CHV2241
K频振荡器，集成Q-带谐波
混频器
GaAs单片微波IC
描述
该CHV2241是单片多功能
提议频率产生和
换位。它集成了K波段振荡器，一个
Q波段谐波混频器和缓冲放大器。
为了优化性能，外部端口
（ ERC）的允许被动谐振器耦合到
振荡器（半输出频率）。所有
有源器件内部的自偏置。
该电路与P型HEMT制造
过程： 0.25μm的栅极长度，经由通孔
基板，空气桥和电子束
栅光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
+V
F_lo = （ F_rf - F_if ） / 2
ERC
高Q值
谐振器
-V
RF
x2
LO_OUT_AUX
IF
多功能框图
0
-1
转换损耗（dB ）
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
37
37,5
38
射频频率（ GHz）的
38,5
39
主要特点
n
K频振荡器+ Q带谐
混频器
n
外部谐振器的中心频率
控制和相位噪声优化
n
加上当高品质的振荡器
的介质谐振器
n
低转换损耗
n
高温范围
n
片上自偏置
n
自动装配导向
n
芯片尺寸1.82 X 0.97 X 0.1毫米
典型的转换损耗特性
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
F_RF
F_LO
Pn
Lc
RF频率
振荡器频率
振荡器的相位噪声@ 100kHz的（ 38GHz ）
转换损耗
参数
民
37.5
典型值
38.25
-100
7
最大
39
单位
GHz的
dBc的/赫兹
dB
（ F_rf - F_if ） / 2
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHV22411074 -15 -三月-01
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHV2241
电气特性
K频振荡器/ Q带混合机
整个温度范围内，按照第“典型安装和配置偏向”使用
符号
F_RF
F_IF
F_LO
P_LO
Pn
参数
RF频率
IF频率
振荡器频率（ 1 ）
辅助LO输出功率（可选）
相位噪声（在RF频率给定） （ 2 ）
@ 1kHz时
@ 10kHz的
@ 100kHz的
@ 200kHz的
@ 1MHz的
频推VS正电源
电压
转换损耗
在1分贝RF输入功率
在IF端口的LO泄漏（ 3 ）
在RF端口2LO泄漏（3）
VSWR在RF输入端口
如果负载阻抗
正电源电压（ 4 ）
正电源电流
负电源电压（4）
负电源电流
工作温度范围
民
37.5
0.1
典型值
38.25
最大
39
1.5
单位
GHz的
GHz的
DBM
dBc的/赫兹
（ F_rf - F_if ） / 2
-15
-8
-4
-45
-78
-105
-114
-129
300
3
-13
7
-8
-25
-40
2:1
50
4.5
50
-4.5
6
-35
-68
-95
-104
-119
1000
11
0
-18
-30
2.5:1
4.6
90
-4.4
10
+100
P_V +
Lc
P_1dB_rf
Plolk_if
P2lo_rf
VSWR_rf
IMP_if
+V
+I
-V
-I
顶部
千赫/ V
dB
DBM
DBM
DBM
V
mA
V
mA
°C
4.4
-4.6
-40
（1）在中心频率是由外部无源谐振器给出。
见第二部分“建议
外高Q谐振器“
频率温度漂移
例子。
DRO频率长期稳定的DR环境的稳定依赖
（密封性...）。
（2）这一特性依赖于外部谐振器Q，给定的性能有
通过使用外部介质谐振器获得（参见“外部建议
高Q值谐振器“ ）
（ 3 ）无需外部滤波器
（ 4 ）负电源电压必须至少1us的正电源前申请
电压。
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K频振荡器/ Q带混合机
绝对最大额定值
(1)
符号
P_RF
+V
-V
+I
-I
TSTG
(1)
(2)
CHV2241
参数
最大RF输入功率（ 2 ）
正电源电压
负电源电压
正电源电流
负电源电流
存储温度范围
值
7
5
-5
100
15
-55 155
单位
DBM
V
V
mA
mA
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
CW模式。
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CHV2241
K频振荡器/ Q带混合机
芯片机械数据和引脚参考
4
3
2
1
13
12
11
10
9
8
5
6
7
单位=微米
外部芯片尺寸（包括锯街道）= 1820 X 970 +/- 35
切屑厚度= 100 +/- 10
高频垫（ 2,6 ）=为68× 118
直流/中频垫（ +辅LO输出） = 100×100个
引脚数
1,3,5,7,8
2
4
6
9
10
11
12,13
引脚名称
描述
接地：不应该被粘合。如果需要的话，
请索取详细信息
ERC
外部谐振器耦合端口
LO_OUT_AUX
辅助振荡器输出端口（可选）
RF输入端口
RF
IF输出端口
IF
NC
-V
负电源电压
+V
正电源电压
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K频振荡器/ Q带混合机
典型的装配和偏置配置
4
CHV2241
μ -带状线
3
2
1
13
12
11
10
9
8
5
6
μ -带状线
L_erc
L_rf
7
> = 120pF
> = 120pF
+V
-V
IF
直流线和控制线
该图中示出了装配和偏置结构的一个例子。所有
晶体管是内部自偏置。正电压和负电压可以是
分别连接到一起（参见图），根据建议的
在电气特性表中给定的值。
对于RF焊盘的等效引线键合电感（直径= 25微米）有
根据下面的建议是。
等效电感
（ NH）
ERC （ 2 ）
L_erc = 0.4
LO_OUT_AUX （4）
不是关键的， < 1nH的
可选
射频（6）
L_rf = 0.28
PORT
近似线
长度（mm ）
0.5
0.35
为一个微带结构在衬底中的空穴被推荐用于芯片
装配。
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