CJD41C NPN
CJD42C PNP
其他芯片
功率晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CJD41C ，
CJD42C类型是互补硅功率
通过外延基极。制造的晶体管
过程中，安装在表面安装封装体
设计用于功率放大器和高速
开关应用。
标识代码：全型号
DPAK晶体管案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
VCEO
发射极 - 基极电压
VEBO
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗
功耗（ TA = 25 ° C）
工作和存储
结温
热阻
热阻
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
Θ
JA
100
100
5.0
6.0
10
2.0
20
1.75
-65到+150
6.25
71.4
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
ICEO
冰
IEBO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
fT
的hFE
测试条件
VCE=60V
VCE=100V
VEB=5.0V
IC=30mA
IC = 6.0A ， IB = 600毫安
VCE = 4.0V ， IC = 6.0A
VCE = 4.0V ， IC = 300毫安
VCE = 4.0V ， IC = 3.0A
VCE = 10V ， IC = 500毫安中，f = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 500毫安， F = 1.0kHz
30
15
3.0
20
75
兆赫
100
1.5
2.0
民
最大
50
10
500
单位
A
A
A
V
V
V
R1 （2002年26月）
CJD41C NPN
CJD42C PNP
其他芯片
功率晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CJD41C ，
CJD42C类型是互补硅功率
通过外延基极。制造的晶体管
过程中，安装在表面安装封装体
设计用于功率放大器和高速
开关应用。
标识代码：全型号
DPAK晶体管案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
VCEO
发射极 - 基极电压
VEBO
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗
功耗（ TA = 25 ° C）
工作和存储
结温
热阻
热阻
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
Θ
JA
100
100
5.0
6.0
10
2.0
20
1.75
-65到+150
6.25
71.4
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
ICEO
冰
IEBO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
fT
的hFE
测试条件
VCE=60V
VCE=100V
VEB=5.0V
IC=30mA
IC = 6.0A ， IB = 600毫安
VCE = 4.0V ， IC = 6.0A
VCE = 4.0V ， IC = 300毫安
VCE = 4.0V ， IC = 3.0A
VCE = 10V ， IC = 500毫安中，f = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 500毫安， F = 1.0kHz
30
15
3.0
20
75
兆赫
100
1.5
2.0
民
最大
50
10
500
单位
A
A
A
V
V
V
R1 （2002年26月）
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