三菱IGBT模块
CM100DY-24NF
高功率开关使用
CM100DY-24NF
I
C ...................................................................
100A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
TC测量点（底板）
94
17
23
23
17
C2E1
E2
C1
E2 G2
4
G1 E1
12
2 - φ6.5安装孔
12
80±
0.25
12
4
3 - M5螺母
20
(14)
48
13
18
4
TAB ＃ 110 。 T = 0.5
16
7
16
7
16
7.5
C2E1
E2
C1
+0.1
29
–0.5
LABEL
电路图
G1 E1
21.2
E2 G2
Mar.2003
三菱IGBT模块
CM100DY-24NF
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
’ = 113°C
*3
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1200
±20
100
200
100
200
650
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M6
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 3.1Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 100A
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
TC测量点就是芯片下
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.1
范围
典型值。
—
7
—
1.8
2.0
—
—
—
675
—
—
—
—
—
5.0
—
—
—
0.07
—
—
马克斯。
1
8
0.5
2.5
—
23
2
0.45
—
120
80
450
350
150
—
3.2
0.19
0.35
—
0.13
*3
31
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
*
1 ：TC测量点显示在页面外形图。
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：TC '测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
Mar.2003
三菱IGBT模块
CM100DY-24NF
高功率开关使用
CM100DY-24NF
I
C ...................................................................
100A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
TC测量点（底板）
94
17
23
23
17
C2E1
E2
C1
E2 G2
4
G1 E1
12
2 - φ6.5安装孔
12
80±
0.25
12
4
3 - M5螺母
20
(14)
48
13
18
4
TAB ＃ 110 。 T = 0.5
16
7
16
7
16
7.5
C2E1
E2
C1
+0.1
29
–0.5
LABEL
电路图
G1 E1
21.2
E2 G2
Mar.2003
三菱IGBT模块
CM100DY-24NF
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
’ = 113°C
*3
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1200
±20
100
200
100
200
650
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M6
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 3.1Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 100A
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
TC测量点就是芯片下
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.1
范围
典型值。
—
7
—
1.8
2.0
—
—
—
675
—
—
—
—
—
5.0
—
—
—
0.07
—
—
马克斯。
1
8
0.5
2.5
—
23
2
0.45
—
120
80
450
350
150
—
3.2
0.19
0.35
—
0.13
*3
31
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
*
1 ：TC测量点显示在页面外形图。
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：TC '测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
Mar.2003
三菱IGBT模块
CM100DY-24NF
高功率开关使用
CM100DY-24NF
I
C ...................................................................
100A
V
CES ................................................. ........
1200V
（绝缘
TYPE
2-elements
一包
应用
通用变频器&伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
TC测量点（底板）
94
17
23
23
17
C2E1
E2
C1
E2 G2
4
G1 E1
12
2 - φ6.5安装孔
12
80±
0.25
12
4
3 - M5螺母
20
(14)
48
13
18
4
TAB ＃ 110 。 T = 0.5
16
7
16
7
16
7.5
C2E1
E2
C1
+1.0
29
–0.5
LABEL
电路图
1
G1 E1
21.2
E2 G2
二月
2009
三菱IGBT模块
CM100DY-24NF
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
’ = 113°C
*3
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
1200
±20
100
200
100
200
650
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
终端底板， F = 60Hz的， AC 1分钟
主端子M5螺丝
M6安装螺钉
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A
V
GE
=
±15V
R
G
= 3.1Ω ，电感性负载
I
E
= 100A
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案件散热片，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
测得的情况下温度点正好在筹码
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.1
范围
典型值。
—
7
—
1.8
2.0
—
—
—
675
—
—
—
—
—
5.0
—
—
—
0.07
—
—
马克斯。
1
8
0.5
2.5
—
23
2
0.45
—
120
80
450
350
150
—
3.2
0.19
0.35
—
0.13
*3
31
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
V
K / W
K / W
K / W
K / W
*
1 ：外壳温度（Tc ）测量点显示在页面外形图。
*
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
*
3 ：外壳温度（Tc ' ）测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
二月
2009
2
CM100DY-24NF
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
双IGBTMOD
NF系列模块
百安培/ 1200伏
TC测量点
（底板）
A
F
E
F
E
G2
E2
G
J
B
N
C2E1
E2
C1
E1
G1
H
G
K
L
（ 2处）
K
D
K
M NUTS
（ 3处）
P
Q
P
Q
P
牛逼厚
ü宽度
S
C
V
LABEL
R
G2
E2
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管在一个半
每个转录桥配置
体管具有一个反向连接的
超快速恢复自由轮
二极管。所有的组件和接口
所连接被从分离
散热底座，提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点：
□
低驱动电源
□
低V
CE （ SAT ）
□
离散超快速恢复
续流二极管
□
隔离式底座，方便
散热
应用范围：
□
交流电动机的控制
□
UPS
□
电池供电耗材
