三菱IGBT模块
CM100RX-12A
高功率开关使用
CM100RX-12A
I
C ...................................................................
100A
V
CES ................................................. ...........
600V
7pack
（ 3相逆变器+刹车）
Flatbase
类型/绝缘封装/
铜（非电镀）底板
· RoHS指令
指令兼容
应用
通用变频器，伺服放大器
外形绘图&电路图
(20.5)
尺寸（mm）
1.15
0.65
3.5
φ4.3
1.5
0.8
12.5
(102.25)
(110)
＊
114.06
0
(7.75)
＊
15
＊
18.8
＊
30.24
＊
34.04
＊
45.48
＊
49.28
＊
60.72
＊
64.52
＊
75.96
＊
79.76
＊
91.2
＊
95
(3.81)
φ2.5
φ2.1
(7.4)
LABEL
1.2
TERMINAL吨= 0.8
A节
17
13
(21.14)
6.5
＊
54.2
34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
(50)
17
12
6
12
35
11
10
9
8
7
36
1
2
3
4
6
5
17
12
6
39
50
±0.5
57.5
62
77.1
＊
34.52
＊
30.72
＊
15.48
＊
11.66
13.64 14
22
39
(21.14)
0
A
6
12
13.5
20.71
8.5
17
22.86
22.86
6.5
(5.4)
12.5
（旋盖深度）
17
+1
-0.5
P(35)
(3)
6 - M5螺母
22.86
*引脚
职位
与宽容
φ0.5
TH1(11)
NTC
宽容另有规定
维司
0.5
过度
过度
3
6
30
to
to
to
to
to
3
6
30
120
400
公差
±0.2
±0.3
±0.5
±0.8
±1.2
GuP(34)
B(4)
EuP(33)
GvP(26)
EvP(25)
U(1)
GwP(18)
TH2(10)
EwP(17)
V(2)
W(3)
GB(6)
EB(5)
N(36)
GuN(30)
EuN(29)
GvN(22)
EvN(21)
GwN(14)
EwN(13)
过度
超过120个
电路图
0.8
136.9
121.7
110
±0.5
99
94.5
4 - φ5.5安装孔
(20.5)
7
2009年1月
三菱IGBT模块
CM100RX-12A
高功率开关使用
NTC热敏电阻的一部分
符号
R
ΔR/R
B
(25/50)
P
25
参数
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100℃ ，R
100
= 493Ω
通过近似公式
T
C
= 25°C
分钟。
4.85
–7.3
—
—
范围
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
kΩ
%
K
mW
（注7）
模块
符号
R
TH（ C-F ）
参数
条件
（注2 ）
分钟。
—
范围
典型值。
0.015
马克斯。
—
单位
K / W
接触热阻
导热硅脂应用
每1个模块（注1）的
（案例鳍）
注1 ：外壳温度（T
C
） ，散热片温度（T
f
）测量点就是芯片下。 （参考芯片位置的图。）
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9W / （M ·K ） 。
3: I
E
, I
企业风险管理
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ） 。
I
F
, I
FRM
, V
F
, V
RRM
我
RRM
代表制动部分的钳位二极管的额定值和特性。
4 ：脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）剂量不得超过TJMAX评级。
5 ：结温（T
j
）不应增加超过150℃。
6 ：脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
（参考测试电路为Ⅴ的数字
CE （ SAT ）
和V
EC
)
1
7:
B
(25/50)
=在（R
25
)/( 1
)
T
50
R
50
T
25
R
25
：在绝对温度T阻力
25
[K] ;牛逼
25
= 25 ° C] 273.15 = 298.15 [ K]
R
50
：在绝对温度T阻力
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] 273.15 = 323.15 [K]的
芯片位置（顶视图）
22.2
31.7
41.2
50.7
78.8
79.4
88.4
96.8
尺寸（mm） （公差：
±1mm)
99.5
标签的一面
0
0
34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
0
35
(77.1)
24.8
29.4
32.2
36.8
36
Tr
UP
Di
UP
Tr
牛逼 VP牛逼
联合国D我VN
D我VP D我
UN
VN
1
2
3
Tr
WP牛逼
D我WN的Th
WP D我
WN牛逼
Br
4
Di
Br
12
11
10
9
8
7
6
5
21.3
30.4
41.2
(62)
(50)
(110)
(121.7)
(136.9)
每个标记点的每个芯片的中心位置。 TR ** ： IGBT ，迪** ： FWDI （ DIBR ：钳位二极管） ，钍： NTC热敏电阻
2009年1月
4
三菱IGBT模块
CM100RX-12A
高功率开关使用
P
V
V
GE
= 15V
GUP
EUP
P
I
C
V
GE
= 0V
GUP
EUP
P
U
V
GE
= 0V
枪
EUN
U
V
GE
= 15V
枪
EUN
B
