CLY35
HiRel它
C波段砷化镓电MESFET
HiRel它
离散和微波半导体
对于专业功率放大器
对于频率从100 MHz到4.5 GHz的
密封微波功率封装
低热阻
高电压应用
功率附加效率> 53 ％
空间资质预期1998
ESA / SCC详细规格。编号： 5614/008 ，
VARIANT类型号对应04 06
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
记号
订购代码
引脚配置
1
2
S
3
D
包
CLY35-00 （ QL ）
CLY35-05 （ QL ）
CLY35-10 （ QL ）
-
见下文
G
MWP-35
CLY35 -NN ：指定输出功率电平（见电气特性）
（ QL ）质量等级：
P：专业品质，
H：高相对质量，
S：空间品质，
ES ： ESA空间品质，
订购代码：
订购代码：
订购代码：
订购代码：
Q62702L113
根据要求
根据要求
Q62702L112
（见订货举例为了说明）
半导体集团
1 9
吃水d ， 99年9月
CLY35
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
门正向电流
压缩级别
1)
经营范围1
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
I
G
P
C
值
14
16
-6
2.8
16
1.5在V
DS
≤
9 V
2.5在V
DS
≤
8 V
3.5在V
DS
≤
7 V
单位
V
V
V
A
mA
dB
压缩级别
2)
经营范围2
压缩级别
3)
经营范围3
结温
存储温度范围
总功耗
4)
P
C
P
C
T
J
T
英镑
P
合计
T
SOL
3.5在V
DS
≤
7 V
待定。
175
- 65...+ 175
18
230
dB
dB
°C
°C
W
°C
焊接温度
5)
热阻
结焊接点
注意事项：
R
日JS
≤
7.5
K / W
1 ）操作范围1 ： 480毫安
≤
I
D
≤
960毫安
2 ）操作范围2 ：我
D
> 960毫安
3 ）操作范围3 ：我
D
< 480毫安
4 ）在T
S
= + 40°C 。对于T
S
> + 40°C降额要求。
5）在15秒。最大。在同一终端不得resoldered直到凌晨3分钟内，
已过。
半导体集团
2 9
吃水d ， 99年9月
CLY35
典型的公共源S参数
V
DS
= 3 V，I
D
= 720毫安，Z
o
= 50
| S21 | <S21 | S12 | <S12 | S22 | <S22 K-事实。 S
21
/S
12
MAG
[ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [分贝]
[分贝]
3,503
91 0,0227
15
0,812
171
0,50
21,9
3,274
89 0,0230
14
0,813
170
0,57
21,5
3,025
86 0,0233
12
0,815
168
0,64
21,1
2,762
83 0,0235
11
0,817
167
0,71
20,7
2,488
79 0,0239
9
0,819
165
0,76
20,2
2,212
75 0,0242
7
0,822
163
0,79
19,6
1,987
70 0,0244
6
0,823
161
0,84
19,1
1,801
66 0,0245
4
0,824
159
0,89
18,7
1,646
62 0,0247
3
0,824
157
0,93
18,2
1,514
59 0,0250
1
0,824
155
0,98
17,8
1,402
55 0,0255
0
0,824
153
1,03
17,4
16,3
1,305
52 0,0257
-1
0,823
151
1,08
17,1
15,3
1,220
49 0,0261
-2
0,823
150
1,13
16,7
14,5
1,145
46 0,0261
-3
0,825
148
1,19
16,4
13,8
1,079
43 0,0261
-4
0,826
147
1,26
16,2
13,1
1,020
40 0,0263
-5
0,828
146
1,31
15,9
12,5
0,965
37 0,0265
-6
0,830
144
1,37
15,6
12,0
0,914
35 0,0267
-7
0,832
143
1,43
15,3
11,5
0,869
32 0,0268
-8
0,834
142
1,48
15,1
11,0
0,827
29 0,0267
-9
0,835
140
1,55
14,9
10,6
0,789
27 0,0268
-9
0,837
139
1,61
14,7
10,1
0,755
24 0,0265 -10
0,838
137
1,70
14,5
9,7
0,723
21 0,0268 -10
0,839
136
1,76
14,3
9,3
0,695
19 0,0274 -11
0,840
134
1,79
14,0
8,9
0,670
16 0,0275 -11
0,840
133
1,85
13,9
8,5
0,648
14 0,0279 -12
0,842
132
1,88
13,7
8,2
0,626
12 0,0279 -12
0,844
131
1,93
13,5
8,0
0,606
10 0,0281 -13
0,845
130
1,98
13,3
7,7
0,586
7
0,0281 -14
0,847
129
2,04
13,2
7,4
0,568
5
0,0286 -15
0,848
128
2,06
13,0
7,1
0,550
3
0,0289 -15
0,850
127
2,11
12,8
6,8
0,534
1
0,0292 -17
0,851
125
2,14
12,6
6,6
0,519
-2
0,0293 -17
0,852
124
2,19
12,5
6,3
0,505
-4
0,0296 -18
0,854
123
2,22
12,3
6,1
0,492
-6
0,0299 -20
0,855
122
2,26
12,2
5,8
0,481
-8
0,0303 -21
0,856
121
2,31
12,0
5,6
0,470
-10 0,0306 -22
0,857
120
2,34
11,9
5,4
0,461
-12 0,0312 -22
0,859
119
2,35
11,7
5,2
0,451
-14 0,0312 -23
0,860
118
2,42
11,6
4,9
0,442
-16 0,0318 -24
0,860
117
2,46
11,4
4,7
0,434
-18 0,0322 -25
0,860
116
2,53
11,3
4,4
0,425
-20 0,0327 -26
0,859
115
2,62
11,1
4,1
0,418
-22 0,0333 -26
0,857
114
2,68
11,0
3,9
0,413
-23 0,0337 -27
0,855
113
2,76
10,9
3,6
0,408
-24 0,0342 -27
0,853
112
2,80
10,8
3,4
0,404
-25 0,0346 -27
0,851
111
2,87
10,7
3,2
f
| S11 | <S11
[千兆赫] [ MAGN ] [角度]
0,5
0,895 -158
0,6
0,889 -162
0,7
0,883 -166
0,8
0,880 -171
0,9
0,882 -176
1,0
0,889
179
1,1
0,893
174
1,2
0,897
169
1,3
0,900
165
1,4
0,902
162
1,5
0,903
158
1,6
0,904
155
1,7
0,905
152
1,8
0,904
149
1,9
0,903
146
2,0
0,902
143
2,1
0,901
141
2,2
0,900
138
2,3
0,899
136
2,4
0,898
134
2,5
0,897
131
2,6
0,897
129
2,7
0,896
127
2,8
0,895
125
2,9
0,894
123
3,0
0,893
121
3,1
0,893
119
3,2
0,892
117
3,3
0,890
116
3,4
0,890
114
3,5
0,888
112
3,6
0,887
110
3,7
0,886
108
3,8
0,885
107
3,9
0,883
105
4,0
0,880
103
4,1
0,879
101
4,2
0,876
100
4,3
0,873
98
4,4
0,871
96
4,5
0,867
95
4,6
0,864
93
4,7
0,861
92
4,8
0,860
90
4,9
0,858
89
5,0
0,857
88
半导体集团
5 9
吃水d ， 99年9月
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