【CJD31C NPNCJD32C PNP其他芯片功率晶体管中央TM半导体公司描述:中央半导体CJD3】,IC型号CJD32C,CJD32C PDF资料,CJD32C经销商,ic,电子元器件-51电子网

CJD31C NPN

CJD32C PNP

其他芯片

功率晶体管

中央

半导体公司

描述

中央半导体CJD31C ，

CJD32C类型是互补硅功率

通过外延基极。制造的晶体管

过程中，安装在表面安装封装体

设计用于功率放大器和高速

开关应用。

标识代码：全型号

DPAK晶体管案例

最大额定值：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

集电极 - 基极电压

VCBO

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

功耗

功耗（ TA = 25 ° C）

工作和存储

结温

热阻

VCEO

VEBO

ICM

TJ ， TSTG

单位

°C

° C / W

100

5.0

3.0

5.0

1.0

1.56

-65到+150

8.33

80.1

电气特性

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

ICEO

冰

IEBO

BVCEO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

测试条件

VCE=60V

VCE=100V

VEB=5.0V

IC=30mA

IC = 3.0A ， IB = 375毫安

VCE = 4.0V ， IC = 3.0A

VCE = 4.0V ， IC = 1.0A

VCE = 4.0V ， IC = 3.0A

VCE = 10V ， IC = 500毫安中，f = 1.0MHz的

VCE = 10V ， IC = 500毫安， F = 1.0kHz

3.0

兆赫

100

1.2

1.8

民

最大

1.0

单位

R1 （2002年26月）

中央

半导体公司

CJD31C NPN

CJD32C PNP

其他芯片

功率晶体管

DPAK晶体管案例 - 机械外形

前导码：

B） BASE

C）集热器

E）辐射源

C）集热器

标识代码：

全面参与

数

R1 （2002年26月）

CJD31C NPN

CJD32C PNP

其他芯片

功率晶体管

中央

半导体公司

描述

中央半导体CJD31C ，

CJD32C类型是互补硅功率

通过外延基极。制造的晶体管

过程中，安装在表面安装封装体

设计用于功率放大器和高速

开关应用。

标识代码：全型号

DPAK晶体管案例

最大额定值：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

集电极 - 基极电压

VCBO

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

功耗

功耗（ TA = 25 ° C）

工作和存储

结温

热阻

VCEO

VEBO

ICM

TJ ， TSTG

单位

°C

° C / W

100

5.0

3.0

5.0

1.0

1.56

-65到+150

8.33

80.1

电气特性

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

ICEO

冰

IEBO

BVCEO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

测试条件

VCE=60V

VCE=100V

VEB=5.0V

IC=30mA

IC = 3.0A ， IB = 375毫安

VCE = 4.0V ， IC = 3.0A

VCE = 4.0V ， IC = 1.0A

VCE = 4.0V ， IC = 3.0A

VCE = 10V ， IC = 500毫安中，f = 1.0MHz的

VCE = 10V ， IC = 500毫安， F = 1.0kHz

3.0

兆赫

100

1.2

1.8

民

最大

1.0

单位

R1 （2002年26月）

中央

半导体公司

CJD31C NPN

CJD32C PNP

其他芯片

功率晶体管

DPAK晶体管案例 - 机械外形

前导码：

B） BASE

C）集热器

E）辐射源

C）集热器

标识代码：

全面参与

数

R1 （2002年26月）

CJD31C NPN

CJD32C PNP

表面贴装

其他芯片

功率晶体管

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

描述：

中央半导体CJD31C ， CJD32C

类型是互补硅功率晶体管

通过外延的基础工艺制造，安装

在表面安装封装设计用于功率

放大器和高速开关应用。

标记：全部型号

DPAK晶体管案例

最大额定值：

（ TC = 25° C除非另有说明）

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

连续基极电流

功耗

功耗（ TA = 25 ° C）

工作和存储结温

热阻

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

TJ ， TSTG

100

5.0

3.0

5.0

1.0

1.56

-65到+150

8.33

80.1

单位

°C

° C / W

电气特性：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

ICEO

冰

IEBO

BVCEO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

VCE=60V

VCE=100V

VEB=5.0V

IC=30mA

IC = 3.0A ， IB = 375毫安

VCE = 4.0V ， IC = 3.0A

VCE = 4.0V ， IC = 1.0A

VCE = 4.0V ， IC = 3.0A

VCE = 10V ， IC = 500毫安中，f = 1.0MHz的

VCE = 10V ， IC = 500毫安， F = 1.0kHz

100

最大

1.0

单位

1.2

1.8

3.0

兆赫

R2 （2010年4月）

CJD31C NPN

CJD32C PNP

表面贴装

其他芯片

功率晶体管

DPAK晶体管案例 - 机械外形

前导码：

B） BASE

C）集热器

E）辐射源

C）集热器

标记：

全部型号

R2 （2010年4月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

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