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CJD200 NPN
CJD210 PNP
表面贴装
其他芯片
功率晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CJD200 ， CJD210
类型是互补硅功率晶体管
在制造表面贴装封装设计
高电流放大器应用。
标记：全部型号
DPAK晶体管案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
功耗（ TA = 25 ° C）
工作和存储结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
Θ
JA
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
° C / W
° C / W
40
25
8.0
5.0
10
1.0
12.5
1.4
-65到+150
10
89.3
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICBO
VCB=40V
ICBO
VCB = 40V ， TC = 125°C
IEBO
VEB=8.0V
BVCEO
IC=10mA
25
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VCE （ SAT ）
IC = 2.0A ， IB = 200毫安
VCE （ SAT ）
IC = 5.0A ， IB = 1.0A
VBE （ SAT ）
IC = 5.0A ， IB = 1.0A
VBE （ON）的
VCE = 1.0V ， IC = 2.0A
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安
70
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 2.0A
45
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0A
10
fT
VCE = 10V ， IC = 100mA时F = 10MHz时
65
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F =为0.1MHz （ CJD200 ）
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F =为0.1MHz （ CJD210 ）
最大
100
100
100
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
180
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
80
120
兆赫
pF
pF
R2 （2010年4月）
CJD200 NPN
CJD210 PNP
表面贴装
其他芯片
功率晶体管
DPAK晶体管案例 - 机械外形
前导码：
B） BASE
C）集热器
E）辐射源
C）集热器
标记：
全部型号
R2 （2010年4月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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CTA51CC309VDC1.6E
CDV30FH221JO3F
C192G102B5G5CP
CD4021BPWG4
CGA5L3X7R2E333K
CPS6041
CHF15KE150A
CAT93C57L-1.8
供货商
型号
厂家
批号
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封装
单价/备注
操作
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    CJD200
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