I
C
V
V
GE
= 15V
GB
EB
I
C
N
V
N
N
P侧逆变器部分T内
r
（U臂为例）
V
GE
= 0V （ GVP -执行副总裁，全球水伙伴 - EWP ， GVN -EVN ，
GWN - EWN ， GB- EB ）
N侧，逆变器部分T内
r
（U臂为例）
V
GE
= 0V （ GVP -执行副总裁，全球水伙伴 - EWP ， GVN -EVN ，
GWN - EWN ， GB- EB ）
V
CE （ SAT ）
测试电路
B
r
T
r
V
GE
= 0V （ GUP邑， GVP -执行副总裁，全球水伙伴 - EWP ，
枪垠， GVN - EVN ，周报， EWN ）
P
V
V
GE
= 0V
GUP
EUP
P
I
E
V
GE
= 0V
GUP
EUP
P
V
I
F
B
U
U
V
GE
= 0V
枪
EUN
V
GE
= 0V
枪
EUN
I
E
N
V
V
GE
= 0V
GB
EB
N
P侧逆变器D部分
i
（U臂为例）
V
GE
= 0V （ GVP -执行副总裁，全球水伙伴 - EWP ， GVN -EVN ，
GWN - EWN ， GB- EB ）
N侧，逆变器D部分
i
（U臂为例）
V
GE
= 0V （ GVP -执行副总裁，全球水伙伴 - EWP ， GVN -EVN ，
GWN - EWN ， GB- EB ）
V
EC
/V
FM
测试电路
N
B
r
D
i
V
GE
= 0V （ GUP邑， GVP -执行副总裁，全球水伙伴 - EWP ，
枪垠， GVN - EVN ，周报， EWN ）
ARM
I
E
0V
负载
V
GE
90%
0%
I
E
t
rr
–
V
GE
+
+
V
GE
0V
–
V
GE
V
CC
I
C
90%
0A
t
R
G
V
GE
V
CE
I
C
0A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
rr
10%
1/2
I
rr
Q
rr
= 1/2
I
rr
t
rr
开关时间测试电路和波形
t
rr,
Q
rr
测试波形
2009年1月
5
CM100RX-12A
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
六IGBTMOD +刹车
NX系列模块
百安培/ 600伏
AH
AL
AK
AL
AL
AN
AL
AM
AL
AM
A
D
E
F
G
AL
AM
AK
AJ
AP
AJ
AM
AM
R
AD
AE
J
RQ
TS
R Q
U
V
P
P
H
AT
AR
AQ
AS
34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
详细信息"A"
35
AA （4处）
AU
AL
12
11
10
9
8
7
6
5
NM L KB
AVAL
36
1
2
3
4
AW
H
J
AB
（ 6位）
详细信息"B"
TH
1
(11)
G
U
P(34)
B(4)
E
U
P(33)
U(1)
GB(6)
G
V
P(26)
E
V
P(25)
V(2)
G
W
P(18)
E
W
P(17)
W(3)
NTC
TH
2
(10)
AX
AL
AZ
BA
C
BC
BD
AF
AG
P(35)
BE
X
Y
Q
P
R
Z
W
Z
Z
AC
BB
AY
详细信息"B"
详细信息"A"
EB(5)
N(36)
G
U
N(30)
E
U
N(29)
G
V
N(22)
E
V
N(21)
G
W
N(14)
E
W
N(13)
* ALL PIN尺寸范围内
的公差
±0.5
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块
由六个IGBT晶体管
三相桥式结构
及第七的IGBT与自由
续流二极管的动态制动。
所有组件和互连
从散热隔离
底板，提供简化的
系统组装和热
管理。
产品特点：
低驱动电源
低V
CE （ SAT ）
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
交流电动机的控制
运动/伺服控制
太阳能/燃料电池
订货信息：
例如：选择完整
你想要的模块数量
下面-i.e.表
CM100RX - 12A是600V （Ⅴ
CES
),
百安培六IGBTMOD +
制动功率模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
100
V
CES
伏（ ×50 ）
12
外形图和电路图
尺寸
A
B
英寸
5.39
3.03
4.79
4.33±0.02
3.89
3.72
0.83
0.37
2.44
2.26
1.97±0.02
1.53
0.24
0.48
0.67
1.53
0.87
0.55
0.54
0.33
0.53
0.81
0.9
0.22直径。
M5
0.06
MILLIMETERS
136.9
77.1
121.7
110.0±0.5
99.0
94.5
21.14
6.5
62.0
57.5
50.0±0.5
39.0
6.0
12.0
17.0
39.0
22.0
14.0
13.64
8.5
13.5
20.71
22.86
5.5直径。
M5
1.5
尺寸
AD
AE
AF
AG
AH
AJ
AK
AL
AM
AN
AP
AQ
AR
AS
AT
AU
AV
AW
AX
AY
AZ
BA
BB
BC
BD
BE
英寸
0.51
0.12
0.21
0.49
0.81
0.30
0.28
0.15
0.45
0.14
0.16
0.78
0.03
0.27
0.16
0.61
0.60
0.46
0.04
0.02
0.29
0.05
0.49
0.17直径。
0.10 DIA 。
0.08直径。
MILLIMETERS
13.0
3.0
5.4
12.5
20.5
7.75
7.25
3.81
11.44
3.5
4.06
20.05
0.8
7.0
4.2
15.48
15.24
11.66
1.15
0.65
7.4
6.2
12.5
4.3直径。
2.5直径。
2.1Dia.
