CLP200M
应用说明
1.引言
本节的目的是要表明的行为
我们的新的电信线路保护装置。这DE-
副包括一个主要的保护水平，是suit-
能够主配线架和线路
cardsThis保护的概念进行说明，并且在
此外， CLP200M表演模拟
当如上述面向不同浪涌裂解
CCITT的建议。
图。 1 ：
用户线路保护的拓扑结构
2.意法半导体CLP200M概念
2.1进化的SLIC保护
多年来，硅保护perfor-
mances有相当大的变化。
第一代产品，如SMTHBTxx
和SMTHDTxx提供固定的过电压保护
化对浪涌对任何提示或环形线
四个包。
下代像THBTxx和
THDTxx仍然提供固定的过电压保护
针对浪涌对两人双双端线和环线
包。
下一步是引进
LCP1511D这带来了充分的利用
可编程的电压。
如今， CLP200M结合了所有的特征
以前的几代人。除此之外，它OF-
FERS的过电流检测在操作时
发言模式，也是一个失败状态输出显
宇空。
"PRIMARY PROTECTION"
"SECONDARY PROTECTION"
电信
CLP200M
SLIC
LINE
中密度纤维板
交流
线卡
"SECONDARY PROTECTION"
电信
CLP200M
LINE
THDTxx或
LPC1511D
或LB200B
SLIC
图。 2 ：
线卡保护
中密度纤维板
交流
线卡
I
可编程感谢
外部电阻
图1是一子的简化框图
划线线路保护的主要沿用至今。
这说明两个不同的东西：
A“主保护”位于主Distri-
bution架（ MDF）消除了粗
高能量环境的干扰（轻
宁瞬态和交流电源电源
扰动）
A“二级保护”位于线卡上
包括主保护电平（第一阶段）和
残留保护（第二阶段），该消除
纳茨精细剩下的瞬变都没有
已通过第一阶段完全抑制。
该CLP200M既可以在MDF并在使用
线路卡。在这种情况下，任何线路卡可以是
从一个MDF换到另一个不重
ducing了整个系统的效率，保护
化。
CCITT的要求是这些不同
两个保护单元（ MDF并线卡） 。
关于“主保护” ， CCITT的重
张塌塌米一为4kV ， 10 /为700μs浪涌测试，而
“二级保护”具有承受千伏，
10 /为700μs浪涌测试。
随后的解释基本上是
覆盖所述线卡的应用程序。
s
s
可编程感谢
任何外部参考电压
+ I
SWON
V
- I
SWON
线卡的操作条件
图2概括的性能
CLP200M基本上保持SLIC其内
正确的电压和电流值。
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CLP200M
应用电路： CLP200M线卡
图。 3 ：
CLP200M线卡
I
保险丝
TIP
R SENSE
TIPL
TIPS
1
-Vbat
Rp
过电流
探测器
2
过压
探测器
过压
参考
(+/- 215 V)
外
电压
参考
TIP
-Vbat
OR
SW3 SW1
(*)
SLIC
FS
SW4 SW2
OR
过压
探测器
过压
参考
(+/- 215 V)
GND
Rp
1
环
2
过电流
探测器
环
发电机
RINGL
吊环
环
保险丝
R SENSE
（ * ） LCP1511D或THDT系列
s
上面的图3示出了一个受保护的拓扑
在交流侧的模拟用户线。该
CLP200M经由两个连接到环中继
平衡的Rp的电阻，以及用户线路
接口电路。第二个装置靠近
SLIC的：它可以是一个LCP1511D或THDT
系列。
这两款器件是互补的，它们的
功能说明如下：
基于CLP200M第一级管理
从外部发出的高功率
浪涌。当在振铃模式中使用的
CLP200M工作在电压模式和亲
国际志愿对称和双向
在+/- 215 V上都提示过电压保护
线和环线。当在语音模式中使用的，
该CLP200M工作在电流模式和
该CLP200M的激活电流AD-
由R justed
SENSE
.
第二阶段是外部参考电压进行
它定义了击发阈EnCE的设备
在语音模式电压和也AS-
sumes
a
残留
动力
过压
抑制。这个保护阶段可以是
一个固定的或可编程的导通器件。该
THDTxx家族充当固定导通装置
而LCP1511D作为一个可编程
BLE保护。
由于此拓扑中，在所述浪涌电流
该CLP200M后线被降低。因为
剩余浪涌能量低，的额定功率
RP ，环继电器触点和外部电压
参考电路可以小型化。这导致
一个显著降低成本。
s
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CLP200M
2.3振铃模式
图。 4 ：
振铃模式中通过电压转换。
保险丝
TIP
I
LG
R SENSE
I
LG
A1
TIPL
TIPS
1/2 CLP200M
Rp
过电流
探测器
2
过压
探测器
1
2
1
-215
+215
V
LG
过压
参考
(+/- 215 V)
V
LG
OR
SW3 SW1
FS
3
GND
在振铃模式（在位置2环继电器），则仅
涉及的保护装置是CLP200M 。
在正常条件下， CLP200M工作在重新
的祗园1
A1
曲线，并处于空闲状态。
如果提示（或环）之间的过电压发生的历史
和GND达到内部过电压
refe - 伦斯（ +/- 215V ） ，该CLP200M行为和
线被短路至GND。在这个时间中的操作数
阿婷点移动到区域2为阳性激增
（负浪涌区域3 ） 。一旦浪涌电流
租金消失后，设备恢复到其初始
国家（区域1 ） 。
图。 5A ：
的方法来调整基准电压。
对于潮TIP和RING ，之间发生的历史
CLP200M作用以相同的方式。这意味着
该CLP200M确保了三极的保护。
当单独使用时， CLP200M作用在跨
纳尔过电压参考电平。（+/- 215V ） 。进一
thermore ，可以调整该阈值电平
通过使用较低的电压：
多达4个固定的外部参考电压（V
Z1
to
V
Z4
）（参见图5A ） 。
.
1
保险丝
TIP
R SENSE
Rp
TIPL
TIPS
VZ1
过电流
探测器
2
OR
SW3 SW1
过压
探测器
过压
参考
(+/- 215 V)
VZ2
FS
SW4 SW2
OR
过压
探测器
过压
参考
(+/- 215 V)
GND
VZ3
过电流
探测器
VZ4
RINGL
吊环
1
环
保险丝
R SENSE
Rp
2
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