CHU3377
符合RoHS
W波段多功能：乘法器/ MPA
GaAs单片微波IC
描述
该CHU3377是W波段的单片
多功能于一体的输入缓冲器，
三倍频器后跟
放大器分离器和两个W波段链
在输出端并联组合。每个W波段
链包括一个倍频器和一个
中等功率放大器。频率
乘法器是基于有源晶体管和
允许工作在低输入电平具有减小的
功耗。
所有的有源器件内部的自偏置
缓解偏的配置。该芯片是
自动设备兼容
装配。
该电路与P型HEMT制造
过程： 0.15μm的栅极长度，经由通孔
基板，空气桥和电子束
栅光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
IN
12.75GHz
76. 5GHz的
x2
x3
OUT
TX / PH15
x2
-V
+V
W波段多功能方框图
20
18
16
14
P_out （ dBm的）
12
10
8
6
4
2
0
75,0
75,5
76,0
76,5
F_out （千兆赫）
77,0
77,5
78,0
主要特点
-40 °C至+ 125 °温度范围
C
C
低的温度依赖性
低噪音AM
高输出功率
宽工作频率范围
输入电压过低
片上自偏置
很简单的偏置配置
低DC功耗
自动装配导向
BCB层保护
芯片尺寸： 3.86 X 1.62 X 0.1毫米
20
18
16
14
P_out （ dBm的）
12
10
8
6
4
2
0
典型P_out （ F_out ）测量
-40
-25
-10
+5
+20
+35 +50
顶（ ° C）
+65 +80 +95 +110 +125
典型P_out （上）测量
主要特点
TAMB = + 25 °
C
符号
F_IN
P_IN
F_OUT
P_OUT
输入频率
输入功率
输出频率
输出功率
参数
民
12.67
0
76
典型值
最大
12.83
8
77
单位
GHz的
DBM
GHz的
DBM
15
1/6
编号： DSCHU33777082 - 07年3月23日
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHU3377
电气特性
W波段倍频/ MPA
整个工作温度范围内，根据部分“典型安装和配置偏向”使用
符号
F_IN
F_OUT
P_IN
VSWR_IN
P_OUT
VSWR_OUT
输入频率
参数（ 1 ）
民
12.67
76
0
12
典型值
最大
12.83
77
单位
GHz的
GHz的
DBM
DBM
输出频率
输入功率在IN端口
在50Ω负载端口驻波比
输出功率负载VSWR OUT端口
≤1.5:1
在50Ω负载输出端口驻波比
幅度噪声@ 1kHz时（ SSB ）
@ 10kHz时（ SSB ）
4
1.5:1
15
1.5:1
-135
-142
-151
-153
≤
-155
-50
-35
8
2.5:1
17
2.5:1
-125
-137
-144
-146
-150
-40
-25
-50
An
@ 100kHz的（ SSB ）
@ 200kHz的（ SSB ）
≥
为1MHz （ SSB ）
谐波输出功率（ @ K * 6.375千兆赫）
dBc的/赫兹
Hn_p
NHn_p
+V
+I
-V
-I
顶部
@ 6.375 GHz至51 GHz的
@ 57.375 GHz至102 GHz的
非谐波输出功率
正电源电压
正电源电流
负电源电压
负电源电流
工作温度范围（ 2）
-40
-4.7
+4.4
DBM
DBM
V
mA
V
mA
°
C
+4.5
210
-4.5
11
+4.6
275
-4.3
18
+125
（1）所有的参数列于以下条件：
- OUT端口：在50Ω参考方案
≤200m
从OUT垫（ ≤0.15nH ）粘接长度。
（2 ）芯片背面金属温度。
绝对最大额定值
(2)
符号
P_IN
+V
-V
+I
-I
TSTG
参数
输入功率
正电源电压
负电源电压
正电源电流
负电源电流
存储温度范围
值
9
+5
-5
325
25
-55到+150
单位
DBM
V
V
mA
mA
°
C
（ 2）该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
注意事项：
正电源电压不能没有负电源电压的情况下。
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理
注意事项！
编号： DSCHU33777082 - 07年3月23日
2/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
W波段倍频/ MPA
芯片机械数据和引脚参考
2
410
2135
3
CHU3377
3720
1470
4
1
680
750
70
产地0,0
布局3790x1550
单位=微米
外部芯片尺寸（版面大小+切割街道） = 3860 X 1620
±
35
切屑厚度= 100 +/- 10
射频垫（1,5 ）= 90× 110 （BCB开口）
直流/中频垫= 100× 100 （BCB开口）
引脚数
1
2
3
4
引脚名称
IN
-V
+V
OUT
RF输入端口
描述
负电源电压端
正电源电压端
射频输出端口
编号： DSCHU33777082 - 07年3月23日
3/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHU3377
典型的装配和偏置配置
直流线路
-V
+V
W波段倍频/ MPA
> = 47pF的
> = 47pF的
L_IN
L_OUT
μ -带状线
μ -带状线
该图中示出了装配和偏置结构的一个例子。所有晶体管
在内部自偏置。的外部的片状电容器的至少47pF的是必要的
正和负电源电压。
对于RF焊盘的等效引线接合电感（直径= 25微米），必须
根据下面的建议。
引脚名称
IN
OUT
等效电感
L_IN
≤
0.3 nH的
L_OUT
≤
0.15 nH的
(2)
线长度（1）
≤
0.4 mm
0.2 mm
(2)
（1）该值是总长度包括必要的循环从焊盘到焊盘上。
（2）对于更长的线长度或更大的电感，一个外部补偿是
需要匹配50Ω OUT引脚和0.15nH导线的电感计划之间。 （对于
例如用在衬底上的匹配网络）
芯片背面必须射频接地。
编号： DSCHU33777082 - 07年3月23日
4/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
W波段倍频/ MPA
CHU3377
编号： DSCHU33777082 - 07年3月23日
5/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
QQ：2880707522 复制
