CLL4678 THRU CLL4717
表面贴装
LOW LEVEL硅稳压二极管
1.8伏THRU 43伏
500mW的， 5 ％的容差
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CLL4678系列
硅低级别的齐纳二极管是一种高品质的电压
稳压器设计用于需要的应用
极低的工作电流和低泄漏。
标记：阴极频带
SOD- 80 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
功耗
工作和存储结温
符号
PD
TJ ， TSTG
单位
mW
°C
500
-65到+200
电气特性：
（ TA = 25 ℃） ， VF = 1.5V MAX @ IF =百毫安（对于所有类型）
TYPE
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
V
CLL4678
CLL4679
CLL4680
CLL4681
CLL4682
CLL4683
CLL4684
CLL4685
CLL4686
CLL4687
CLL4688
CLL4689
CLL4690
CLL4691
CLL4692
CLL4693
CLL4694
CLL4695
CLL4696
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
喃
V
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
最大
V
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
TEST
当前
IZT
A
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
A
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
最大
反向漏
当前
IR @ VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
最大
电压
CHANGE **
ΔV
Z
V
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
最大
齐纳
当前
IZM
mA
120.0
110.0
100.0
95.0
90.0
85.0
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
55.0
50.0
45.0
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
**
ΔV
Z = VZ @ 100μA减号VZ @ 10μA
R7 （ 2010年8月）
CLL4678 THRU CLL4717
表面贴装
LOW LEVEL硅稳压二极管
1.8伏THRU 43伏
500mW的， 5 ％的容差
电气特性 - 续：
（ TA = 25 ℃） ， VF = 1.5V MAX @ IF =百毫安（对于所有类型）
TYPE
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
V
CLL4697
CLL4698
CLL4699
CLL4700
CLL4701
CLL4702
CLL4703
CLL4704
CLL4705
CLL4706
CLL4707
CLL4708
CLL4709
CLL4710
CLL4711
CLL4712
CLL4713
CLL4714
CLL4715
CLL4716
CLL4717
9.500
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
喃
V
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
最大
V
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
TEST
当前
IZT
A
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
A
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
最大
反向漏
当前
IR @ VR
V
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
最大
电压
CHANGE **
ΔV
Z
V
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
最大
齐纳
当前
IZM
mA
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
**
ΔV
Z = VZ @ 100μA减号VZ @ 10μA
SOD- 80案例 - 机械外形
标记：阴极频带
R7 （ 2010年8月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CLL4678
THRU
CLL4717
LOW LEVEL稳压二极管
1.8伏THRU 43伏
500mW的， 5 ％的容差
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体CLL4678
系列硅低级别的齐纳二极管是一种高
优质的稳压器设计的应用
需要极低的工作电流和
低漏电。
SOD- 80 CASE
绝对最大额定值：
功率耗散（ @ TA = 25℃）
工作和存储温度
符号
PD
TJ ， TSTG
单位
mW
°C
500
-65到+200
电气特性：
（ TA = 25℃ ） ， VF = 1.5V MAX @ IF = 100mA的电流来所有类型。
TYPE
民
齐纳
电压
VZ @ IZT
喃
最大
TEST
当前
IZT
A
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
A
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
最大
反向漏
当前
IR @ VR
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
最大
电压
CHANGE **
VZ
伏
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
0.95
0.97
0.99
0.99
0.97
0.96
0.95
0.90
0.75
0.50
0.10
0.08
最大
齐纳
当前
IZM
mA
120.0
110.0
100.0
95.0
90.0
85.0
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
55.0
50.0
45.0
35.0
31.8
29.0
27.4
26.2
伏VOLTS伏
CLL4678
CLL4679
CLL4680
CLL4681
CLL4682
CLL4683
CLL4684
CLL4685
CLL4686
CLL4687
CLL4688
CLL4689
CLL4690
CLL4691
CLL4692
CLL4693
CLL4694
CLL4695
CLL4696
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
**
V
Z = VZ @ 100μA减号VZ @ 10μA
R4 （ 2001年4月）
中央
TYPE
齐纳
电压
VZ @ IZT
民
喃
最大
TM
半导体公司
CLL4678
THRU
CLL4717
LOW LEVEL稳压二极管
1.8伏THRU 43伏
500mW的， 5 ％的容差
最大
反向漏
当前
IR @ VR
A
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
伏
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
最大
电压
CHANGE **
VZ
伏
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.20
0.22
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
最大
齐纳
当前
IZM
mA
24.8
21.6
20.4
19.0
17.5
16.3
15.4
14.5
13.2
12.5
11.9
10.8
9.9
9.5
8.8
8.5
7.9
7.2
6.6
6.1
5.5
TEST
当前
IZT
A
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
伏VOLTS伏
CLL4697
CLL4698
CLL4699
CLL4700
CLL4701
CLL4702
CLL4703
CLL4704
CLL4705
CLL4706
CLL4707
CLL4708
CLL4709
CLL4710
CLL4711
CLL4712
CLL4713
CLL4714
CLL4715
CLL4716
CLL4717
9.500
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
**
V
Z = VZ @ 100μA减号VZ @ 10μA
SOD- 80案例 - 机械外形
R4 （ 2001年4月）
QQ：2880707522 复制
