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SN74LVC1GX04-EP
晶体振荡器驱动器
SGDS029 - 2007年9月
1
特点
低功耗， 10
μA
我最大
CC
±24 mA输出驱动电压为3.3 V
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
控制基线
- 一个大会
- 一个试验场
- 一个制作网站
增强递减制造源
（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
可在德州仪器采用NanoStar
和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
一个无缓冲变频器（ SN74LVC1GU04 ）和
一个缓冲变频器（ SN74LVC1G04 ）
适用于常用的时钟
频率：
- 15 kHz时， 3.58兆赫， 4.43兆赫， 13兆赫，
25兆赫， 26兆赫， 27兆赫， 28兆赫
最大牛逼
pd
3.7 ns的电压为3.3 V
2
NC
GND
X1
1
2
3
6
5
4
Y
V
CC
X2
请参见机械图纸尺寸。
NC - 无内部连接
(1)
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
描述/订购信息
该SN74LVC1GX04是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。该器件集成了
SN74LVC1GU04 （逆变器输出缓冲）和SN74LVC1G04 （逆变器）功能集成到一个单一的
装置。该LVC1GX04进行了优化，在晶体振荡器的应用。
订购信息
(1)
T
A
-55 ° C至125°C
(1)
(2)
(3)
包
(2)
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
4000卷
订购型号
CLVC1GX04MDRLREP
顶部端标记
(3)
CDD
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
2007 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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描述/订购信息（续）
X1和X2可以连接在振荡器应用中的晶体或谐振器。该装置提供了额外的
逆变器缓存（ Y）进行信号调理（见
图3）。
附加缓冲反相器改善了信号
晶体振荡器的输出的通过使轨到轨质量。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
（仅限Y输出） 。在我
关闭
电路
禁止输出，防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
功能表
输入
X1
H
L
输出
X2
L
H
Y
H
L
逻辑图（正逻辑）
6
Y
X1
3
4
X2
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
电源电压范围
输入电压范围
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
142
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
(2) (3)
电压范围内施加到Y输出处于高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
封装的热阻抗
存储温度范围
(4)
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
–65
150
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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推荐工作条件
(1)
民
操作
V
CC
V
IH
V
IL
V
I
V
O
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
X2 ，Y
只有Y输出，掉电模式下，V
CC
= 0 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.8 V ± 0.15 V, 2.5 V ± 0.2 V
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V
V
CC
= 5 V ±0.5 V
–55
数据保存时间只有
晶体振荡器的使用
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至5.5 V
0
0
0
1.65
1.5
2
0.75
×
V
CC
0.25
×
V
CC
5.5
V
CC
5.5
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
20
10
10
125
°C
NS / V
mA
mA
V
V
V
V
最大
5.5
V
单位
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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参数测量信息
V
负载
从输出
被测
C
L
（见注一）
R
L
S1
开放
GND
R
L
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
V
负载
GND
负载电路
输入
V
CC
1.8 V
±
0.15 V
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
5 V
±
0.5 V
V
I
V
CC
V
CC
3V
V
CC
t
r
/t
f
≤2
ns
≤2
ns
≤2.5
ns
≤2.5
ns
V
M
V
CC
/2
V
CC
/2
1.5 V
V
CC
/2
V
负载
2
×
V
CC
2
×
V
CC
6V
2
×
V
CC
C
L
15 pF的
15 pF的
15 pF的
15 pF的
R
L
1 M
1 M
1 M
1 M
V
0.15 V
0.15 V
0.3 V
0.3 V
V
I
定时输入
t
w
V
I
输入
V
M
V
M
0V
电压波形
脉冲持续时间
V
I
输入
t
PLH
产量
t
PHL
V
M
V
M
V
M
V
M
0V
t
PHL
V
OH
V
M
V
OL
t
PLH
V
OH
产量
V
M
V
OL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
产量
控制
t
PZL
产量
波形1
S1在V
负载
（见注B）
t
PZH
V
M
V
M
电压波形
建立和保持时间
V
I
V
M
V
M
0V
t
PLZ
V
负载
/2
V
OL
+ V
t
PHZ
V
OH
- V
V
OH
≈0
V
V
OL
数据输入
t
su
V
M
t
h
V
I
V
M
0V
V
M
0V
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注意事项： A.
L
包括探头和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z
O
= 50
.
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
E.吨
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
F.吨
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
G·T
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
2007 ，德州仪器
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