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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第715页 > CM100TL-12NF
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
CM100TL-12NF
I
C ...................................................................
100A
V
CES ................................................. ...........
600V
（绝缘
TYPE
6-elements
一包
应用
交流传动变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
11
7
13.62
40.78
12
35
12
A
B
U
V
W
B
(13.5)
32
12
6 - M5螺母
10.75
(19.75)
12
22
23
12
23
12
23
12
（旋盖深度）
11.75
55
1
1
1
1
8
P
22
–0.5
16
23.2
+1
3
WP
VP
L A B 左
120
106
±0.5
17
17
2-φ5.5
安装孔
UP
CN
N
A和B的房屋类型
（ J.S.T.Mfg.Co.Ltd ）
A = B8P - VH -FB -B ， B = B2P - VH -FB -B
P
UP-1
UP-2
U
CN-5
CN-6
CN-3
CN-4
VP-1
VP-2
V
WP-1
WP-2
W
CN-1
CN-2
B
CN-7
CN-8
N
NC
NC
NC
电路图
二月
2009
1
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
绝对最大额定值
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
= 99°C
*1
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
100
200
100
200
540
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
2.5 ~ 3.5
350
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
终端底板， F = 60Hz的， AC 1分钟
主端子M5螺丝
安装M5螺丝
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
接触热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3Ω ，电感性负载
I
E
= 100A
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（ 1/6模块）
*1
FWDI部分（ 1/6模块）
*1
案件散热片，热复合应用（ 1/6模块）
*2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.3
范围
典型值。
—
7
—
1.7
1.7
—
—
—
400
—
—
—
—
—
2.1
—
—
—
0.085
—
马克斯。
1
8
0.5
2.2
—
15
1.9
0.6
—
120
100
300
300
120
—
2.8
0.23
0.41
—
63
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
K / W
K / W
K / W
*
1：外壳温度（ Tc）的测量点仅仅是芯片之下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
*
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
二月
2009
2
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
（典型值）
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
200
V
GE
=
20V
4
15
13
T
j
= 25°C
12
V
GE
= 15V
150
3
100
11
2
50
8
0
0
2
4
6
8
10
9
10
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
50
100
150
200
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
续流二极管
正向特性
（典型值）
10
3
7
10
T
j
= 25°C
发射极电流I
E
(A)
8
5
3
2
6
10
2
7
5
3
2
4
I
C
= 100A
I
C
= 200A
2
I
C
= 30A
0
6
8
10
12
14
16
18
20
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
1
2
3
4
5
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容-V
CE
特征
（典型值）
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
7
5
3
2
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
7
5
3
2
t
f
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
1
7
5
3
2
C
IES
切换时间（纳秒）
10
2
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
C
OES
C
水库
10
1
7
5
3
2
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0 1
10
集电极电流I
C
(A)
二月
2009
3
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复电流升
rr
(A)
7
5
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J -C ）
（比）
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
3
10
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分& FWDI部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
单脉冲，
7
5
T
C
= 25°C
3
根据芯片
2
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
t
rr
I
rr
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 25°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
IGBT部分：
10
–2
每单位基础=
7
5
R
日（J -C ）
= 0.23K / W
FWDI部分：
3
每单位基础=
2
R
日（J -C ）
= 0.41K / W
10
–3
10
–2
7
5
3
2
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
发射极电流I
E
(A)
时间（s）
开关损耗与
集电极电流
（典型值）
10
1
7
开关损耗与
栅极电阻
（典型值）
条件：
V
CC
= 300V
5
V
GE
=
±15V
3
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
2
感性负载
C缓冲的公交车
10
1
7
7
5
3
2
开关损耗（兆焦耳/脉冲）
5
3
2
10
0
7
5
3
2
ESW （OFF ）
ESW （上）
开关损耗（兆焦耳/脉冲）
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
10
2
ESW （OFF ）
ESW （上）
10
–1 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
10
0 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
集电极电流I
C
(A)
门阻抗R
G
()
恢复损耗与我
E
（典型值）
10
0
7
恢复损耗对比
栅极电阻
（典型值）
10
0
7
ERR
恢复损耗（兆焦耳/脉冲）
5
3
2
恢复损耗（兆焦耳/脉冲）
5
3
2
ERR
10
–1
7
5
3
2
10
–2 0
10
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2 0
10
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
I
E
= 100A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
发射极电流I
E
(A)
门阻抗R
G
()
二月
2009
4
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
栅极电荷
特征
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 100A
V
CC
= 200V
16
V
CC
= 300V
12
8
4
0
0
100
200
300
400
500
600
栅极电荷q
G
（ NC ）
二月
2009
5
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
CM100TL-12NF
I
C ...................................................................
