳍，热compoundapplied
*2
（ 1/6模块）
TC测量点就是芯片下
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.3
范围
典型值。
—
6
—
1.6
1.6
—
—
—
620
—
—
—
—
—
1.9
—
—
—
0.11
—
—
马克斯。
1
7
20
2.2
—
27
1.8
1
—
100
80
300
250
150
—
2.6
0.35
0.70
—
0.28
V3
63
单位
mA
V
A
V
nF
nC
ns
ns
C
V
° C / W
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
，模/ DT代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管的特性。 （ FWDI ） 。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
1 ：TC测量点显示在外形图。
*
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
1999年8月
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