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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第695页 > CM1000DU-34NF_04
三菱IGBT模块
CM1000DU-34NF
高功率开关使用
CM1000DU-34NF
q
I
C ................................................................
1000A
q
V
CES ................................................. .........
1700V
q
预绝缘
TYPE
q
在一包2元
应用
一般通用变频器伺服控制等
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
A，B型住房
（ J. S. T.制作所有限公司）
答： VHR- 2N
B： VHR -5N
TC测量点
铜（侧
底板）
150
137.5
±0.25
42
14 14
TC测量点
铜（侧
12 2
底板）
11 19
38
±0.25
74
±0.25
34.6
+1.0
–0.5
4
15.7
A
G1
E1
G2
E2
C1
10.5
B
8-f6.5
安装孔
E2
C1
15.7
5.5
18
38
±0.25
74
±0.25
PPS
21
42.5
±0.25
129.5
166
9 M6螺母12
14 14 14 14 14 14
42
42
25.1
L A B 左
C2
C2E1
E2
C1
C1
电路图
G1 E1
E2 G2
C2E1
C2
1.9
±0.2
34.6
+1.0
–0.5
2004年9月
三菱IGBT模块
CM1000DU-34NF
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
*3
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
T
C
’ = 104°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
’ = 25°C
条件
评级
1700
±20
1000
2000
1000
2000
8900
–40 ~ +150
–40 ~ +125
3500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
1400
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M6
安装孔M6
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
（片）
R
（铅）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
（片）
参数
收藏家Cuto FF电流
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
分钟。
—
5.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.47
范围
典型值。
—
7
—
2.2
2.45
0.286
—
—
—
6000
—
—
—
—
—
90
2.3
—
—
0.016
—
马克斯。
1
8.5
5
2.8
—
—
220
25
4.7
—
600
150
900
200
450
—
3
0.014
0.023
—
4.7
单位
mA
V
A
V
m
nF
nC
栅极 - 发射极阈值电压余
C
= 100mA时V
CE
= 10V
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
（无引线电阻）
模块引线电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
（无引线电阻）
热阻
*1
联系热
外部栅极电阻
阻力
*2
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 1000A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
IC = 1000A ，终端芯片
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1000V ，我
C
= 1000A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 1000V ，我
C
= 1000A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 0.47Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 1000A
（注4 ）
ns
ns
C
V
° C / W
I
E
= 1000A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用（1/2模块）
R
日（ J- C' ）
Q
R
日（ J- C' ）
R
R
TH（ C-F ）
R
G
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）剂量不得超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略不计的温升。
*
1 ：TC测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
*
3 ：操作温度由阴型连接器的允许温度的限制。
2004年9月
三菱IGBT模块
CM1000DU-34NF
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
（典型值）
2000
集电极电流I
C
(A)
传输特性
（典型值）
2000
V
CE
= 10V
集电极电流（ A）
V
GE
= 20V
15V
13V
T
j
= 25°C
1600
12V
1600
1200
11V
1200
800
800
400
8V
0
0
2
4
6
8
10V
9V
10
400
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
5
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
10
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
4
8
I
C
= 400A
I
C
= 1000A
I
C
= 2000A
3
6
2
4
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
500
1000
1500
2000
2
0
0
4
8
12
16
20
集电极电流I
C
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
10
4
发射极电流I
E
(A)
7
5
3
2
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
10
3
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
电容-V
CE
特征
（典型值）
C
IES
10
2
10
3
7
5
3
2
10
1
C
OES
10
0
C
水库
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1
2
3
4
10
2
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2004年9月
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
三菱IGBT模块
CM1000DU-34NF
高功率开关使用
半桥
开关特性
（典型值）
10
4
7
5
3
2
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
反向恢复电流升
rr
(A)
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
10
4
7
5
3
2
开关时间（纳秒）
10
3
7
5
3
2
t
D（关闭）
t
D（上）
t
f
t
r
条件：
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
R
G
= 0.47
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
4
10
3
7
5
3
2
I
rr
t
rr
10
2
7
5
3
2
10
1 2
10
2
3
5 7
10
3
10
2 2
10
条件：
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
R
G
= 0.47
T
j
= 25°C
感性负载
2
3
5 7
10
4
2
3
5 7
10
3
集电极电流I
C
(A)
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分& FWDI部分）
归一化瞬时
热阻抗Z
日（ J- C' ）
（ ° C / W）
发射极电流I
E
(A)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
单脉冲
IGBT部分：
每单元基准= R
日（ J- C' ）
= 0.014 ° C / W
FWDI部分：
每单元基准= R
日（ J- C' ）
= 0.023 ° C / W
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
栅极电荷
特征
（典型值）
20
I
C
= 1000A
16
V
CC
= 800V
3
2
12
V
CC
= 1000V
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
8
10
–2
10
–3
7
5 T
C
=测量
3点就是
2下的芯片
10
–2
4
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间（s）
0
0
2000
4000
6000
8000
10000
栅极电荷q
G
（ NC ）
I
C
-E
SW
（典型值）
10
3
7
5
3
2
R
G
-E
SW
（典型值）
10
3
7
5
E
on
E
关闭
宙
,
EOFF
,
ERR （兆焦耳/脉冲）
宙
,
EOFF
,
ERR （兆焦耳/脉冲）
E
rr
E
关闭
E
on
3
2
10
2
7
5
3
2
E
rr
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0 2
10
条件：
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
R
G
= 0.47
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
3
2
3
5 7
10
4
10
1
条件：
V
CC
= 1000V
V
GE
=
±15V
I
C
= 1000A
T
j
= 125°C
感性负载
0
1
2
R
G
()
2004年9月
3
4
5
I
C
(A)
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CS4294KQ
CAV-0.5-47
CY7C0837V-133BBI
CML8S1WT7G
CD4023BNSR
COM8126P
C8051T321-GM
CY37384VP352-143BBXC
CM5-2325
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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