三菱IGBT模块
CM1000DUC-34NF
高功率开关使用
绝缘型
绝对最大额定值（T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CRM
P
合计
I
E
I
企业风险管理
V
ISOL
T
j
T
英镑
(Note1)
(Note1)
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
总功耗
发射极电流
（免费续流二极管的正向电流）
隔离电压
结温
储存温度
G- ê短路
C- ê短路
DC ，T
C
=104 °C
脉冲，重复
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
（注2 ， 4 ）
（注2 ， 4 ）
条件
等级
1700
± 20
1000
2000
8925
1000
单位
V
V
A
W
A
V
°C
(Note2)
(Note3)
脉冲，重复
-
(Note7)
(Note3)
2000
3500
-40 ~ +150
-40 ~ +125
终端底板， RMS ， F = 60Hz时， AC 1分钟
电气特性（T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CESAT
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
EC
t
rr
Q
rr
E
on
E
关闭
E
rr
(Note1)
(Note1)
(Note1)
(Note1)
项
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
发射极 - 集电极电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
开启每个脉冲的能量转换
关断每个脉冲的能量转换
每个脉冲反向恢复能量
内部引线电阻
内部栅极电阻
条件
V
CE
=V
CES
，G -E短路
V
GE
=V
GES
，C -E短路
I
C
= 100毫安， V
CE
=10 V
I
C
=1000 A
V
GE
=15 V
(Note5)
范围
分钟。
-
-
6
T
j
=25 °C
T
j
=125 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
(Note5)
典型值。
-
-
7
2.2
2.45
-
-
-
6000
-
-
-
-
2.3
-
90
272.4
250.2
172.4
0.286
0.67
马克斯。
1
5
8
2.85
-
220
25
4.7
-
600
200
1000
300
3.0
500
-
-
-
-
-
-
单位
mA
μA
V
V
,
V
CE
= 10 V ，G -E短路
V
CC
= 1000 V，I
C
= 1000 A，V
GE
=15 V
V
CC
= 1000 V，I
C
= 1000 A，V
GE
=±15 V,
R
G
=0.47
,
感性负载
I
E
= 1000 A ，G -E短路
R
G
=0.47
,
感性负载
V
CC
= 1000 V，I
C
=I
E
=1000 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
=0.47
,
T
j
=125 °C,
感性负载
主要终端芯片，每个交换机，
(Note2)
T
C
=25 °C
每个交换机
nF
nC
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
V
ns
μC
mJ
m
V
CC
= 1000 V，I
E
= 1000 A，V
GE
=±15 V,
R
CC' + EE '
r
g
热阻特性
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）D
R
TH （ C- S）
项
热阻
(Note2)
条件
结到管壳，每IGBT
(Note2)
范围
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
12
马克斯。
14
23
-
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
接触热阻
结到管壳，每FWDI
案件散热片，每次1/2模块，
(Note6)
导热硅脂应用
机械特性
符号
M
t
M
s
m
e
c
安装力矩
重量
底板的平整度
项
主要终端
安装到散热器
-
在中心线的X， Y1，Y2
(Note8)
条件
M 6螺丝
M 6螺丝
范围
分钟。
3.5
3.5
-
-50
典型值。
4.0
4.0
1450
-
马克斯。
4.5
4.5
-
+100
单位
N·m的
g
μm
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April-2012
三菱IGBT模块
CM1000DUC-34NF
高功率开关使用
绝缘型
推荐工作条件
符号
V
CC
V
润
R
G
项
（DC ）电源电压
门（发射极驱动）电压
外部栅极电阻
条件
在C1 -E2应用
在整个G1 -ES1 / G2 -ES2适用
每个交换机
范围
分钟。
-
13.5
0.47
典型值。
1000
15.0
-
马克斯。
1100
16.5
4.7
单位
V
注1 。代表的评分和反平行的，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ）的特性。
2.外壳温度（T
C
）和散热器温度（T
s
）的基板和散热片的各表面上限定
刚下的筹码。 （参考芯片位置的图）
散热器的热阻{Rf
吨H（S - A）
}应该只是衡量芯片下。
3.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）剂量不得超过牛逼
J·M一个X
投资评级。
4.结温（T
j
）不应该增加超过牛逼
J·M一个X
投资评级。
5.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。 （参考测试电路的图）
6.典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ=0.9
W / （M ·K ） 。
7.操作温度由阴连接器壳体的许可温度的限制。
8.底板平面度测量点如下面的图。
39 mm
39 mm
Y1
- ：凹
+ ：凸
Y2
X
底部
底部
标签的一面
底部
- ：凹
+ ：凸
9.一般来说，公司的名字，在这种材料中所列的品牌是企业或注册tradem的商标。
方舟。
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April-2012
三菱IGBT模块
CM1000DUC-34NF
高功率开关使用
绝缘型
芯片位置
（ TOP VIEW ）
尺寸在毫米，公差： ± 1毫米
TR1 / Tr2的： IGBT ， Di1中/ DI2： FWDI 。每个标记点的每个芯片的中心位置。
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April-2012
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