CHV2270
完全集成的Ku波段HBT VCO
低成本/高线性度
GaAs单片微波IC
描述
该CHV2270是一个多功能的频率
一代。它集成了C波段均衡
电压控制振荡器提供一个Ku波段
带输出（ 2
nd
谐波） ，用不同的
调制斜坡控制等功能
像线性改善装置使
适用于雷达调制。它也包括一个
双级预分频器，可调节的介质
功率放大器和一个温度传感器。
该VCO完全集成在HBT工艺。
片上基极 - 集电极二极管用作
变容二极管。所有有源器件内部
自偏置缓解偏的配置。该芯片
与自动化设备的兼容
装配。
该电路对HBT工艺制造的
2μm的发射极长度，经由通孔
基板和高Q值无源元件。
它是在芯片的形式提供。
VMT
VFT
VCT
SETN
法律信息网
+V
SETHP
6.375GHz
RF_OUT
x2
12.75GHz
÷
N
HBT VCO
PresN_OUT
VTEMP
VCO多功能框图
主要特点
-40 °C至+ 125 °温度范围
C
C
低的温度依赖性
完全集成的VCO架构
预分频器高达F_out / 128
低相位噪声
低成本/高线性导向
可调输出功率
温度传感器
很简单的偏置配置
低DC功耗
自动装配导向
氮化硅层保护
芯片尺寸： 1.38× 2.05 X 0.1毫米
典型的VCO F_out （ VCT ）调整（千兆赫）
12,8
12,75
F_out （千兆赫）
12,7
12,65
12,6
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
典型的自由运行VCO F_out （ VMT ）调
主要特点
TAMB = + 25 °
C
符号
F_OUT
PN
噘
参数
指定的输出频率范围
相位噪声@ F_out至100kHz偏移
输出功率
民
12.65
典型值
12.75
-100
5或14
最大
12.85
单位
GHz的
dBc的/赫兹
DBM
参考： DSCHV22707117 -27四月七日
1/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHV2270
电气特性
整个温度范围
Ku波段HBT VCO
符号
F_OUT
参数（ 1 ）
民
典型值
12.75
5 (2)
1.5:1
0.75
250
2
最大
12.85
8
2.5:1
单位
GHz的
DBM
RF_OUT频率保证
12.65
特定网络阳离子
输出功率负载RF_OUT端口
P_OUT
1
VSWR
≤
1.5:1 (2)
VSWR_OUT
在50Ω负载RF_OUT端口驻波比
P_out线性度200MHz的范围内
P_out_Lin
F_out范围
F_out超过最大变化
ΔF_tune （ T）
温度
Vct_F_tune
粗调的总频率范围
0.5
精细调谐频率范围
Vft_F_tune
3
保证规格
介质调谐频率范围内具有
Vmt_F_tune
保证规格
Vct_V_tune
粗调电压范围
0.5 - 4.3
Vft_V_tune
微调电压范围
2-4
Vmt_V_tune
中等调谐电压范围
Vct_I
粗调端口电流
Vft_I
微调端口电流
Vmt_I
中期调整端口电流
Vct_F_slope
粗调频率斜率
200
在微调频率斜率
Vft_F_slope
-10
Vft_F_tune （3）
Vft_F_slope超过最大变化
0
ΔVft_F_slope （ T）
顶部区间[ + 30 °
C;+110° (3)
C]
在中等调谐频率斜率
Vmt_F_slope
-40
Vmt_F_tune
Vmt_F_slope的最大变化
0
ΔVmt_F_slope （ T）
在顶部区间[ + 30 °
C;+110° (4)
C]
微调线性范围在200kHz以内
Vft_Lin
-5
Vft_F_tune （3）
中期调整线性度为33MHz
Vmt_Lin1
内Vmt_F_tune （3）
介质调谐频率范围内具有
Vmt_Lin2
在Vmt_F_tune +/- 1 ％线性度
微调调制3分贝截止
在Vft_F_tune频率
Vft_Mod3dB
5
@ D（ Vct_V ） / DT = 0
中期调整调制3分贝截止
在Vmt_F_tune频率
Vmt_Mod3dB
10
@ D（ Vct_V ） / DT = 0
频率牵引与RF_OUT口
P_VSWR
负荷@驻波比= 2.5 ： 1（2）
频推与供应
P_V +
0
电压
F_out相位噪声@ 10kHz的
PN
@ 100kHz的
@ 1MHz的
幅度噪声（ SSB ） @ 10kHz的
AN
@ 100kHz的
@ 1MHz的
参考： DSCHV22707117 -27四月七日
2/8
dBpp的
500
兆赫
GHz的
兆赫
70
0.5 – 4.5
0 – 4.5
0 – 4.5
0.5
0.5
3
700
-2.5
+/-10
-20
-10
-20
<0.05
+/-1 (3)
33
+5
兆赫
V
V
V
mA
mA
mA
兆赫/ V
兆赫/ V
%
兆赫/ V
%
%
%
兆赫
兆赫
1.5
375
-5
20
0.25
35
-75
-100
-123
-145
-156
-167
70
-65
-90
-113
-135
-146
-157
兆赫
兆赫页
兆赫/ V
