CJD47
CJD50
表面贴装
NPN硅
功率晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CJD47 ， CJD50
类型NPN硅功率晶体管制造
在一个表面贴装封装专为高电压
应用，例如电源等
开关应用。
标记：全部型号
DPAK晶体管案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
功耗（ TA = 25 ° C）
工作和存储结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
Θ
JA
CJD47
350
250
5.0
1.0
2.0
600
15
1.56
-65到+150
8.33
80.1
CJD50
500
400
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICEO
ICEO
冰
冰
IEBO
BVCEO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
fT
的hFE
VCE = 150V （ CJD47 ）
VCE = 300V （ CJD50 ）
VCE = 350V （ CJD47 ）
VCE = 500V （ CJD50 ）
VEB=5.0V
IC = 30毫安（ CJD47 ）
IC = 30毫安（ CJD50 ）
IC = 1.0A ， IB = 200毫安
VCE = 10V ， IC = 1.0A
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
IC=300mA
IC=1.0A
IC =的200mA， F =的2.0MHz
IC =的200mA， F = 1.0kHz
30
10
10
25
250
400
最大
200
200
100
100
1.0
单位
A
A
A
A
mA
V
V
1.0
1.5
150
V
V
兆赫
R2 （2010年4月）
CJD47
CJD50
表面贴装
NPN硅
功率晶体管
DPAK晶体管案例 - 机械外形
前导码：
B） BASE
C）集热器
E）辐射源
C）集热器
标记：
全部型号
R2 （2010年4月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
