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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
P沟道增强型场效应晶体管
电压50伏
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHT84WPT
当前0.13安培
特征
*小型表面安装型。 （ SC - 70 / SOT- 323 ）
*高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
*适用于高封装密度。
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
(3)
SC-70/SOT-323
(2)
1.3±0.1
0.3±0.1
0.65
2.0±0.2
0.65
1.25±0.1
(1)
施工
* P沟道增强
记号
* AW
D
0.05~0.2
0.1Min.
0.8~1.1
0~0.1
2.0~2.45
电路
1
G
S
3
2
T
A
= 25 ° C除非另有说明
单位：毫米
SC-70/SOT-323
绝对最大额定值
符号
参数
CHT84WPT
单位
V
DSS
漏源电压
-50
V
V
GSS
栅源电压 - 连续
±
20
-0.13
V
I
D
最大漏极电流 - 连续
A
P
D
最大功率耗散
200
-55到150
mW
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
625
° C / W
2004-03
额定值特性曲线（ CHT84WPT ）
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
V
DS
= -50 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
-50
-75
-15
-100
10
-10
V
A
nA
nA
nA
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
基本特征
（注1 ）
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安
-0.8
-1.6
6
-2.0
10
V
静态漏源导通电阻V
GS
= -5.0 V，I
D
= 0.1 A
正向跨导
V
DS
= -25 V，I
D
= 100米的
0.05
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
45
25
12
10
18
pF
V
DD
= -30 V
I
D
= -270毫安，V
GS
= -10 V,
R
根
= 50
nS
额定值特性曲线（ CHT84WPT ）
典型电气特性
图1.区域特征
600
15
图2.导通电阻变化
随温度
I
D
，漏源电流（A ）
漏源导通电阻
500
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= 5V
400
12
4.5V
9.0
V
GS
=-10V
I
D
= -130m一
300
200
3.5V
3.0V
6.0
100
3.0
2.5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源电压（V ）
0
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
125
150
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