dBc的/赫兹
dBc的
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
Ku波段HBT VCO
Hn_Rej
Pres_Rej
Pres_N
Pres_F
Pres_P
Pres_L
Pres64_PN
RF_OUT VCO谐波抑制
RF_OUT预分频杂散抑制
预分频器排名
预分频器
PRESN
端口
产量
频率
在PRESN端口的输出功率
PRESN端口的负载
预分频器排名64的相位噪声：
@ 10kHz的
@ 100kHz的
@ 1MHz的
温度传感器端口电压
@ +25°
C
温度传感器端口电压斜率
在顶部
温度传感器端口的负载
正电源电压（垫（ VD1 XOR
VD2 ）和（ VA1异VA2 ） ）
正电源电流（垫（ VD1 XOR
VD2 ）和（ VA1异VA2 ） ）（ 2&5 ）
工作温度范围
10
45
CHV2270
20
65
N = 4或64
F_out/(2*Pres_N)
-3
0
100
-117
-142
-165
1.15
-1.2
47k
+4.4
+4.5
150
-40
25
+4.6
210
+125
1.35
-1
-107
-130
-150
1.55
-0.8
dBc的
dBc的
GHz的
DBM
dBc的/赫兹
Vtemp_V
Vtemp_S
Vtemp_L
+V
+I
顶部
V
毫伏/ ℃
C
V
mA
°
C
符号
参数（ 1 ）
民
典型值
最大
单位
（ 1 ）重要提示：细，中调端口不能同时使用。
细或中等调谐端口规格都保证在各自媒体或罚款
调整端口为高阻态。
（ 2 ）在低功耗模式。为14dBm P_out请参阅“设置VCO矩阵” （ + I增加< 80毫安高
功率模式）。
（3）垫“法律信息网”设定为“开” 。
（4）垫“法律信息网”设置为“GND” 。
（5） SET4设定为“GND”和SET64设置为“开” （ + I增加< 20毫安当N = 64）。
参考文献。 ： DSCHV22707117 -27四月七日
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CHV2270
绝对最大额定值
(1)
符号
+V
VTX
+I
TSTG
Ku波段HBT VCO
参数
正电源端口电压
调整端口电压
正电源电流（N = 4 &低功耗）
存储温度范围
值
+5
0到+5
250
-55到+150
单位
V
V
mA
°
C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
注意事项：
ESD保护：静电放电敏感的设备，
观察处理和组装的注意事项！
VCO设置矩阵
充分条件
符号
P_OUT
参数
输出功率负载RF_OUT端口
VSWR
≤1.5:1
设置垫
SETHP
SET4
SET64
SET4
SET64
SET4
SET64
法律信息网
环境
开放
为V0 + V
+V
直流接地（2）
开放
开放
直流接地（2）
开放
开放
开放
DC GND
典型的价值
5 dBm的
5至14 dBm的
14 dBm的
0 dBm的
非活跃
0 dBm的
非活跃
+/-1%
+/-0.33%
在PRES4端口Pres4_P输出功率
Pres64_
P
在PRES64端口的输出功率
中期调整线性度为33MHz
Vmt_Lin1
在Vmt_F_tune
（ 2 ）请参见“典型的装配和偏置配置”的建议。
参考： DSCHV22707117 -27四月七日
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Ku波段HBT VCO
芯片机械数据和引脚参考
5
82
355
655
6
7
8
1105
9
CHV2270
1898
10
1740
11
12
4
1290
1440
390
82
655
1228
1
13
3
14
15
240
2
产地0,0
布局1310x1980
单位=微米
外部芯片尺寸（版面大小+切割街道） = 1380 X 2050
±
35
切屑厚度= 100 +/- 10
射频垫（1,5 ）= 75 ×100 （在接合轴的SiNx开口大）
直流/中频垫= 75× 100（氮化硅中的接合轴开口大）
氮化硅保护层厚度= 0.2
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
引脚名称
RF
SETHP
VA1
VD1
VD2
PRES4
SET4
SET64
PRES64
法律信息网
VTF
VTM
VTC
VA2
VTEMP
描述
射频输出端口
RF电源选项设置端口
正电源电压端口（内部连接到VA2 ）
正电源电压端口（内部连接到VD2 ）
正电源电压端口（内部连接到VD1 ）
预分频器排名4输出端口
预分频器排名4选项设置端口
预分频器排名64选项设置端口
预分频器排名64的输出端口
VTM的线性度选项设置端口
RF频率微调端口
RF频率中调整端口
RF频率粗调口
正电源电压端口（内部连接到VA1 ）
温度传感器的输出端口
参考文献。 ： DSCHV22707117 -27四月七日
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