【CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。表面贴装通用晶体管电压40伏应用*自动对焦】,IC型号CHT4403TPT,CHT4403TPT PDF资料,CHT4403TPT经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。

表面贴装

通用晶体管

电压40伏

应用

*自动对焦输入级和驱动applicationon设备。

*其他一般用途。

CHT4403TPT

当前600 mAmpere

特征

*小型表面安装型。（ SC - 75 / SOT- 416 ）

*高电流增益。

*适用于高封装密度。

*低colloector发射极饱和。

*高饱和电流能力。

1.0±0.1

0.1

0.2±0.05

(2)

SC-75/SOT-416

(3)

(1)

0.5 1.6±0.2

0.5

施工

*在一个封装中的PNP晶体管。

0.1

0.3±0.05

0.1

0.2±0.05

0.8±0.1

记号

* PT

0.15±0.05

0.1Min.

0.6~0.9

0~0.1

1.6±0.2

电路

(1)

B

C

(3)

E

(2)

单位：毫米

SC-75/SOT-416

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注2

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

65

分钟。

马克斯。

-40

-40

-5

-600

300

+150

150

+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

°C

2004-11

记

2.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

额定值特性曲线（ CHT4403TPT ）

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有speciped 。

符号

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

底座截止电流

条件

I

C

= -100uA ;我

E

= 0A

I

C

= -1mA ;我

B

= 0A

I

E

= -100uA ;我

C

= 0A

V

EB （O FF ）

= -0.4V ; V

CE

= -35 V

V

EB （O FF ）

= -0.4V ; V

CE

= -35 V

I

C

= -100uA ; V

CE

= -1V

h

FE

直流电流增益

I

C

= -1毫安; V

CE

= -1V

I

C

= -10毫安; V

CE

= -1V

I

C

= -150毫安; V

CE

= -2V

I

C

= -500毫安; V

CE

= -2V

V

CESAT

V

BESAT

C

cb

C

eb

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

f

T

t

d

t

r

t

s

t

f

集电极 - 发射极饱和

基射极饱和电压

输出电容

输入电容

输入阻抗

电压反馈比例

小信号电流增益

输出阻抗

跃迁频率

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= -150毫安;我

B

= -15毫安

I

C

= -500毫安;我

B

= -50毫安

I

C

= -150毫安;我

B

= -15毫安

I

C

= -500毫安;我

B

= -50毫安

V

CB

= -10V ; F = 1.0MHz的;我

E

=0

V

EB

= -0.5V ; F = 1.0MHz的;我

C

=0

分钟。

-40

-40

-6

30

60

100

100

20

-750

1.5

0.1

60

1.0

200

-100

-100

300

-400

-750

-950

-1300

8.5

30

15

8.0

500

100

15

20

225

30

mV

mV

mV

mV

pF

pF

K

x10

-4

S

马克斯。

V

V

V

单位

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CEX

I

BL

nA

nA

V

CE

= -10V ; F = 1.0KHZ ;我

C

=-1.0mA

I

C

= -20毫安; V

CE

= - 10 V

F = 100 MHz的

V

CC

= -30V ;我

C

=-150mA

V

BE （OFF）的

= -2.0V ;我

B1

=-15mA

V

CC

= -30V ;我

C

=-150mA

I

B1

=I

B2

=-15mA

兆赫

nS

nS

nS

nS

额定值特性曲线（ CHT4403TPT ）

TR1 CHT4403典型特征

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型的脉冲电流增益

典型的直流电流增益

VS集电极电流

1K

V

CE

= 1V

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.5

0.4

0.3

0.2

25 °C

I

C

/I

B

=10

25 °C

100

10

0.1

0

1

10

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

1000

1

0.1

1

10

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

1000

30

电容（pF）

20

10

IBO

V

BE（上）

- 基极发射极电压（ V）

典型电容

F = 1MHz的

基射极电压ON VS

集电极电流

1

V

CE

= 5V

0.8

- 50 °C

0.6

25 °C

5.0

科博

125 °C

0.4

1.0

-0.1

-1

-10

-50

0.2

0.1

I

C

反向偏置电压（V）的

1

10

- 集电极电流（毫安）

100

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