SN74LVC2G126-EP
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SCES856 - 2013年12月
具有三态输出的双总线缓冲器门
检查样品：
SN74LVC2G126-EP
1
特点
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
6.8 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
± 24 mA输出驱动电压为3.3 V
典型的V
OLP
（输出地弹跳）
＆ LT ; 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C
典型的V
OHV
（输出V
OH
冲）
>2 V在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
支持国防，航天，
和医疗应用
控制基线
其中封装测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C至125°C ）
温度范围
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
DCU包装
（ TOP VIEW ）
1OE
1A
2Y
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
1Y
2A
描述
这双总线缓冲门是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G126与3态输出的双总线驱动器/线路驱动器。输出被禁止时，
相关的输出使能（ OE ）输入为低。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应通过一个连接到GND
下拉电阻;该电阻的最小值由驾驶员的电流源的能力来确定。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
(1)
T
J
-55 ° C至125°C
(1)
(2)
包
(2)
VSSOP - DCU
250的带
订购型号
CLVC2G126MDCUTEP
顶部端标记
CEPR
VID号
V62/14604-01XE
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
功能表
（每个缓冲器）
输入
OE
H
H
L
1
A
H
L
X
产量
Y
H
L
Z
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2013年，德州仪器
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逻辑图（正逻辑）
1
1OE
1A
2
6
1Y
7
2OE
2A
5
3
2Y
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
(2)
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
绝对最高结温范围
存储温度范围
–55
–65
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
(3)
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
150
150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出钳位电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
热信息
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热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
DCU
8引脚
204.3
78
83
7.6
82.6
不适用
单位
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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推荐工作条件
(1)
民
V
CC
电源电压
操作
数据保存时间只有
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
V
O
输入电压
输出电压
高电平或者低电平状态
3-state
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.8 V ± 0.15 V, 2.5 V ± 0.2 V
ΔT/ ΔV
T
J
(1)
输入过渡上升或下降速率
工作结温
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V
V
CC
= 5 V ± 0.5 V
–55
0
0
0
1.65
1.5
0.65 × V
CC
1.7
2
0.7 × V
CC
0.35 × V
CC
0.7
0.8
0.3 × V
CC
5.5
V
CC
5.5
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
20
10
5
125
°C
NS / V
mA
mA
V
V
V
V
最大
5.5
单位
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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1000000
100000
估计寿命（小时）
EM排尿失败模式
10000
1000
80
90
100
110
120
130
140
150
结温，T
J
(°C)
(1)
(2)
(3)
请查阅技术资料绝对最高和最低推荐的工作条件。
硅的工作寿命的设计目标是在105℃的结温10年（不包括封装互连
生活） 。
增强塑料制品免责声明适用。
图1. SN74LVC2G126 -EP工作寿命减额图
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