CLY29
HiRel它
C波段砷化镓电MESFET
HiRel它
离散和微波半导体
对于专业功率放大器
对于从100MHz至8GHz的频率
密封微波功率封装
低热阻
高电压应用
功率附加效率> 55 ％
空间资质预期1998
ESA / SCC详细规格。编号： 5614/006 ，
VARIANT类型号对应04 06
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
记号
订购代码
引脚配置
1
2
S
3
D
包
CLY29-00 （ QL ）
CLY29-05 （ QL ）
CLY29-10 （ QL ）
-
见下文
G
MWP-25
CLY29 -NN ：指定输出功率电平（见电气特性）
（ QL ）质量等级：
P：专业品质，
H：高相对质量，
S：空间品质，
ES ： ESA空间品质，
订购代码：
订购代码：
订购代码：
订购代码：
Q62702L117
根据要求
根据要求
Q62702L116
（见订货举例为了说明）
半导体集团
1 10
吃水d ， 99年9月
CLY29
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
门正向电流
压缩级别
1)
经营范围1
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
I
G
P
C
值
14
16
-6
700
4
1.5在V
DS
≤
9 V
2.5在V
DS
≤
8 V
3.5在V
DS
≤
7 V
单位
V
V
V
mA
mA
dB
压缩级别
2)
经营范围2
压缩级别
3)
经营范围3
结温
存储温度范围
总功耗
4)
焊接温度
热阻
结焊接点
注意事项：
5)
P
C
P
C
T
J
T
英镑
P
合计
T
SOL
3.5在V
DS
≤
7 V
待定。
175
- 65...+ 175
3.55
230
dB
dB
°C
°C
W
°C
R
日JS
≤
38
K / W
1 ）操作范围1 ： 135毫安
≤
I
D
≤
270毫安
2 ）操作范围2 ：我
D
> 270毫安
3 ）操作范围3 ：我
D
< 135毫安
4 ）在T
S
= + 40°C 。对于T
S
> + 40°C降额要求。
5）在15秒。最大。在同一终端不得resoldered直到凌晨3分钟内，
已过。
半导体集团
2 10
吃水d ， 99年9月
CLY29
典型的公共源S参数
V
DS
= 3 V，I
D
= 180毫安，Z
o
= 50
| S21 | <S21 | S12 | <S12 | S22 | <S22 K-事实。 S
21
/S
12
MAG
[ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [分贝]
[分贝]
7,618
129 0,0396
50
0,227 -138
0,37
22,8
7,318
126 0,0412
47
0,237 -141
0,43
22,5
6,983
123 0,0429
44
0,249 -144
0,49
22,1
6,620
119 0,0447
41
0,262 -148
0,55
21,7
6,248
114 0,0468
37
0,277 -152
0,58
21,3
5,881
109 0,0493
34
0,293 -155
0,59
20,8
5,537
104 0,0512
31
0,307 -159
0,61
20,3
5,213
99 0,0529
28
0,319 -162
0,63
19,9
4,916
95 0,0541
26
0,330 -165
0,66
19,6
4,641
91 0,0552
24
0,340 -167
0,69
19,2
4,387
87 0,0562
22
0,348 -170
0,72
18,9
4,155
83 0,0570
20
0,356 -172
0,75
18,6
3,942
80 0,0578
18
0,363 -174
0,78
18,3
3,746
77 0,0584
17
0,370 -176
0,82
18,1
3,565
73 0,0587
15
0,376 -178
0,85
17,8
3,401
70 0,0593
14
0,382 -180
0,88
17,6
3,248
68 0,0597
12
0,388
179
0,91
17,4
3,106
65 0,0602
11
0,393
177
0,95
17,1
2,977
62 0,0606
10
0,398
176
0,98
16,9
2,858
59 0,0607
9
0,403
174
1,01
16,7
16,1
2,747
57 0,0610
8
0,408
173
1,04
16,5
15,3
2,644
54 0,0615
7
0,412
172
1,07
16,3
14,7
2,548
52 0,0619
6
0,417
170
1,10
16,1
14,2
2,459
49 0,0624
6
0,421
169
1,13
16,0
13,8
2,374
47 0,0630
5
0,424
168
1,15
15,8
13,4
2,295
44 0,0634
4
0,427
167
1,18
15,6
13,0
2,223
42 0,0638
4
0,431
165
1,21
15,4
12,7
2,155
40 0,0643
3
0,435
164
1,23
15,3
12,3
2,091
37 0,0650
2
0,439
163
1,25
15,1
12,0
2,030
35 0,0655
2
0,442
162
1,28
14,9
11,8
1,973
33 0,0659
1
0,447
161
1,30
14,8
11,5
1,919
31 0,0666
1
0,451
160
1,32
14,6
11,2
1,866
28 0,0670
0
0,456
158
1,34
14,4
11,0
1,817
26 0,0673
-1
0,460
157
1,36
14,3
10,7
1,770
24 0,0680
-1
0,465
156
1,38
14,2
10,5
1,725
22 0,0685
-2
0,470
155
1,39
14,0
10,3
1,681
20 0,0689
-2
0,475
153
1,42
13,9
10,0
1,639
18 0,0691
-3
0,479
152
1,44
13,8
9,8
1,599
15 0,0696
-4
0,483
151
1,46
13,6
9,6
1,560
13 0,0702
-4
0,487
150
1,47
13,5
9,4
1,524
11 0,0703
-5
0,491
148
1,49
13,4
9,2
1,488
9
0,0711
-6
0,495
147
1,50
13,2
9,0
1,457
7
0,0717
-6
0,499
146
1,51
13,1
8,9
1,431
6
0,0722
-7
0,503
145
1,51
13,0
8,8
1,409
4
0,0727
-7
0,506
145
1,51
12,9
8,7
1,392
3
0,0733
-7
0,509
144
1,50
12,8
8,6
f
| S11 | <S11
[千兆赫] [ MAGN ] [角度]
0,5
0,870
-78
0,6
0,847
-83
0,7
0,824
-88
0,8
0,805
-95
0,9
0,791 -103
1,0
0,787 -111
1,1
0,783 -118
1,2
0,778 -125
1,3
0,774 -131
1,4
0,771 -137
1,5
0,768 -142
1,6
0,766 -147
1,7
0,764 -152
1,8
0,763 -156
1,9
0,761 -160
2,0
0,760 -163
2,1
0,759 -167
2,2
0,759 -170
2,3
0,758 -173
2,4
0,758 -176
2,5
0,757 -179
2,6
0,757
179
2,7
0,757
176
2,8
0,757
173
2,9
0,756
171
3,0
0,756
169
3,1
0,756
166
3,2
0,756
164
3,3
0,756
162
3,4
0,756
160
3,5
0,756
158
3,6
0,756
156
3,7
0,756
154
3,8
0,756
152
3,9
0,756
150
4,0
0,756
148
4,1
0,757
146
4,2
0,757
144
4,3
0,758
142
4,4
0,758
140
4,5
0,759
138
4,6
0,759
136
4,7
0,760
134
4,8
0,762
133
4,9
0,763
132
5,0
0,764
131
半导体集团
5 10
吃水d ， 99年9月
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