100A
V
CES ................................................. ...........
600V
（绝缘
TYPE
6-elements
一包
应用
交流传动变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
11
7
13.62
40.78
12
35
12
A
B
U
V
W
B
(13.5)
32
6 - M5螺母
10.75
(19.75)
12
22
23
12
23
12
23
12
12
（旋盖深度）
11.75
55
1
1
1
1
8
P
22
–0.5
16
23.2
+1
3
WP
VP
L A B 左
120
106
±0.5
17
17
2-φ5.5
安装孔
UP
CN
N
A和B的房屋类型
（ J.S.T.Mfg.Co.Ltd ）
A = B8P - VH -FB -B ， B = B2P - VH -FB -B
P
UP-1
UP-2
U
CN-5
CN-6
CN-3
CN-4
VP-1
VP-2
V
WP-1
WP-2
W
CN-1
CN-2
B
CN-7
CN-8
N
NC
NC
NC
电路图
2004年6月
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
绝对最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
= 99°C
*1
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
100
200
100
200
540
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
2.5 ~ 3.5
350
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M5
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
接触热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 6.3Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 100A
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（ 1/6模块）
*1
FWDI部分（ 1/6模块）
*1
案例鳍，热复合应用（ 1/6模块）
*2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.3
范围
典型值。
—
7
—
1.7
1.7
—
—
—
400
—
—
—
—
—
2.1
—
—
—
0.085
—
马克斯。
1
8
0.5
2.2
—
15
1.9
0.6
—
120
100
300
300
120
—
2.8
0.23
0.41
—
63
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
° C / W
° C / W
° C / W
*
1 ：TC测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略不计的温升。
2004年6月
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
（典型值）
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
200
V
GE
=
20V
4
15
13
T
j
= 25°C
12
V
GE
= 15V
150
3
100
11
2
50
8
0
0
2
4
6
8
10
9
10
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
50
100
150
200
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
续流二极管
正向特性
（典型值）
10
3
7
10
T
j
= 25°C
发射极电流I
E
(A)
8
5
3
2
6
10
2
7
5
3
2
4
I
C
= 100A
I
C
= 200A
2
I
C
= 30A
0
6
8
10
12
14
16
18
20
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
1
2
3
4
5
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容-V
CE
特征
（典型值）
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
7
5
3
2
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
7
5
3
2
t
f
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
1
7
5
3
2
C
IES
切换时间（纳秒）
10
2
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
C
OES
C
水库
10
1
7
5
3
2
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0 1
10
集电极电流I
C
(A)
2004年6月
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复电流升
rr
(A)
7
5
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J -C ）
（比）
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
3
10
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分& FWDI部分）
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
单脉冲，
7
5
T
C
= 25°C
3
根据芯片
2
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
t
rr
I
rr
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 25°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
IGBT部分：
10
–2
每单位基础=
7
5
R
日（J -C ）
= 0.23 ° C / W
FWDI部分：
3
每单位基础=
2
R
日（J -C ）
= 0.41 ° C / W
10
–3
10
–2
7
5
3
2
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
发射极电流I
E
(A)
时间（s）
开关损耗与
集电极电流
（典型值）
10
1
条件：
V
CC
= 300V
5
V
GE
=
±15V
3
R
G
= 6.3
T
j
= 125°C
2
感性负载
C缓冲的公交车
10
0
7
ESW （OFF ）
7
5
3
2
开关损耗与
栅极电阻
（典型值）
条件：
V
CC
= 300V
5
V
GE
=
±15V
3
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
2
感性负载
C缓冲的公交车
10
1
7
7
5
3
2
10
2
开关损耗（兆焦耳/脉冲）
开关损耗（兆焦耳/脉冲）
ESW （OFF ）
ESW （上）
ESW （上）
10
–1 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
10
0 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
集电极电流I
C
(A)
门阻抗R
G
()
恢复损耗与我
E
（典型值）
10
0
7
恢复损耗对比
栅极电阻
（典型值）
10
0
7
ERR
恢复损耗（兆焦耳/脉冲）
5
3
2
恢复损耗（兆焦耳/脉冲）
5
3
2
ERR
10
–1
7
5
3
2
10
–2 0
10
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2 0
10
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
I
E
= 100A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
发射极电流I
E
(A)
门阻抗R
G
()
2004年6月
三菱IGBT模块
CM100TL-12NF
高功率开关使用
栅极电荷
特征
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 100A
V
CC
= 200V
16
V
CC
= 300V
12
8
4
0
0
100
200
300
400
500
600
栅极电荷q
G
（ NC ）
2004年6月
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