CLY32
HiRel它
C波段砷化镓电MESFET
HiRel它
离散和微波半导体
对于专业功率放大器
从100 MHz到6 GHz的频率
密封微波功率封装
低热阻
高电压应用
功率附加效率> 53 ％
空间QUALI网络版
ESA / SCC详细规格。编号： 5614/006 ，
VARIANT类型号对应01 03
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
记号
订购代码
引脚配置
1
2
S
3
D
包
CLY32-00 （ QL ）
CLY32-05 （ QL ）
CLY32-10 （ QL ）
-
见下文
G
MWP-25
CLY32 -NN ：指定输出功率电平（见电气特性）
（ QL ）质量等级：
P：专业品质，
H：高相对质量，
S：空间品质，
ES ： ESA空间品质，
订购代码：
订购代码：
订购代码：
订购代码：
Q62702L100
根据要求
根据要求
Q62702L120
（见订货举例为了说明）
半导体集团
1 10
吃水d ， 99年9月
CLY32
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
门正向电流
压缩级别
1)
经营范围1
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
I
G
P
C
值
14
16
-6
1400
8
1.5在V
DS
≤
9 V
2.5在V
DS
≤
8 V
3.5在V
DS
≤
7 V
单位
V
V
V
mA
mA
dB
压缩级别
2)
经营范围2
压缩级别
3)
经营范围3
结温
存储温度范围
总功耗
4)
焊接温度
热阻
结焊接点
注意事项：
5)
P
C
P
C
T
J
T
英镑
P
合计
T
SOL
3.5在V
DS
≤
7 V
待定。
175
- 65...+ 175
6.75
230
dB
dB
°C
°C
W
°C
R
日JS
≤
20
K / W
1 ）操作范围1 ： 250毫安
≤
I
D
≤
500毫安
2 ）操作范围2 ：我
D
> 500毫安
3 ）操作范围3 ：我
D
< 250毫安
4 ）在T
S
= + 40°C 。对于T
S
> + 40°C降额要求。
5）在15秒。最大。在同一终端不得resoldered直到凌晨3分钟内，
已过。
半导体集团
2 10
吃水d ， 99年9月
CLY32
典型的公共源S参数
V
DS
= 3 V，I
D
= 380毫安，Z
o
= 50
| S21 | <S21 | S12 | <S12 | S22 | <S22 K-事实。 S
21
/S
12
MAG
[ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [分贝]
[分贝]
6,201
111 0,0377
36
0,546 -176
0,45
22,2
5,856
109 0,0385
34
0,552 -177
0,51
21,8
5,477
106 0,0394
33
0,560 -178
0,57
21,4
5,075
103 0,0403
30
0,568 -180
0,62
21,0
4,658
99 0,0413
28
0,577
179
0,67
20,5
4,239
94 0,0424
27
0,586
177
0,70
20,0
3,876
89 0,0435
25
0,593
175
0,73
19,5
3,561
85 0,0443
23
0,598
173
0,76
19,1
3,290
82 0,0451
22
0,602
171
0,80
18,6
3,055
78 0,0457
21
0,605
169
0,85
18,3
2,852
75 0,0463
20
0,607
168
0,89
17,9
2,672
72 0,0469
19
0,609
166
0,93
17,6
2,512
69 0,0475
18
0,612
165
0,97
17,2
2,372
66 0,0482
18
0,615
164
1,01
16,9
16,4
2,244
64 0,0487
17
0,618
163
1,04
16,6
15,4
2,130
61 0,0492
17
0,622
162
1,08
16,4
14,6
2,024
59 0,0496
16
0,625
161
1,12
16,1
14,0
1,927
57 0,0504
16
0,628
160
1,15
15,8
13,5
1,838
54 0,0508
16
0,631
159
1,19
15,6
12,9
1,756
52 0,0513
15
0,633
157
1,23
15,3
12,5
1,683
50 0,0520
15
0,634
156
1,26
15,1
12,0
1,616
48 0,0525
15
0,635
155
1,29
14,9
11,6
1,555
45 0,0533
14
0,636
154
1,32
14,6
11,3
1,499
43 0,0542
14
0,637
153
1,35
14,4
10,9
1,449
41 0,0554
13
0,638
152
1,36
14,2
10,6
1,402
39 0,0561
13
0,640
151
1,39
14,0
10,3
1,358
37 0,0569
13
0,643
150
1,40
13,8
10,0
1,316
35 0,0580
13
0,645
149
1,41
13,6
9,7
1,275
33 0,0590
13
0,648
148
1,43
13,3
9,5
1,236
31 0,0596
12
0,650
147
1,45
13,2
9,2
1,200
29 0,0608
12
0,652
146
1,46
13,0
8,9
1,167
27 0,0620
12
0,654
145
1,46
12,7
8,7
1,137
25 0,0632
11
0,656
144
1,46
12,5
8,5
1,107
23 0,0642
10
0,658
143
1,47
12,4
8,3
1,081
21 0,0656
10
0,660
142
1,46
12,2
8,1
1,055
19 0,0664
9
0,662
141
1,47
12,0
8,0
1,029
17 0,0674
8
0,665
140
1,47
11,8
7,8
1,005
16 0,0684
8
0,669
139
1,47
11,7
7,6
0,981
14 0,0695
7
0,672
138
1,47
11,5
7,4
0,958
12 0,0703
7
0,673
136
1,48
11,3
7,3
0,933
10 0,0710
6
0,675
135
1,49
11,2
7,0
0,910
8
0,0718
5
0,676
134
1,50
11,0
6,8
0,890
6
0,0722
5
0,677
133
1,52
10,9
6,7
0,873
5
0,0728
4
0,676
131
1,53
10,8
6,5
0,859
3
0,0734
4
0,676
130
1,54
10,7
6,4
0,849
2
0,0740
4
0,674
130
1,55
10,6
6,2
f
| S11 | <S11
[千兆赫] [ MAGN ] [角度]
0,5
0,853 -118
0,6
0,839 -122
0,7
0,825 -128
0,8
0,816 -133
0,9
0,813 -140
1,0
0,818 -147
1,1
0,821 -153
1,2
0,823 -158
1,3
0,824 -162
1,4
0,825 -166
1,5
0,825 -170
1,6
0,826 -173
1,7
0,826 -177
1,8
0,825 -179
1,9
0,825
178
2,0
0,825
176
2,1
0,825
173
2,2
0,825
171
2,3
0,825
169
2,4
0,825
167
2,5
0,825
165
2,6
0,825
163
2,7
0,825
161
2,8
0,824
160
2,9
0,824
158
3,0
0,824
156
3,1
0,824
155
3,2
0,824
153
3,3
0,824
151
3,4
0,824
150
3,5
0,824
148
3,6
0,824
147
3,7
0,825
145
3,8
0,826
144
3,9
0,826
142
4,0
0,826
140
4,1
0,827
139
4,2
0,827
137
4,3
0,827
136
4,4
0,829
134
4,5
0,829
133
4,6
0,829
131
4,7
0,831
130
4,8
0,831
129
4,9
0,832
128
5,0
0,833
127
半导体集团
5 10
吃水d ， 99年9月
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