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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
双数字硅晶体管
电压50伏
应用
*开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路。
CHUMH14PT
电流100 mAmpere
特征
*小型表面安装型。 （ SC - 88 / SOT- 363 ）
*高电流增益。
*适用于高封装密度。
*
*
*
*
低colloector发射极饱和。
高饱和电流能力。
两个CHDTC144T在一个封装中。
内置偏置电阻（ R1 = 47千欧姆，典型值）。
SC-88/SOT-363
(1)
(6)
1.2~1.4
0.65
0.65
2.0~2.2
(4)
0.15~0.35
(3)
1.15~1.35
0.08~0.15
0.1分钟。
0.8~1.1
0~0.1
2.15~2.45
电路
6
R1
4
R1
1
3
单位：毫米
SC-88/SOT-363
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（最大值）。
P
D
T
英镑
T
J
Rθ
-S
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2004-04
参数
科尔埃克特基极电压连续
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
科尔目前埃克特
功耗
储存温度
结温
热电阻，注1
条件
50
50
5
100
T
AMB
≤
25
O
C，注意1
150
价值
V
V
V
单位
mA
mW
O
55 +150
55 +150
结 - 焊接点
140
C
O
C
C / W
O
额定特性（ CHUMH14PT ）
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
条件
I
C
=50uA
I
E
=50uA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=5mA/0.5mA
I
C
= 1毫安; V
CE
=5.0V
I
C
= 5毫安，V
CE
=10.0V
f=100MHz
分钟。
50
50
5.0
100
32.9
典型值。
马克斯。
V
V
V
单位
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
=1.0mA
0.5
0.5
0.3
600
61.1
uA
uA
V
K
兆赫
直流电流增益
输入电阻
跃迁频率
250
47
250
记
1.Pulse测试： tp≤300uS ;
δ≤0.02.
额定值特性曲线（ CHUMH14PT ）
典型电气特性
图1直流电流增益与集电极
当前
1k
500
直流电流增益：H
FE
图2集电极 - 发射极电压与
集电极电流
COLLECsaturationTOR
电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100
200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=100
O
C
25
O
C
-40
O
C
l
O
/l
I
=10
V
CE
= 5V
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200
500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
TA = 100℃
25
O
C
-40
O
C
O
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
（ UA）
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