订货信息：
例如：选择完整
你想要的部分模块编号
从下面-i.e.表
CM100DY - 24NF是1200V
(V
CES
） ，百安培双
IGBTMOD 电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
100
V
CES
伏（ ×50 ）
24
C2E1
E2
C1
E1
G1
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
3.70
1.89
MILLIMETERS
94.0
48.0
尺寸
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
英寸
0.26直径。
M5公制
0.79
0.63
0.28
0.83
0.30
0.02
0.110
0.16
MILLIMETERS
直径。 6.5
M5
20.0
16.0
7.0
21.2
7.5
0.5
2.8
4.0
1.14+0.04/-0.02 29.0+1.0/-0.5
3.15±0.01
0.67
0.91
0.16
0.71
0.51
0.47
80.0±0.25
17.0
23.0
4.0
18.0
13.0
12.0
1
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM100DY-24NF
双IGBTMOD NF系列模块
百安培/ 1200伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流*** （ DC ，T
C
'
=
113°C)
峰值集电极电流
发射极电流** （T
C
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（T
C
= 25 ° C，T
j
≤
150°C)
安装扭矩， M5主要终端
安装扭矩， M6安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
C
—
—
—
V
ISO
CM100DY-24NF
-40至150
-40至125
1200
±20
100
200*
100
200*
650
30
40
310
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
在磅
在磅
克
伏
静态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
分钟。
—
—
6.0
—
—
—
—
典型值。
—
—
7.0
1.8
2.0
675
—
马克斯。
1.0
0.5
8.0
2.5
—
—
3.2
单位
mA
A
伏
伏
伏
nC
伏
动态电气特性，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电感
负载
开关
时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V ，R
G
= 3.1,
感性负载
切换操作，
I
E
= 100A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
马克斯。
23
2
0.45
120
80
450
350
150
—
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
C
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
*脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
*** TC'测量点就是芯片下。如果这个值被使用时， Rth的（发）应该只在芯片下测量
2
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM100DY-24NF
双IGBTMOD NF系列模块
百安培/ 1200伏
热性能和机械性能，
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
日（J -C ）
'Q
R
TH（ C-F ）
R
G
测试条件
每个IGBT模块的1/2 ，T
C
参考
每外形图点
热阻，结到外壳
每FWDI 1/2模块，T
C
参考
每外形图点
热阻，结到外壳
每个IGBT模块的1/2 ，
T
C
参考在芯片点
接触热阻
外部栅极电阻
每1/2模块，导热硅脂的应用
—
3.1
0.07
—
—
31
° C / W
—
—
0.13
° C / W
—
—
0.35
° C / W
分钟。
—
典型值。
—
马克斯。
0.19
单位
° C / W
输出特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
200
15
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
V
GE
=
20V
13
12
T
j
= 25
o
C
4
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
T
j
= 25°C
集电极电流，I
C
（安培）
150
11
3
8
6
4
2
I
C
= 200A
100
2
I
C
= 100A
I
C
= 40A
50
10
1
9
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
0
0
50
0
100
150
200
6
8
10
12
14
16
18
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
集电极电流，I
C
（安培）
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与VCE
（典型值）
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
V
GE
= 0V
C
IES
切换时间（纳秒）
10
3
t
f
t
D（关闭）
10
1
10
2
t
D（上）
t
r
T
j
= 25°C
10
2
10
0
C
OES
10
1
C
水库
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.1
T
j
= 125°C
感性负载
10
1
0
1
2
3
4
5
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
3
Powerex公司，公司， 200 E.希利斯街，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
CM100DY-24NF
双IGBTMOD NF系列模块
百安培/ 1200伏
反向恢复特性
（典型值）
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅电荷VS. VGE
开关损耗， ê
SW（上）
, E
SW （关闭）
（兆焦耳/脉冲）
开关损耗与
集电极电流（典型值）
10
3
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
3
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.1
T
j
= 25°C
感性负载
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
10
2
I
C
= 100A
16
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
12
8
4
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.1
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
10
2
10
2
10
1
I
rr
t
rr
10
1
10
1
10
1
10
2
发射极电流，I
E
（安培）
E
SW （ON）的
E
SW （OFF）的
10
3
0
0
200
400
600
800
1000
10
0
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（安培）
10
3
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
归一化瞬态热阻抗，Z
日（ J- C' ）
Z
th
= R
th
（标准值）
开关损耗与
栅极电阻（典型值）
开关损耗， ê
SW（上）
, E
SW （关闭）
（兆焦耳/脉冲）
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT & FWDI ）
10
2
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
感性负载
C缓冲的公交车
10
0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
-1
单脉冲
T
C
= 25°C
每单位基础=
R
日（J -C ）
=
0.19°C/W
（IGBT）
R
日（J -C ）
=
0.35°C/W
（ FWDI ）
10
1
10
-2
10
-2
E
SW （ON）的
E
SW （OFF）的
10
0
10
0
10
1
栅极电阻，R
G
, ()
10
2
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
4
QQ：2881677436 复制
