CJD112 NPN
CJD117 PNP
表面贴装
其他芯片
功率达林顿晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CJD112 , CJD117
类型是互补硅功率达林顿
在制造表面贴装晶体管封装
专为低速开关和放大器
应用程序。
标记:全部型号
DPAK晶体管案例
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
功耗( TA = 25 ° C)
工作和存储结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ , TSTG
Θ
JC
Θ
JA
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
° C / W
° C / W
100
100
5.0
2.0
4.0
50
20
1.75
-65到+150
6.25
71.4
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
民
ICEO
VCE=50V
ICEV
VCE = 80V , VBE (关闭) = 1.5V
ICEV
VCE = 80V , VBE (关闭) = 1.5V , TC = 125°C
ICBO
VCB=80V
ICBO
VCB=100V
IEBO
VEB=5.0V
BVCEO
IC=30mA
VCE ( SAT )
IC = 2.0A , IB = 8.0毫安
VCE ( SAT )
IC = 4.0A , IB = 40毫安
VBE ( SAT )
IC = 4.0A , IB = 40毫安
VBE (ON)的
VCE = 3.0V , IC = 2.0A
的hFE
VCE = 3.0V , IC = 0.5A
500
的hFE
VCE = 3.0V , IC = 2.0A
1000
的hFE
VCE = 3.0V , IC = 4.0A
200
fT
VCE = 10V , IC = 750毫安中,f = 1.0MHz的
25
COB
VCB = 10V , IE = 0 , F =为0.1MHz ( CJD112 )
COB
VCB = 10V , IE = 0 , F =为0.1MHz ( CJD117 )
最大
20
10
500
10
20
2.0
100
2.0
3.0
4.0
2.8
12000
单位
A
A
A
A
A
mA
V
V
V
V
V
100
200
兆赫
pF
pF
R2 (2010年4月)
CJD112 NPN
CJD117 PNP
表面贴装
其他芯片
功率达林顿晶体管
DPAK晶体管案例 - 机械外形
前导码:
B) BASE
C)集热器
E)辐射源
C)集热器
标记:
全部型号
R2 (2010年4月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米