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
AC
修订版3/09
0.67+0.04/-0.02 17.0+1.0/-0.5
1
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
CM100RX-12A
六IGBTMOD +刹车NX系列模块
百安培/ 600伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率器件结温
储存温度
安装扭矩， M5螺丝安装
安装扭矩， M5主接线螺丝
模块重量（典型）
底板平整度，在中线X，Y （见下文）
隔离电压， AC 1分钟， 60Hz的正弦
符号
T
j
T
英镑
—
—
—
—
V
ISO
CM100RX-12A
-40至150
-40至125
31
31
330
±0 ~ +100
2500
单位
°C
°C
在磅
在磅
克
m
伏
变频器行业
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
C
= 75°C)
*1
峰值集电极电流（脉冲）
*3
发射极电流（T
C
= 25°C)
*1
峰值发射极电流
*3
最大集电极耗散（T
C
= 25°C)
*1*4
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
*2
I
EM
*2
P
C
600
±20
100
200
100
200
400
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
制动部门
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
C
= 97°C)
*1
峰值集电极电流（脉冲）
*3
最大集电极耗散（T
C
= 25°C)
*1*4
重复峰值反向电压（钳位二极管部分）
正向电流（T
C
= 25°C)
*1
正向电流（脉冲）
*3
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
P
C
V
RRM
*2
I
F
*2
I
FM
*2
600
±20
50
100
280
600
50
100
伏
伏
安培
安培
瓦
伏
安培
安培
* 1外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
f
）是在刚刚在芯片下底板和散热片的表面上所定义。
*2 I
E
, I
EM
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
I
F
, I
FM
, I
RRM
, V
FM
和V
RRM
代表了评级和钳位二极管的特性。
* 3脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
* 4结温（T
j
）不应该增加超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
底板平坦度
测量点
散热器侧面
- ：凹
芯片位置（顶视图）
芯片位置（顶视图）
IGBT
FWDI
NTC热敏电阻
22.2
50.7
78.8
88.4
99.5
31.7
41.2
+ ：凸
Y
0
0
0
34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
X
35
- ：凹
24.8
29.4
32.2
36.8
36
U
P
U
P
U
N
U
N
1
V
P
V
P
V
N
V
N
2
W
P
W
P
W
N
W
N
Br
Th
Br
4
12
11
10
9
8
7
6
5
21.3
30.4
41.2
+ ：凸
散热器侧面
3
0
22.2
31.7
41.2
50.7
79.4
88.4
尺寸（mm） （公差：
±1mm)
2
96.8
修订版3/09
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
CM100RX-12A
六IGBTMOD +刹车NX系列模块
百安培/ 600伏
电气和机械特性，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
变频器行业
特征
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*5
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*5
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V ，芯片
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
电感
负载
开关
时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
*2
QRR
*2
V
EC
*2
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
*5
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
*5
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V ，芯片
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A,
V
GE
=
±15V,
R
G
= 6.2Ω, I
E
= 100A,
感应负载开关操作
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
6
—
1.7
1.9
1.6
—
—
—
270
—
—
—
—
—
4.8
2.0
1.95
1.9
马克斯。
1.0
7
0.5
2.1
—
—
13.3
1.4
0.45
—
100
100
300
600
200
—
2.8
—
—
单位
mA
伏
A
伏
伏
伏
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
伏
伏
伏
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热性能和机械性能，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
热阻，结到外壳**
热阻，结到外壳**
接触热阻**
内部栅极电阻
外部栅极电阻
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
日（J -F ）
R
GINT
R
G
测试条件
每个IGBT
*1
每FWDI
*1
案件散热器（每1模块）
导热硅脂应用
*1*7
T
C
= 25°C
—
6
0
—
—
62
Ω
Ω
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
0.015
马克斯。
0.31
0.59
—
单位
° C / W
° C / W
° C / W
**热电阻值是每1个元素。
* 1外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
f
）是在刚刚在芯片下底板和散热片的表面上所定义。
*2 I
E
, I
EM
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
I
F
, I
FM
, I
RRM
, V
FM
和V
RRM
代表了评级和钳位二极管的特性。
* 5脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
* 7典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
