CHU3277
符合RoHS
W波段多功能:乘法器/ MPA
GaAs单片微波IC
描述
该CHU3277是W波段的单片
多功能于一体的输入
缓冲/功率分配器和两个W波段链
在输出端并联组合。每一个
包括一个频率倍增器和一个四阶段
中等功率放大器。频率
乘法器是基于有源晶体管和
允许工作在低输入电平具有减小的
功耗。
所有有源器件是在内部自偏置到
缓解偏的配置。该芯片兼容
用自动设备进行装配。
该电路与P型HEMT制造
过程: 0.15μm的栅极长度,经由通孔
基板,空气桥和电子束栅
光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
W波段多功能方框图
主要特点
n
n
n
n
n
n
宽工作频率范围
低输入功率: 5dBm的典型
高输出功率
低噪音AM
工作温度范围宽
片上自偏置
n
n
n
n
n
很简单的偏置配置
低DC功耗
自动装配导向
BCB层保护
芯片尺寸: 3.9 X 1.66 X 0.1毫米
主要的典型特征
TAMB = + 25°C
符号
F_IN
P_IN
F_OUT
噘
输入频率
输入功率
输出频率
输出功率
76
18
参数
民
38
典型值
5
最大
38.5
77
单位
GHz的
DBM
GHz的
DBM
ESD保护:静电放电敏感器件观察处理注意事项!
参考文献。 DSCHU3277391 - 03年4月1日
1/7
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09
CHU3277
电气特性
W波段倍频/ MPA
整个工作温度范围内,根据部分“典型安装和使用偏置
CON组fi guration “
符号
F_IN
F_OUT
P_IN
噘
Pout_Flat
AM_noise
参数
输入频率
输出频率
输入功率
输出功率(1)
输出功率平坦度
幅度噪声@ 1kHz时( SSB )
幅度噪声@ 10kHz时( SSB )
幅度噪声@ 100kHz的( SSB )
幅度噪声@ 200kHz的( SSB )
幅度噪声@ 1MHz的( SSB )
在VSWR输入端口( 50Ω )
正电源电压( 2 )
正电源电流
负电源电压(2)
负电源电流
工作温度范围
存储温度范围
民
38
76
3
15.5
典型值
最大
38.5
77
10
20.5
<1
-132
-140
-146
-148
-152
2.5:1
4.75
400
-4.25
12
100
120
单位
GHz的
GHz的
DBM
DBM
dB
dBc的/赫兹
5
18
-137
-145
-151
-153
-157
2:1
VSWR_IN
+V
+I
-V
-I
顶部
TSTG
4.25
-4.75
-40
-40
4.5
280
-4.5
8
25
25
V
mA
V
mA
°C
°C
( 1 )定义负载VSWR
≤1.5:1.
( 2 )负电源电压必须至少为1us前正电源电压的应用。
绝对最大额定值
(3)
符号
P_IN
+V
-V
+I
-I
TSTG
参数
输入功率( 4 )
正电源电压
负电源电压
正电源电流
负电源电流
存储温度范围
值
12
5
-5
450
15
-55 155
单位
DBM
V
V
mA
mA
°C
( 3 )该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
(4 )持续< 1秒。
参考文献。 DSCHU3277391 - 03年4月1日
2/7
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09
CHU3277
W波段倍频/ MPA
芯片机械数据和引脚参考
单位=微米
芯片尺寸= 3900 X 1660 ± 35
切屑厚度= 100 ± 10
HF垫( 2,8 ) = 90× 110 ( BCB开放)
直流垫( 4,5,6) = 100× 100 (BCB开口)
引脚数
1,3,7,9
6
2
8
5
4
引脚名称
描述
接地:不应该被粘合。如果需要的话,请
要求更多信息。
接地(可选)
输入端口
输出端口
正电源电压
负电源电压
3/7
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
GND
IN
OUT
+V
-V
参考文献。 DSCHU3277391 - 03年4月1日
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: 33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09
CHU3277
W波段倍频/ MPA
参考文献。 DSCHU3277391 - 03年4月1日
4/7
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09
CHU3277
W波段倍频/ MPA
典型的装配和偏置配置
该图中示出了装配和偏置结构的一个例子。所有的晶体管都
内部自偏置。一个外部电容器被推荐用于正和负
电源电压。
对于RF焊盘的等效引线接合电感(直径= 25微米),可以根据有
以下建议。
PORT
在(2)
OUT (8)
等效电感
( NH)
L_IN = 0.27
L_out = 0.27
导线长度(mm )
(1)
0.34
0.34
(1)该值是总长度包括必要的循环从焊盘到焊盘上。
为一个微带结构在衬底中的空穴是必要的芯片组件。
参考文献。 DSCHU3277391 - 03年4月1日
5/7
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: 33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09