修订版3/09
3
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
CM100RX-12A
六IGBTMOD +刹车NX系列模块
百安培/ 600伏
电气和机械特性，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
制动部门
特征
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 5毫安
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
*5
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
*5
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V ，芯片
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
重复反向电流
正向电压降
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
I
RRM
*2
V
FM
*2
V
CC
= 300V ，我
C
= 50A ，V
GE
= 15V
V
R
= V
RRM
I
F
= 50A ，T
j
= 25°C
*5
I
F
= 50A ，T
j
= 125°C
*5
I
F
= 50A ，芯片
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
6
—
1.7
1.9
1.6
—
—
—
200
—
2.0
1.95
1.9
马克斯。
1.0
7
0.5
2.1
—
—
9.3
1.0
0.3
—
1.0
2.8
—
—
单位
mA
伏
A
伏
伏
伏
nF
nF
nF
nC
mA
伏
伏
伏
热性能和机械性能，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
热阻，结到外壳**
热阻，结到外壳**
接触热阻**
内部栅极电阻
外部栅极电阻
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
日（J -F ）
R
GINT
R
G
测试条件
每个IGBT
*1
每FWDI
*1
案件散热器（每1模块）
导热硅脂应用
*1*7
T
C
= 25°C
—
13
0
—
—
125
Ω
Ω
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
0.015
马克斯。
0.44
0.85
—
单位
° C / W
° C / W
° C / W
NTC热敏电阻行业，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
符号
R
R/R
B
(25/50)
P
25
测试条件
T
C
= 25°C
*1
T
C
= 100℃ ，R
100
= 493Ω
*1
B = （ INR
1
- INR
2
) / (1/T
1
– 1/T
2
)
*6
T
C
= 25°C
*1
分钟。
4.85
–7.3
—
—
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
kΩ
%
K
mW
**热电阻值是每1个元素。
* 1外壳温度（T
C
）和散热片温度（T
f
）是在刚刚在芯片下底板和散热片的表面上所定义。
*2 I
E
, I
EM
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
I
F
, I
FM
, I
RRM
, V
FM
和V
RRM
代表了评级和钳位二极管的特性。
* 5脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
* 7典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
4
修订版3/09
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
CM100RX-12A
六IGBTMOD +刹车NX系列模块
百安培/ 600伏
输出特性
（逆变部分 - 典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（逆变部分 - 典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（逆变部分 - 典型值）
200
15
集电极电流，I
C
（安培）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
T
j
= 25°C
V
GE
= 20V
12
13
3.5
150
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
8
6
4
2
0
T
j
= 25°C
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 40A
100
11
50
10
9
8
0
0
2
4
6
8
10
50
100
150
200
6
8
10
12
14
16
18
20
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
续流二极管
正向特性
（逆变部分 - 典型值）
电容与VCE
（逆变部分 - 典型值）
半桥
开关特性
（逆变部分 - 典型值）
10
3
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
2
V
GE
= 0V
C
IES
切换时间（纳秒）
10
4
10
1
10
3
t
f
t
D（关闭）
10
2
10
0
C
OES
C
水库
10
2
t
D（上）
t
r
10
-1
10
1
10
1
0
1
2
3
4
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 6.2
T
j
= 125°C
感性负载
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
切换时间与
栅极电阻
（逆变部分 - 典型值）
反向恢复特性
（逆变部分 - 典型值）
栅电荷VS. VGE
（逆变部分）
10
3
反向恢复我
rr
（A ） ，T
rr
（纳秒）
10
3
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
切换时间（纳秒）
t
f
t
D（关闭）
t
r
t
D（上）
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 6.2
T
j
= 25°C
感性负载
20
16
12
8
4
0
I
C
= 100A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
10
2
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
感性负载
10
2
10
1
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
10
1
10
1
I
rr
t
rr
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
10
3
0
100
200
300
400
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
修订版3/09
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